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张国俊

作品数:113 被引量:139H指数:5
供职机构:电子科技大学更多>>
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相关领域:电子电信电气工程机械工程文化科学更多>>

文献类型

  • 59篇期刊文章
  • 47篇专利
  • 7篇会议论文

领域

  • 65篇电子电信
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  • 7篇机械工程
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  • 2篇文化科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 35篇电路
  • 16篇带隙基准
  • 10篇芯片
  • 10篇集成电路
  • 9篇电压
  • 9篇电源
  • 9篇抑制比
  • 8篇电极
  • 8篇电容
  • 8篇电源抑制
  • 8篇功耗
  • 8篇放大器
  • 7篇低功耗
  • 7篇电路设计
  • 7篇振荡器
  • 7篇基准电压
  • 6篇带隙基准电路
  • 6篇电源抑制比
  • 6篇增益
  • 6篇温度系数

机构

  • 113篇电子科技大学

作者

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传媒

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  • 10篇微电子学与计...
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  • 1篇物理学报
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  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 2篇2024
  • 6篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 15篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 10篇2017
  • 15篇2016
  • 9篇2015
  • 8篇2014
  • 10篇2013
  • 7篇2012
  • 8篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
113 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
反熔丝FPGA配置电路的研究被引量:3
2015年
反熔丝FPGA的编程过程是对可编程逻辑模块进行配置的过程,具体过程是利用配置电路对连接在逻辑模块输入、输出端口的反熔丝单元施加高压,将其击穿形成连接通路,从而使得逻辑模块连接在信号线上.位流数据控制配置电路完成反熔丝单元的预充电、寻址、加压以及编程过程.通过控制晶体管的打开和关断及复用编程通道,可以实现不同类型反熔丝的编程,并简化配置电路的设计规模.测试结果表明,配置电路可靠地完成了反熔丝的编程功能.
张伟杜涛张国俊
关键词:反熔丝FPGA编程
一种高CMRR高增益运算放大器的设计
2015年
设计了一种基于TSMC 0.5μm工艺的高共模抑制比、高增益运算放大器。针对该运放的结构,提出了相应的频率补偿方法,使得电路具有较好的稳定性。该运放可用于生物电势信号检测等对共模抑制比要求较高的场合。仿真结果表明,电路的共模抑制比高达137dB,低频增益为117dB,单位增益带宽为6.36 MHz,功耗仅为227μW。
何泽炜郭俊张国俊
关键词:高增益运算放大器频率补偿
高阶Sigma-Delta调制器设计方法
基于经验性设计法则并借助Matlab的科学计算功能,本文提出了一种用于高阶Sigma-Delta调制器设计的高效设计方法。该方法以带外增益和最大输入umax作为设计参数,通过调控这两个设计参数,可以快速地设计出稳定的高阶...
黄成德张国俊
文献传递
一种DC-DC转换器中斜坡与反斜坡补偿电路的设计被引量:1
2015年
介绍了一种基于2μm BJT工艺的斜坡和反斜坡补偿电路.分析了分段线性斜坡补偿给负载能力带来的影响,提出了反斜坡补偿电路结构.该结构在保证斜坡补偿的补偿效果情况下,消除了斜坡补偿使峰值限制电流下降的缺点,有效地提高了电路的负载能力.最后基于2μm BJT工艺对电路进行了仿真,得到了较为理想的结果.
万超代辛恩张国俊
关键词:峰值电流
一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法
本发明涉及微电子技术领域,一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法,包括以下步骤:(1)使用标准RCA清洗碳化硅片,并用氮气吹干;(2)采用干法刻蚀在碳化硅外延层表面进行刻蚀;(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、A...
许龙来钟志亲余鹏王文昊张国俊戴丽萍王姝娅王志明宋文平夏万顺
一种精密运放的数字修调技术
2020年
提出了一种数字修调技术,该技术将数字电路与模拟电路相结合,利用数字电路可精确控制的特性,设计了一种输出修调电流与输入修调信号一一对应的失调校准技术。采用该结构设计的运算放大器通过测试失调电压的大小,并计算出相应的输入修调信号,最终能使运放的失调电压减小到V量级。
许凌飞张国俊王婧
关键词:失调电压运算放大器精确控制
一种用于高效buck变换器多工作模式自适应的控制逻辑电路
一种应用于开关电源管理技术的多工作模式自适应的控制逻辑电路,属于模拟电源领域。本发明提出的多工作模式控制逻辑电路,能使Buck开关电源通过一个外部引脚,实现四种不同的工作模式的自动切换,既能减小封装引脚数量,又具有很强的...
张国俊阮贵林王凯
一种高PSR快速瞬态响应双模式无片外电容LDO
本专利提出一种高PSR快速瞬态响应,有两种工作模式的无片外电容LDO,适用于数模混合芯片内部数字部分的供电。该设计基于0.13um CMOS工艺,内部可以分为前级降压器和后级降压器,其中前级降压包含前级带隙基准,前级误差...
张国俊张文明秦逸飞张轩溥罗建鑫
文献传递
Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究
2014年
在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示,600℃退火后LO峰强度最强,认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明,600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时,漏电流密度仅仅只有5×10?8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO2的致密性。
钟志亲孙子茭葛微微郑禄达王姝娅戴丽萍张国俊
关键词:4H-SIC退火温度致密性SIO2
一种低噪声,快速启动的低压差线性稳压器
本发明提出一种低噪声,快速启动的低压差线性稳压器,属于电源管理领域。包括:带隙基准电压源、预调整模块、低通滤波器和误差放大器。带隙基准电压源为预调整放大器提供稳定的基准电压;预调整模块包括误差放大器、电阻分压网络,带隙基...
张国俊陈远龙
文献传递
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