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方忠慧

作品数:9 被引量:3H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇量子
  • 4篇纳米硅
  • 3篇子线
  • 3篇量子线
  • 3篇纳米
  • 2篇低压化学气相...
  • 2篇电子束抗蚀剂
  • 2篇淀积
  • 2篇曝光机
  • 2篇气相淀积
  • 2篇纳米电子
  • 2篇纳米电子学
  • 2篇绝缘层
  • 2篇绝缘层上硅
  • 2篇抗蚀剂
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相淀积
  • 2篇分散特性
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料

机构

  • 9篇南京大学
  • 1篇东京工业大学
  • 1篇微电子有限公...

作者

  • 9篇方忠慧
  • 8篇陈坤基
  • 7篇黄信凡
  • 5篇张贤高
  • 4篇马忠元
  • 3篇刘奎
  • 3篇徐岭
  • 3篇徐骏
  • 3篇李伟
  • 2篇康琳
  • 2篇曹春海
  • 1篇王旦清
  • 1篇刘广元
  • 1篇小田俊理
  • 1篇王祥
  • 1篇严敏逸
  • 1篇孙红程
  • 1篇周江
  • 1篇钱昕晔
  • 1篇丁宏林

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇第二届全国纳...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2008
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应
2011年
基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.
张贤高方忠慧陈坤基钱昕晔刘广元徐骏黄信凡何飞
Si基低维量子结构的光电子特性研究
利用绝缘层上的硅(SOI)材料,分别制备出一维限制的单晶Si量子阱结构和二维限制的Si纳米线结构。在室温下研究了单晶Si量子阱的光致发光(PL)特性,观测到量子限制效应引起的发光峰位随阱层厚度变小的蓝移现象。对Si纳米线...
方忠慧江小帆黄信凡
关键词:光致发光性质量子限制效应
激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列
2008年
利用激光干涉结晶方法,采用周期为400nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状分布的受辐照区域发生晶化.原子力显微镜和透射电子显微镜测试结果表明:1D的nc-Si阵列的周期和移相光栅掩模一样.随着a-Si:H膜厚度从10nm降至4nm,通过控制激光的能量密度,每个周期中nc-Si条状分布区宽度可达到30nm.nc-Si条状分布区的高分辨电子显微镜照片显示出清晰的nc-Si晶格像.
姚尧方忠慧周江李伟马忠元徐骏黄信凡陈坤基宫本恭幸小田俊理
关键词:纳米硅
基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器
基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法,在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域,在注入硼离子并去除SiO<Sub>2</Sub>膜后,采用以下步骤:1)在窗口区域制备隧穿氧化层:用氯化氢氧化工...
陈坤基张贤高方忠慧马忠元黄信凡
文献传递
基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器
基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法,在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域,在注入硼离子并去除SiO<Sub>2</Sub>膜后,采用以下步骤:1)在窗口区域制备隧穿氧化层:用氯化氢氧化工...
陈坤基张贤高方忠慧马忠元黄信凡
一种制备绝缘层上硅量子线的方法
本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法,属于微纳电子学技术领域。该方法包括SOI衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤,使衬底材料的顶层形成所...
张贤高陈坤基方忠慧刘奎曹春海康琳徐岭
文献传递
控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响被引量:3
2008年
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2.eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.
丁宏林刘奎王祥方忠慧黄健余林蔚李伟黄信凡陈坤基
关键词:二氧化硅纳米硅
局域表面等离激元增强光发射中银岛膜的制备和光学特性研究
基于LED的固态光源因其工作电压低、寿命长、体积小等优点而备受青睐,但在可见光波段较低的光发射效率限制了它的进一步发展。为了研究金属岛膜吸收峰位的变化情况,本文在不同条件下制备了生长厚度为10nm、20nm和30nm的银...
严敏逸徐岭马忠元王旦清孙红程方忠慧李伟陈坤基黄信凡徐骏
关键词:固态光源银岛膜表面形貌光学性质
文献传递
一种制备绝缘层上硅量子线的方法
本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法,属于微纳电子学技术领域。该方法包括SOI衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤,使衬底材料的顶层形成所...
张贤高陈坤基方忠慧刘奎曹春海康琳徐岭
文献传递
共1页<1>
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