方铭
- 作品数：8 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>
- 掺杂Nd对GdFeCo薄膜的磁光性能的影响被引量：3
- 2006年
- 制备了三元GdFeCo合金薄膜和四元NdGdFeCo合金薄膜,测量了其磁饱和磁化强度对温度的依赖关系、磁滞回线以及可见光范围内的克尔谱。研究了轻稀土Nd掺杂对GdFeCo磁光薄膜的克尔旋转角的影响,发现在一定掺杂范围内能够有效提高薄膜在短波长下的克尔旋转角。掺入适量的轻稀土Nd可以使GdFeCo薄膜在短波长下的磁光性能提高,更好的适用于作为中心孔探测磁超分辨的短波长磁光读出层材料。
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- 关键词：稀土
- 热致晶化高反射率SbO_x薄膜的结构分析和光学性质被引量：4
- 2004年
- 利用直流磁控反应溅射法制备了SbOx 薄膜 ,利用X射线衍射分析仪和光谱仪分别研究了这种薄膜热致晶化的微观结构和光学性质的变化 ,并通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热实验测出不同加热速度条件下结晶峰温度 ,研究了这种薄膜的结晶动力学。发现沉积态SbOx 薄膜为非晶态 ,非晶态SbOx 薄膜在热致晶化过程中发生了两种变化 ,分别对应为较低温度下Sb晶体和较高温度下立方Sb2 O3 相的生成。退火后晶态薄膜中出现了单质Sb和Sb2 O3 ,30 0℃退火后Sb2 O3 相含量最大。晶态薄膜的反射率均高于沉积态 ,在晶态薄膜中 2 0 0℃退火的薄膜反射率最大。
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- 关键词：光存储光学性质
- 非化学计量比SbO_x薄膜的结晶动力学研究被引量：1
- 2004年
- 利用直流磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了SbOx薄膜,对退火前后薄膜的X射线衍射(XRD)分析表明,退火后薄膜结构发生了从非晶态向晶态的转变.利用示差扫描量热法(DSC)测出不同升温速度条件下非晶态薄膜粉末的晶化峰温度,用Kissinger公式计算了材料的结晶活化能.计算结果表明,随着溅射时氧分压的增加,薄膜的结晶活化能增加,而相应的非晶态与晶态之间的焓差则呈现出相反的变化趋势.
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- 关键词：无机非金属材料反应溅射XRDDSC结晶动力学
- 用于蓝光存储的无机材料的研究及进展被引量：4
- 2003年
- 光存储朝着高密度、大容量、高数据传输率方向发展。下一代的光盘记录将从目前广泛使用的红光波段向蓝光波段发展。本文综述了可用于蓝光记录的新一代超高密度光盘无机存储材料的研究现状和新进展。
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- 关键词：无机材料数据传输率
- 聚焦光斑磁光极克尔磁滞回线的热效应分析
- 2005年
- 实验设计并组建了一套磁光极克尔磁滞回线测量装置,该装置可以通过改变照射到样品上的激光功率来改变薄膜样品上被聚焦光斑照射的测试点的温度。同时通过计算模拟了激光照射在TbFeCo磁光薄膜上的温度分布情况,得到了薄膜的矫顽力随照射激光功率的变化关系,由此可以确定薄膜的居里温度和补偿温度。为研究磁光薄膜样品在各种温度条件下,磁光性能的变化以及多层磁光薄膜的磁耦合效应提供了有效的手段。
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- Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学性能和短波长静态记录特性的研究
- 2004年
- 利用直流磁控溅射制备了单层Ge2 Sb2 Te5薄膜 ,研究了薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的反射、透过光谱 ,计算了它的吸收系数 ,发现薄膜在 4 0 0～ 80 0nm波长范围内具有较强的吸收 随着薄膜厚度的增加 ,相应的禁带宽度Eg 也随之增加 对Ge2 Sb2 Te5薄膜光存储记录特性的研究发现 ,在5 14 .5nm波长激光辐照样品时 ,薄膜具有良好的写入对比度 ,擦除前后的反射率对比度在 6 %～18%范围内
- 方铭李青会干福熹
- 关键词：GE2SB2TE5薄膜光存储光学性能
- 中心孔探测磁超分辨耦合薄膜制备及性能研究
- 本文的主要内容包括以下几个方面的研究工作：非化学计量比氧化物SbOx薄膜的结构、结晶动力学、光学和短波长光存储特性研究;聚焦光斑克尔磁滞回线测试装置的搭建以及利用该装置对磁光薄膜的热效应分析;掺杂轻稀土元素Nd对GdFe...
- 方铭
- 关键词：磁光存储
- 文献传递
- 新型磁存储介质L1_0有序FePt薄膜研究综述被引量：3
- 2005年
- Ll_0有序 FePt 合金薄膜有大的各向异性能、矫顽力和饱和磁化强度,而且根据制备工艺条件的不同,其易磁化轴可以平行或垂直于膜面,因此极有可能成为下一代超高密度磁存储的介质,近年来引起了广泛的关注详细介绍了 FePt 薄膜近年来的研究结果,分析了其大矫顽力的机制、降低有序化温度、控制易磁化轴取向、降低粒子间相互作用的方法等对磁存储至关重要的问题,并对其在磁存储中的应用前景作了分析。
- 王现英方铭李青会沈德芳干福熹
- 关键词：饱和磁化强度易磁化轴合金薄膜超高密度矫顽力
