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张国俊

作品数:114 被引量:146H指数:6
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信电气工程机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 59篇期刊文章
  • 48篇专利
  • 7篇会议论文

领域

  • 65篇电子电信
  • 10篇电气工程
  • 7篇机械工程
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主题

  • 35篇电路
  • 16篇带隙基准
  • 10篇电源
  • 10篇抑制比
  • 10篇芯片
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  • 9篇电压
  • 9篇电源抑制
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  • 8篇功耗
  • 8篇放大器
  • 7篇低功耗
  • 7篇电路设计
  • 7篇电源抑制比
  • 7篇振荡器
  • 7篇基准电压
  • 6篇带隙基准电路
  • 6篇低压差
  • 6篇增益

机构

  • 114篇电子科技大学

作者

  • 114篇张国俊
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  • 3篇陆定红

传媒

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  • 10篇微电子学与计...
  • 6篇电子产品世界
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  • 1篇科学通报
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  • 1篇半导体光电
  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 3篇2024
  • 6篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 15篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 10篇2017
  • 15篇2016
  • 9篇2015
  • 8篇2014
  • 10篇2013
  • 7篇2012
  • 8篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
114 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
反熔丝FPGA配置电路的研究被引量:3
2015年
反熔丝FPGA的编程过程是对可编程逻辑模块进行配置的过程,具体过程是利用配置电路对连接在逻辑模块输入、输出端口的反熔丝单元施加高压,将其击穿形成连接通路,从而使得逻辑模块连接在信号线上.位流数据控制配置电路完成反熔丝单元的预充电、寻址、加压以及编程过程.通过控制晶体管的打开和关断及复用编程通道,可以实现不同类型反熔丝的编程,并简化配置电路的设计规模.测试结果表明,配置电路可靠地完成了反熔丝的编程功能.
张伟杜涛张国俊
关键词:反熔丝FPGA编程
一种高CMRR高增益运算放大器的设计
2015年
设计了一种基于TSMC 0.5μm工艺的高共模抑制比、高增益运算放大器。针对该运放的结构,提出了相应的频率补偿方法,使得电路具有较好的稳定性。该运放可用于生物电势信号检测等对共模抑制比要求较高的场合。仿真结果表明,电路的共模抑制比高达137dB,低频增益为117dB,单位增益带宽为6.36 MHz,功耗仅为227μW。
何泽炜郭俊张国俊
关键词:高增益运算放大器频率补偿
高阶Sigma-Delta调制器设计方法
基于经验性设计法则并借助Matlab的科学计算功能,本文提出了一种用于高阶Sigma-Delta调制器设计的高效设计方法。该方法以带外增益和最大输入umax作为设计参数,通过调控这两个设计参数,可以快速地设计出稳定的高阶...
黄成德张国俊
文献传递
一种DC-DC转换器中斜坡与反斜坡补偿电路的设计被引量:1
2015年
介绍了一种基于2μm BJT工艺的斜坡和反斜坡补偿电路.分析了分段线性斜坡补偿给负载能力带来的影响,提出了反斜坡补偿电路结构.该结构在保证斜坡补偿的补偿效果情况下,消除了斜坡补偿使峰值限制电流下降的缺点,有效地提高了电路的负载能力.最后基于2μm BJT工艺对电路进行了仿真,得到了较为理想的结果.
万超代辛恩张国俊
关键词:峰值电流
一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法
本发明涉及微电子技术领域,一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法,包括以下步骤:(1)使用标准RCA清洗碳化硅片,并用氮气吹干;(2)采用干法刻蚀在碳化硅外延层表面进行刻蚀;(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、A...
许龙来钟志亲余鹏王文昊张国俊戴丽萍王姝娅王志明宋文平夏万顺
一种精密运放的数字修调技术
2020年
提出了一种数字修调技术,该技术将数字电路与模拟电路相结合,利用数字电路可精确控制的特性,设计了一种输出修调电流与输入修调信号一一对应的失调校准技术。采用该结构设计的运算放大器通过测试失调电压的大小,并计算出相应的输入修调信号,最终能使运放的失调电压减小到V量级。
许凌飞张国俊王婧
关键词:失调电压运算放大器精确控制
一种用于高效buck变换器多工作模式自适应的控制逻辑电路
一种应用于开关电源管理技术的多工作模式自适应的控制逻辑电路,属于模拟电源领域。本发明提出的多工作模式控制逻辑电路,能使Buck开关电源通过一个外部引脚,实现四种不同的工作模式的自动切换,既能减小封装引脚数量,又具有很强的...
张国俊阮贵林王凯
一种高PSR快速瞬态响应双模式无片外电容LDO
本专利提出一种高PSR快速瞬态响应,有两种工作模式的无片外电容LDO,适用于数模混合芯片内部数字部分的供电。该设计基于0.13um CMOS工艺,内部可以分为前级降压器和后级降压器,其中前级降压包含前级带隙基准,前级误差...
张国俊张文明秦逸飞张轩溥罗建鑫
文献传递
Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究
2014年
在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示,600℃退火后LO峰强度最强,认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明,600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时,漏电流密度仅仅只有5×10?8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO2的致密性。
钟志亲孙子茭葛微微郑禄达王姝娅戴丽萍张国俊
关键词:4H-SIC退火温度致密性SIO2
一种低噪声,快速启动的低压差线性稳压器
本发明提出一种低噪声,快速启动的低压差线性稳压器,属于电源管理领域。包括:带隙基准电压源、预调整模块、低通滤波器和误差放大器。带隙基准电压源为预调整放大器提供稳定的基准电压;预调整模块包括误差放大器、电阻分压网络,带隙基...
张国俊陈远龙
文献传递
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