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张丽

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：山东达驰电气有限公司更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程

主题

  • 10篇变压
  • 10篇变压器
  • 5篇绕组
  • 4篇电流
  • 2篇大型变压器
  • 2篇导线
  • 2篇三相五柱
  • 2篇三相五柱式
  • 2篇铁轭
  • 2篇牵引变压器
  • 2篇绕组电流
  • 2篇自耦
  • 2篇自耦变压器
  • 2篇组合结构
  • 2篇空载
  • 2篇空载性能
  • 2篇公共
  • 2篇公共绕组
  • 2篇变压器组
  • 2篇变压器组件

机构

  • 11篇山东达驰电气...

作者

  • 11篇张丽
  • 6篇董景义
  • 5篇李杰
  • 3篇王瑞娥
  • 2篇祝真涛
  • 2篇张衍敏
  • 2篇郭勤彪
  • 1篇曹祥河
  • 1篇胡慧忠
  • 1篇段慧
  • 1篇邵珠雪
  • 1篇陈尔刚
  • 1篇段玉柱
  • 1篇王江涛
  • 1篇魏明跃
  • 1篇陈山
  • 1篇白峰君
  • 1篇梁敦成
  • 1篇程全力

传媒

  • 1篇变压器
  • 1篇第九届全国变...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种110kV变压器内绕组结构
本实用新型的110kV变压器内绕组的新型结构，主要包括导线、撑条、端圈；绕组呈圆筒形；绕组包括高压绕组和低压绕组，低压绕组套在铁芯上，高压绕组套在低压绕组外侧，它们安装在变压器箱体内；低压绕组中，导线绕制分为四层线圈，四...
张衍敏张丽邵珠雪陈山祝建立
750kV自耦变压器公共绕组电流计算分析被引量：3
2014年
以750k V自耦变压器为例,分别采用三种方法,对三侧同时满容量运行时公共绕组电流进行了计算;并利用三维软件,对三侧非全满容量运行条件下,公共绕组中的电流作了进一步研究。
董景义李杰张丽
关键词：自耦变压器公共绕组电流
一种变压器散热系统的固定结构
本实用新型涉及变压器固定支架领域，特别公开了一种变压器散热系统的固定结构。该变压器散热系统的固定结构，包括连接管，其特征在于：所述若干个连接管连接组成两根等高的长管；两长管呈等边三角形设置，底端分别固定连接在支架底座上，...
张丽陈兴新曹祥河程全力
文献传递
变压器垫脚固定装置
本实用新型属于变压器组件，涉及一种变压器垫脚固定装置，包括定位钉，定位钉向下依次插接在垫脚和垫脚绝缘板内，定位钉外部与垫脚的接触处包有成型绝缘件，成型绝缘件外部捆扎有绝缘绑扎带。本实用新型的有益效果是，该装置确保垫脚与箱...
董景义李杰张丽白峰君
文献传递
750kV自耦变压器公共绕组电流计算分析
以750kV自耦变压器为例，分别采用了三种方法，对三侧同时满容量运行时公共绕组电流进行了计算；并利用三维软件，对三侧非全满容量运行条件下，公共绕组中的电流作了进一步研究。
董景义李杰张丽
关键词：自耦变压器公共绕组电流
变压器温度计用复合传感器防护罩
本实用新型的变压器温度计用复合传感器防护罩，其特殊之处在于：包括罩在复合传感器上面的护罩，护罩通过若干根螺杆支撑固定在变压器箱盖上。螺杆上端通过螺母和垫片安装护罩，螺杆下端通过连接座焊接在变压器箱盖上。本实用新型的有益效...
董景义张丽魏明跃
文献传递
大型变压器铁芯片形组合结构
本实用新型的大型变压器铁芯片形组合结构，包括主柱铁芯片，旁柱铁芯片，主柱上、下铁轭铁芯片，旁柱上、下铁轭铁芯片，其特殊之处在于：旁柱铁芯片及旁柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的42～50％，主柱上、下铁轭铁芯片的截面积为...
董景义李杰王瑞娥张丽郭勤彪
文献传递
Vv联结牵引变压器的引线结构
本实用新型属于变压器，涉及一种Vv联结牵引变压器的引线结构，其特殊之处在于：两台单向牵引变压器组合，两个高压组相邻铁芯柱上的绕组首端直接相连引出；一低压组绕向与另外一低压组绕向相反，两个低压组相邻铁芯柱上的绕组绕向相同，...
张丽段慧祝真涛陈尔刚胡慧忠
文献传递
变压器大电流升高座结构
本实用新型属于变压器组件，涉及变压器大电流升高座结构，包括上法兰、下法兰和安装在上法兰与下法兰之间的低压升高座筒壁，上法兰上通过若干个低压套管贯穿安装有若干条出线，下法兰上贯穿安装有与出线对应的若干条引线，低压升高座筒壁...
祝真涛段玉柱王江涛王瑞娥张丽
文献传递
大型变压器铁芯片形组合结构
本发明的大型变压器铁芯片形组合结构，包括主柱铁芯片，旁柱铁芯片，主柱上、下铁轭铁芯片，旁柱上、下铁轭铁芯片，其特殊之处在于：旁柱铁芯片及旁柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的42～50％，主柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱...
董景义李杰王瑞娥张丽郭勤彪
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