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施琼玲

作品数:4 被引量:12H指数:2
供职机构:重庆大学化学化工学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇多孔硅
  • 2篇含能材料
  • 1篇电子学
  • 1篇量子化学
  • 1篇量子化学研究
  • 1篇化学研究
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学
  • 1篇DFT

机构

  • 4篇重庆大学

作者

  • 4篇施琼玲
  • 3篇黎学明
  • 3篇魏锡文
  • 2篇胡小华
  • 1篇李燕飞

传媒

  • 1篇湖北大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇计算机与应用...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
多孔硅吸附性能的量子化学研究
2012年
用量子化学方法中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平上,采用模型化学方法和Gaussion03程序,计算由不同数目硅原子组成的一维量子线模型和二维网状模型分别吸附氢原子、氧原子、氧分子、硝酸根和高氯酸根的模型进行计算,考察各模型吸附前后的电子状态、能隙、原子电荷、键强等因素,计算结果表明:在吸附有不同原子、分子的多孔硅表面上,表面硅原子与内层硅原子间的化学键均被削弱,对于解释多孔硅的发光和爆炸性质有一定的理论指导意义.
胡小华施琼玲魏锡文黎学明
关键词:多孔硅量子化学DFT
多孔硅的表面吸附性能的研究被引量:5
2012年
通过量子化学的DFT方法,采用模型化学方法和Gaussion 03程序,计算了由不同数目硅原子组成的模型分别吸附某几种氢原子、氧原子、硝酸根的模型和多孔硅表面可能存在的SiHx类物质自由基或分子碎片的红外光谱进行了计算,考察了各模型吸附前后的电荷集居数和红外振动光谱,计算结果表明多孔硅表面吸附氢原子、氧原子以及硝酸根可以削弱相关Si—Si键,导致硅氢氧化合物出现,从而氧化或断裂生成Si—H或Si—O一类分子碎片而引起爆炸。
胡小华施琼玲魏锡文黎学明
关键词:多孔硅
多孔硅表面状态与含能特性研究
多孔硅(PS)是近年来引起广泛关注的一类新材料,由于具有比表面积大、化学活性高、可光致发光和电致发光、能低温爆炸与常温爆炸等特性,在光电子学和集成电子技术以及含能材料等领域有潜在应用前景。研究显示,由特定制备工艺腐蚀硅片...
施琼玲
关键词:多孔硅含能材料光电子学
文献传递
多孔硅的表面状态和吸附性能的研究被引量:6
2007年
用原子簇模型模拟纳米多孔硅表面及其吸附状态,并用量子化学方法计算了多孔硅表面与氢原子、氢分子、氧分子、硝酸根、二氧化硫的吸附,计算主要采用HFR方法,基组为6-31G(d)。结果表明除氢分子外,表面硅原子与吸附物质之间均产生明显的相互成键作用,在多孔硅表面生成更多活性的物质,改变了多孔硅表面状态,产生新的性能,从而可广泛用于含能材料的领域。
施琼玲魏锡文李燕飞黎学明
关键词:多孔硅含能材料
共1页<1>
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