张新
- 作品数：14 被引量：30H指数：4
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学建筑科学更多>>
- 改善SOICMOS集成电路高温性能的研究
- 2006年
- 介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的物理效应和结构因素。为实现良好的高温性能,提出了沟道下用氮化铝作埋层以替代常规二氧化硅埋层的SOI器件新结构,并和以二氧化硅为埋层结构的器件特性进行了对比,对它们高温输出性能和沟道内晶格温度进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果。
- 张新高勇安涛刘梦新
- 关键词：CMOS电路高温性能
- 基于SOI材料的兵器微电子技术应用分析被引量：1
- 2005年
- 随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制。而基于SOI材料的微电子技术是能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,是国际半导体的前沿技术之一,是发展兵器装备用元器件的又一关键材料技术。介绍了SOI材料结构技术用于微电子器件的优势、SOI结构及基于SOI结构材料的兵器微电子技术应用,展望了SOI技术的发展前景。
- 张新高勇王彩琳邢昆山安涛
- 关键词：SOI材料SOI结构半导体集成电路
- 薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化被引量：4
- 2006年
- 在300～600K温度范围内,利用ISETCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOICMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN DSOI结构.结果显示,SOICMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.
- 刘梦新高勇张新王彩琳杨媛
- 关键词：全耗尽自加热效应高温瞬态特性DSOI
- 收集利用道路雨水进行绿化带渗灌的排水廊道结构
- 本发明公开了收集利用道路雨水进行绿化带渗灌的排水廊道结构，包括设置于车行道外侧的绿化带，车行道和绿化带之间沿车行道的长度方向设置有路缘石，路缘石沿其长度方向间隔开设有若干个雨水进口构件，在地面下方位于路缘石靠近绿化带的一...
- 李山张新白鑫龙张磊王倩仵苗
- 农田生态排水沟
- 本发明公开了一种农田生态排水沟，包括农田土坡，农田土坡底部设置有储水箱，储水箱顶部铺设有过滤层，储水箱长度方向的外侧底部安装有排水管，排水管长度方向的两侧沿储水箱底部向上固定有过水管，过水管高度低于储水箱的高度，过水管的...
- 李山白鑫龙吴舒然张新张磊王倩
- 用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路
- 2005年
- 在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明 :1.2 μm器件 10 1级环振单门延迟为 2 5 2 ps ,总延迟为 5 4.2ns .电路静态功耗约为 3mW ,动态功耗为
- 张新高勇刘善喜安涛徐春叶
- 关键词：互补型金属氧化物半导体绝缘硅栅氧化动态功耗静态功耗
- 硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展被引量：4
- 2005年
- 综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。
- 王彩琳高勇张新
- 关键词：硅直接键合电力电子器件集成门极换流晶闸管
- 基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究被引量：2
- 2006年
- 介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率提高三倍,静态功耗仅为体硅电路的10%,且电路的101级环振总延迟时间也仅为体硅电路的20%,实现了电路对高速低功耗的要求。
- 张新刘梦新高勇洪德杰王彩琳邢昆山
- 关键词：全耗尽SOICMOSLDD结构
- SOI器件高温环境实验智能控制系统
- 2007年
- 本文介绍了基于总线集成控制技术设计的SOI器件高温环境实验装置的智能控制系统。该系统集信号检测、实时全程监控、自动记录及故障报警等功能于一体,完全满足SOI器件对高温环境实验的要求。实验表明,经过该系统测试后的产品性能,在可靠性、精确度和工作效率等方面,比现有人工定时定机监测方式有明显的改善和提高。
- 张新王峙卫高勇安涛刘梦新
- 关键词：SOI器件总线
- 基于等效电容法对SOI器件自加热效应研究被引量：1
- 2006年
- 针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题,提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点,对抑制自加热效应原理进行了新的解析,根据埋层材料的介电常数不同,按等效电容法进行埋层厚度折算。在此基础上,提出了SOI器件的埋层新结构,并从介电常数的角度较好地验证了提出观点的正确性。最后得到,高介电常数等效埋层厚度的减小利于热泄散,高热导率的埋层材料提高了导热能力,在双重因素作用下有效抑制了自加热效应。
- 高勇张新刘梦新安涛王彩琳邢昆山
- 关键词：自加热效应介电常数
