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喷墨印刷沉积的PEDOT/PSS薄膜导电性能被引量：4: 2010年; 利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜,研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响。实验结果表明:未退火和退火温度为120,140,160℃时,薄膜表面平均粗糙度分别为8.15,4.10,3.36,2.66nm;乙二醇掺杂使导电激活能由未掺杂时的0.096eV减小为0.046eV;电导激活能减小表明PEDOT分子链从低电导率的卷曲构象向高电导率的伸展构象转变;此外,乙二醇掺杂促使PSS与PE-DOT/PSS分离,使团聚的PEDOT/PSS颗粒变小从而分散更均匀,降低了表面粗糙度。; 景亚霓胡文华张平魏志芬唐正宁钟传杰; 关键词：喷墨印刷导电性能

Tips-PEN薄膜载流子迁移率的稳态SCLC与阻抗谱法测量的研究: 2014年; 利用稳态SCLC法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的Tips-PEN薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析。测试样品是p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag构成的单载流子器件。稳态SCLC法测试的器件Tips-PEN厚度为87nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V·s)和0.002 4(cm/V)1/2;阻抗谱法测试的器件Tips-PEN厚度为827nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V·s)和0.003 47(cm/V)1/2。稳态SCLC法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态SCLC需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度。这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致。; 景亚霓滕支刚魏志芬; 关键词：阻抗谱迁移率

添加H_2对SiH_4/N_2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响: 2014年; 研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3。FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加。此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40±0.05)V降低到(0.10±0.01)V。基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化。; 景亚霓钟传杰; 关键词：氮化硅光学带隙

基于红外条码的盲人扑克游戏辅助仪的设计: 2014年; 设计了一款基于集条形码技术、嵌入式系统及语音芯片技术于一体、结构紧凑、操作简单方便的盲人扑克游戏辅助仪。该装置设计了常见的扑克游戏程序,使用者可根据兴趣方便地选择游戏种类。其主要特点是利用语音技术能够实时播报其他人的出牌信息并可根据需要耳机播报本人手中牌的信息,让盲人用"听"牌代替了"摸"牌,使盲人以及不懂盲文的低视力人群能像正常人一样打扑克、玩桥牌等,克服了现有低视力群体打牌游戏中常见的问题,如盲文识别错误等。; 景亚霓杨海平; 关键词：盲人扑克游戏语音模块 STC89C52

双层复合有机栅绝缘膜漏电机理的研究: 2014年; 本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物（P（VDF-TrFE））双层复合绝缘膜的漏电机理,采用这种膜的MIS器件的单位面积电容为32 nF/cm2.电流-电压测试结果显示在不同的电压范围内其漏电曲线出现转折点,反映了这种膜在不同的电场下有不同的漏电机制.对实验结果拟合分析表明,在0～1 V电压范围内,其漏电主要是Poole-Frenkel机制控制;在1～25 V电压范围内,主要是以肖特基发射电流为主;而在35～40 V的电压范围内,绝缘膜漏电流是空间电荷限制电流.; 景亚霓王乐; 关键词：OTFT

喷墨印刷制备有机薄膜晶体管及其电路的研究进展被引量：3: 2010年; 有机薄膜晶体管在大面积柔性显示、柔性电子存储等方面具有广阔的潜在应用前景。喷墨印刷技术由于具有工艺简单、成本低廉、微图形数字化、与柔性衬底兼容等优点而成为一种有效的制造有机电子器件工艺方法。文章综述了近年来基于喷墨印刷技术制备有机薄膜晶体管的研究进展,探讨了在制造过程中存在的问题。; 张平胡文华景亚霓唐正宁钟传杰; 关键词：喷墨印刷有机薄膜晶体管

浅谈逻辑函数中的任意项、约束项与无关项被引量：3: 2014年; 数字电子技术中的逻辑问题分完全描述与非完全描述两种。在非完全描述逻辑函数中出现了两类特殊的最小项——任意项和约束项,它们又统称为无关项。任意项、约束项是两个不同的概念,在设计逻辑电路时必须认真区别,但就它们对逻辑函数的影响而言,又可以不加区别。本文通过实例来加以说明。; 景亚霓; 关键词：逻辑函数

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景亚霓