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张中伟
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8
被引量:2
H指数:1
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中国科学技术大学
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合作作者
朱长飞
中国科学院
刘伟丰
中国科学技术大学
李纪
中国科学技术大学
郭宏艳
中国科学技术大学
朱长弋
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中国科学院
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张中伟
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铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用
本发明公开一种铜铟硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后,利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上...
朱长飞
张中伟
刘伟丰
金属预制层对CuIn1-xGaxSe2薄膜性能的影响
2010年
在镀有Mo的纳钙玻璃衬底上顺序溅射沉积CuGa/In/CuGa层,然后在真空下520℃硒化40min,制备成CIGS薄膜.通过调整预制层的底层和表层的溅射沉积CuGa层的厚度比,制备不同的CIGS薄膜.通过X射线衍射谱、拉曼谱、电子能谱、平面和断面SEM的分析,揭示出CIGS薄膜是黄铜矿相的结构,晶粒0.5—2μm,且由硒化CuGa/In/CuGa厚度比为7:20:3的金属预制层后的CIGS薄膜的结晶性最好.拉曼光谱表明,没有In—Se二元化合物相和有序缺陷化合物相.
王满
张中伟
江国顺
朱长飞
关键词:
CIGS薄膜
溅射
量子效率
铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法与应用
本发明公开一种铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后,利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟镓硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法...
朱长飞
张中伟
刘伟丰
刚性衬底上铜铟硒纳米棒阵列的合成与表征
2011年
在覆盖有钨电极的硅衬底上利用多孔阳极氧化铝模板为生长掩膜电沉积合成垂直排列的铜铟硒纳米棒阵列.多孔阳极氧化铝模板由阳极氰化磁控溅射制备的铝膜制成.扫描电子显微镜结果表明,该纳米棒阵列结构致密,直径约100nm长度约1um,纵横比为10.X射线衍射、微区拉曼光谱和高分辨透射电子显微镜结果表明,真空条件下450℃退火处理的铜铟硒纳米棒是多晶纯相的黄铜矿结构的铜铟硒,存纳米棒轴向方向上有比较大的晶粒尺寸.能量色散X射线光谱表明,铜铟硒纳米棒的化学组成接近InSe2的化学计量比,由吸收光谱分析推算铜钠硒纳米棒带隙为0.96eV.
张中伟
李纪
刘纪磊
朱长弋
关键词:
电沉积
多孔氧化铝模板
电沉积一退火工艺制备铜铟硒太阳能电池薄膜及表征
被引量:1
2011年
利用电沉积硒气氛下后续退火的工艺制备出了高结晶质量的铜铟硒薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱、紫外-可见-近红外光谱和阻抗谱技术对退火后的铜铟硒薄膜进行表征,结果表明530℃硒化退火后的铜铟硒薄膜具有四方的黄铜矿晶体结构,晶粒尺寸达到微米量级,光学带隙为0.98eV,经过KCN溶液去除表面高导电性的铜硒化合物后铜铟硒薄膜的载流子浓度在1016cm-3量级.利用硒化退火的铜铟硒薄膜作为光吸收层制备了结构为AZO/i-ZnO/CdS/CIS/Mo/glass的太阳能电池,在AM1.5光照条件下对其电流-电压特性测试后发现面积为0.2cm2的电池可以达到0.96%的能量转换效率,并对限制电池效率的原因做出了初步的分析和讨论.
张中伟
郭宏艳
李纪
朱长飞
关键词:
铜铟硒薄膜
电沉积
退火
太阳能电池
铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法与应用
本发明公开一种铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后,利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟镓硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法...
朱长飞
张中伟
刘伟丰
文献传递
电沉积制备铜铟硒薄膜太阳能电池及纳米线的生长与性质研究
铜铟硒(CulnSe2简称CIS)基太阳能电池由于其高转换效率、性能稳定、弱光性能好等优点得到国际光伏界的广泛关注,极有潜力在将来的能源市场中占据一席之地。然而CIS基电池的商业化还有一些障碍,在发电中每瓦的成本还高于传...
张中伟
关键词:
电沉积
氧化铝模板
铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用
本发明公开一种铜铟硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后,利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上...
朱长飞
张中伟
刘伟丰
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