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时方晓

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学理学院化学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇电迁移
  • 2篇AU-AG
  • 1篇电场
  • 1篇电子结构
  • 1篇真空技术
  • 1篇碳管
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇子结构
  • 1篇氩离子
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇纳米碳
  • 1篇纳米碳管
  • 1篇俄歇分析
  • 1篇复层
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇SAM
  • 1篇VA
  • 1篇XPS

机构

  • 4篇清华大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇时方晓
  • 4篇曹立礼
  • 2篇姚文清
  • 1篇朱永法
  • 1篇叶小燕
  • 1篇董宇辉

传媒

  • 2篇Chines...
  • 2篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1997
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
用扫描俄歇微探针研究Au-Ag/Si体系异质界面电迁移
1997年
应用自建的超高真空原位装置及扫描俄歇微探针（SAM）技术，研究了AU－Ag／Si体系的表面电迁移现象。观测到清洁St表面上的Au／Ag／Si和Ag／Au／Si复层薄膜在直流电场作用下呈现明显的两相分离，Au，Ag分别向着外加电场的正极和负极方向快速迁移扩展，总的迁移速率对Au／Ag／Si约为0．63μm／s而对Ag／An／Si为0．37μm／s。实验结果表明，复合膜的结构，即其形成次序虽不影响An，Ag各自原有的电迁移方向，但影响其迁移扩散机制。并对上述现象及其相应的微观机制进行了初步分析。
时方晓姚文清曹立礼
关键词：电迁移俄歇分析真空技术半导体器件
Ar^+离子辐照对碳纳米管电子结构的影响
1997年
应用ＸＰＳ和ＡＥＳ研究了碳纳米管结构稳定性。结果表明：低能电子束辐照不会改变碳纳米管的电子结构；相反，低能Ａｒ＋离子束即使辐照强度低到０．２ｍＡ／ｃｍ２，也会引起碳纳米管电子结构的明显变化。
曹立礼时方晓朱永法
关键词：碳纳米管电子结构XPSAES氩离子纳米碳管
电场对Au/SiO_2及Au-Ag/SiO_2表面结构与原子迁移特性的影响
1997年
利用扫描俄歇微探针（SAM）和原子力显微镜（AFM）研究了SiO2衬底上在外加直流电场作用下沉积的Au薄膜及Au－Ag复层薄膜的表面形貌、结构变化及电迁移扩散行为。结果表明：①在衬底表面施加水平方向电场辅助沉积制备的Au薄膜其表面显示出平整的椭球形晶粒，并沿外电场方向呈织构取向。与未加电场的热蒸发沉积膜相比，具有较为均匀、有序的表面微观结构。②SiO2表面Au-Ag复层薄膜在直流电场作用下，Au，Ag物种同时向负极方向作走向迁移扩散，这与Au－Ag复层薄膜在Si（111）表面电迁移时Au，Ag分别向两极扩散的特点不同，反映了衬底性质对表面原子电迁移的影响。③Au－Ag复膜在电迁移过程中还发生了表面原子聚集状态的变化，原来沉积排布的细小晶粒在电迁移扩散过程中出现不均匀长大，导致薄膜表面粗糙度显著增加。
时方晓曹立礼
关键词：SAM金表面形貌电迁移
电场对Au-Ag薄膜结构影响的AFM和VAXPS研究被引量：2
1998年
利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和变角Ｘ射线光电子谱（ＶＡＸＰＳ）技术研究了Ａｕ－Ａｇ／ＳｉＯ２体系在直流电场作用下，Ａｕ、Ａｇ电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化。观察到较低温度下Ａｕ、Ａｇ聚集状态的显著变化。发现电迁移过程中Ａｕ－Ａｇ薄膜与ＳｉＯ２基底之间存在界面化学反应，膜层中Ａｕ、Ａｇ、Ｓｉ等元素的化学状态发生了相应的变化。这些结果表明ＳｉＯ２表面上Ａｕ－Ａｇ复合薄膜电迁移不只是一个水平方向的扩散，而是一个复杂的物理化学过程。在此基础上提出了电场作用下Ａｕ－Ａｇ薄膜迁移扩散反应机制。
时方晓叶小燕姚文清曹立礼董宇辉
关键词：电迁移AFM银
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