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机构

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作者

  • 7篇张文吉
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年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
电沉积CdS纳米膜的研究
为了制备性能更好的太阳能电池窗口材料,本文研究了工艺条件对电化学方法制备硫化镉纳米膜的影响,对CdS纳米膜的形貌、结构、组成等进行了分析,并测试了其性能,探讨了CdS纳米膜的电沉积形成机理。研究表明,影响粒径的主要因素是...
张文吉
关键词:太阳能电池电沉积
文献传递
一种偏移增强型动态无线充电结构
本发明公开了一种偏移增强型动态无线充电结构。所述电网与功率因数校正PFC/主动式功率因素校正APFC相连接,所述功率因数校正PFC/主动式功率因素校正APFC与高频逆变器相连接,所述高频逆变器与补偿拓扑Ⅰ相连接,所述补偿...
张剑韬刘滢王志远董帅宋凯朱春波张文吉
硫代乙酰胺体系电沉积法制备CdS纳米膜被引量:7
2005年
CdS是典型的Ⅱ~Ⅵ族半导体,由于它在光催化[1]、光电转换[2]、光化学转换[3]方面表现出诱人的应用前景,因而CdS半导体材料的制备和表征一直受到人们关注.硫化镉半导体材料的用途不同,制备体系一般也不同,主要包括硫代乙酰胺体系[4]、硫代硫酸盐体系[5]、二硫化碳体系[6]、硫氰酸盐体系[7]、硫脲体系[8]、单质硫的有机溶剂体系[9]等.
栾野梅安茂忠张文吉乐士儒杨敏
关键词:硫代乙酰胺CDCL2纳米膜电沉积法SEM
电沉积方法制备银纳米薄膜的研究被引量:2
2005年
通过对甲磺酸银体系和硝酸银体系中电沉积制备银纳米膜时的电沉积速率的比较及对所得纳米膜形貌的分析发现,在相同工艺条件下,硝酸银体系中得到的银纳米膜晶粒粒径比较小,膜的生长速率较快。选定硝酸银体系为电沉积体系,考察了槽压、电解液的浓度和温度及电解液的pH值对电沉积制备纳米膜的影响,确立了电沉积制备银纳米膜的最佳电解液组成及工艺条件。
安茂忠栾野梅乐士儒张文吉
关键词:电沉积形貌
银纳米膜的电化学制备方法及性能表征被引量:7
2006年
采用电沉积方法在表面活性剂与电解液的界面上制备了银纳米膜。通过对甲磺酸银体系和硝酸银体系中纳米银膜的电沉积速率及纳米银膜颗粒进行比较发现,相同条件下硝酸银体系得到的纳米膜晶粒粒径比较小,膜的生长速率较快。选定硝酸银体系为电沉积体系。考察了槽压、电解液的浓度和温度及溶液的pH值对制备银纳米膜的影响,确立了制备银纳米膜的最佳工艺条件为硝酸银浓度5 mm o l/L,槽压4 V,pH 3.0,硬脂酸的质量浓度0.2 g/L。实验表明,最佳工艺条件下制备的银纳米膜晶粒粒径均匀,平均粒径在20 nm左右,近似球形。本方法制备的银纳米膜将在非线性光学材料方面得到应用。
安茂忠栾野梅乐士儒张文吉
关键词:电沉积粒径
CdS纳米半导体薄膜的光电性能
以不同摩尔比的氯化镉与硫代乙酰胺混合溶液为电解液,应用电沉积技术,在表面活性剂与电解液的液/液界面之间制备CdS纳米薄膜。研究了原料比例,槽压,沉积温度,电解液酸碱度对纳米膜光电性能的影响,确立了制备CdS纳米半导体薄膜...
栾野梅安茂忠乐士儒张文吉
关键词:电沉积CDS纳米膜
文献传递
一种偏移增强型动态无线充电结构
本发明公开了一种偏移增强型动态无线充电结构。所述电网与功率因数校正PFC/主动式功率因素校正APFC相连接,所述功率因数校正PFC/主动式功率因素校正APFC与高频逆变器相连接,所述高频逆变器与补偿拓扑Ⅰ相连接,所述补偿...
张剑韬刘滢王志远董帅宋凯朱春波张文吉
文献传递
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