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张赞

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇光栅
  • 5篇模式转换器
  • 4篇光栅耦合
  • 3篇芯片
  • 3篇光电
  • 3篇波导
  • 3篇衬底
  • 2篇单模
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电光
  • 2篇电光调制
  • 2篇电光调制器
  • 2篇调谐
  • 2篇调制
  • 2篇调制器
  • 2篇对准标记
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇探测器

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇张赞
  • 15篇黄北举
  • 14篇张赞允
  • 14篇陈弘达
  • 6篇毛旭瑞
  • 2篇甘胜
  • 2篇李鹏飞
  • 1篇陈宏达

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种带宽可调的带通型光学滤波器
本发明公开了一种带宽可调的带通型光学滤波器，包括：一个主环形谐振器(11)；两个副环形谐振器分别位于主环形谐振器(11)两侧，作为输入环形谐振器(12)和输出环行谐振器(13)；两个加热器(14)，分别位于输入环形谐振器...
陈宏达张赞黄北举程传同
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电可调谐光栅耦合器
一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器...
陈弘达张赞允黄北举张赞
电可调谐光栅耦合器
一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器...
陈弘达张赞允黄北举张赞
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一种芯片表面污物清洁处理的方法
本发明公开了一种全新的芯片表面污物清洁处理的方法，包括步骤：将待清理芯片在烘箱中烘烤第一预定时间；将待清理芯片在室温下冷却后置于热板上；在冷却后的待清理芯片上放置一限位框，所述限位框具有一中空部分，用于在所述待清理芯片表...
黄北举程传同张赞张赞允毛旭瑞陈弘达
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无源光限幅器
一种无源光限幅器，包括：一基底，该基底上面开有一凹槽；一输入光路，其制作在基底上面的一侧，一端探入到凹槽上；一输出光路，其制作在基底上面的另一侧，一端探入到凹槽上，该输入光路和输出光路之间有一狭缝，形成镜面微腔；一光输入...
黄北举程传同张赞张赞允毛旭瑞甘胜李鹏飞陈弘达
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基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器
一种基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器，包括：一个对称垂直耦合光栅，作为SOI基电光调制器与单模光纤的接口或耦合器和SOI基电光调制器输入端的3-dB光学分束器；两个模式转换器，作为对称垂直耦合光栅处宽波导与单模脊...
陈弘达张赞允黄北举张赞
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一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器
本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作...
黄北举程传同张赞张赞允陈弘达
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采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法
一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部...
黄北举张赞张赞允程传同毛旭瑞陈弘达
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基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器
一种基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器，包括：一个垂直耦合光栅；两个模式转换器，分别制作在垂直耦合光栅的两侧，实现近似无损耗的能量传输以及模式转换；两个单模脊型波导，其分别与两个模式转换器的一端连接；一个光学合束...
黄北举张赞张赞允陈弘达
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采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法
一种采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，包括如下步骤：步骤1：提供CMOS集成电路芯片；步骤2：在CMOS集成电路芯片上表面制备二氧化硅层；步骤3：对二氧化硅层进行平坦化处理；步骤4：在二氧化硅层上表面制备光电器件层...
黄北举张赞张赞允陈弘达
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