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应磊莹: 作品数：57 被引量：13H指数：2; 供职机构：厦门大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

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一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法: 本发明公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。其中，所述发射激光器从上至下依序包括曲面介质膜DBR、谐振腔层、平面介质膜DBR，还包括：平面衬底，该平面衬底设置于平面介质膜DBR远离谐振腔层一侧；该平面衬底用于...; 梅洋石磊应磊莹张保平

一种氮化物半导体发光器件及其制备方法: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭...; 张保平曾勇平龙浩应磊莹张江勇; 文献传递

一种衍射光学元件的制作方法: 一种衍射光学元件的制作方法，涉及微光学器件的制作。1)在基片上制作金属层；2)涂胶，光刻显影，腐蚀出金属层作为刻蚀掩膜，该金属层直径为微透镜最外层环带外径；3)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第一个环带；4)第二次涂胶，背面...; 张保平左海杰张江勇应磊莹; 文献传递

一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法: 一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法，涉及半导体发光二极管器件。在衬底上形成过渡层；采用单一外延生长技术或各种外延生长技术的组合在过渡层上生长LED外延片；采用沉积技术在上述LED外延片上沉积厚度在10～200nm...; 龙浩冯笑杰田梦飞张保平应磊莹; 文献传递

垂直结构GaN基LED用Ni/Ag反射镜电极: 2017年; Ni/Ag/Ti/Au金属系反射镜电极广泛用于GaN基垂直结构发光二极管(LED)的传统制造工艺。这种电极需要进行高温长时间整体退火才能获得高质量的欧姆接触,但对电极的反射率和器件性能影响较大。介绍了一种新工艺方法,该方法将电极分解为接触层和反射层,降低反射层经历的退火温度和时间,获得了拥有良好的欧姆接触特性和高反射率的反射镜电极,解决了传统电极光学性能和电学性能相互制约的问题。首先生长极薄的Ni/Ag作为接触层,对接触层进行高温长时间退火后再生长厚层Ag作为反射层,之后再进行一次低温退火。使得对反射起主要作用的反射层免于高温长时间退火,相较于传统Ni/Ag/Ti/Au电极,该方法在获得更优良的欧姆接触的同时,提升了电极的反射率。在氧气氛围下进行500℃接触层退火3 min,400℃整体退火1 min后,电极的比接触电阻率为1.7×10^(-3)Ω·cm^2,同时在450 nm处反射率为93%。; 卜庆典周伦茂龙浩应磊莹郑志威张保平; 关键词：GAN基LED 比接触电阻率

一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法: 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬...; 应磊莹王灿张保平许荣彬徐欢; 文献传递

一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法: 一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片。所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片自下而上包括支撑基底、P型电极层、P型GaN基材料层、多量子阱层、N型GaN基材料层和N型电极。在外延片表面镀P型金属...; 张保平陈明张江勇应磊莹; 文献传递

一种漫反射式激光照明装置: 一种漫反射式激光照明装置，包括激光照明模块、入射激光光源和反射层；激光照明模块设有激光照明模块内环和激光照明模块外环，激光照明模块内环为混有漫反射颗粒的漫反射层，激光照明模块外环为混有漫反射颗粒和荧光粉颗粒的荧光粉层；入...; 骆倩楠刘宝林应磊莹张保平

基于倏逝波的光波导放大器及其制备方法: 本发明公开了基于倏逝波的光波导放大器及其制备方法，光波放大器包括衬底层、波导层和有源层；其中，所述波导层和所述有源层依序层叠设置在衬底层上，且所述有源层将波导层包覆其中，所述波导层的折射率大于衬底层；另外，所述波导层的两...; 张丹朱纪云张保平应磊莹吕子月黄宇扬; 文献传递

一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p-GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P-GaN薄膜上方沉...; 张保平曾勇平张江勇应磊莹