崔冬萌
- 作品数：25 被引量：41H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划吉林省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 应力作用下Ru2Si3电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functioilaltheory)赝势平面波方法，对应力下Ru2si3的能带结构，态密度及光学性质进行了理论计算并做了详细比较。结果表明：随着Ru2si3正应力的逐渐增...
- 崔冬萌贾锐陈保钦谢泉
- 关键词：硅化物电子结构光学性质
- 基于μC／OS的嵌入式系统中的触摸屏驱动及其应用
- 2008年
- μC／OS是源码公开的实时嵌入式操作系统，可移植，可固化，可裁减，该文重点介绍了在该系统下，触摸屏的工作原理及触摸屏的驱动及应用，并同时给出了设计方法。
- 周文娟崔冬萌付姗姗
- 关键词：触摸屏嵌入式接口
- 异质结背结触(HJ-BC)电池的关键参数优化研究
- 全异质结背接触太阳电池结合了异质结电池高开路电压与背接触电池高短路电流的优势,有望在晶体硅电池领域实现新的突破.本文设计了背结异质结电池,研究了表面复合、电极接触等对电池性能的影响.模拟计算表明,背表面复合速率决定了背结...
- 丁武昌贾锐崔冬萌乔秀梅王仕建金智刘新宇
- 关键词：物理性能计算机模拟结构优化
- 文献传递
- 梯度掺杂对n型异质结太阳能电池性能的影响被引量：2
- 2013年
- 通过仿真软件AFORS-HET对a-Si∶H(p)/i-a-Si∶H/c-Si(n)异质结太阳能电池的光伏特性进行分析及优化,主要对比了a-Si∶H(p)层的均匀掺杂和表面掺杂浓度D1=1×1020cm-3>界面掺杂浓度D2=4×1019cm-3的梯度掺杂情况时的光伏特性,实现了在梯度掺杂时22.32%的光电转换效率。与均匀梯度掺杂相比,发射层的梯度掺杂除了引入一个附加电场,还优化了能带结构、光谱响应、表面复合速率。结果表明,梯度掺杂可以有效地改善电池的光电转换性能。
- 崔冬萌贾锐丁武昌张烨A.W.Weeber宋世庚
- 关键词：梯度掺杂光伏特性
- Ru_(0.9375)Mn_(0.0625)Si_3的电子结构及光学性质研究
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺入Mn的电子结构和光学性质进行了研究。计算结果表明:掺入这种杂质使得Ru2Si3的晶胞体积均有所增大。Ru2Si3中掺入Mn时,Mn原子替换RuI位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为p型,静态介电函数1(0)非常大,同时折射率n0的值变化较大,达到了17.722。
- 崔冬萌贾锐谢泉赵珂杰
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程调查
- 2009年
- 本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校占64%,使用通用教材的高校占78%,认为开设此类课程有必要性的高校占95%,认为对学生就业和继续深造有作用的高校为100%。调查结果为电子科学与技术专业教学指导分委员会制定专业规范和发展战略提供了数据依据。
- 谢泉陈茜肖清泉高冉张晋敏崔冬萌李旭珍
- 关键词：电子科学与技术专业百分比
- Rh掺杂的Ru_2Si_3的电子结构及光学性质被引量：2
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0)=25.201 4,折射率n0的值有所增大为5.02。
- 崔冬萌贾锐谢泉赵珂杰
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 环境友好半导体Ca_2Si晶体生长及其性能研究被引量：1
- 2008年
- 环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等。综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料,因此,提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想。展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。
- 崔冬萌任雪勇谢泉付姗姗周文娟
- 关键词：太阳能电池
- 红外吸收半导体材料Ru2Si3 的理论模拟和光学性质研究
- 文根据纳米柱减反阵列电池市场的兴盛及其对光的全波段吸收性能的需求,利用Ru2Si3 材料的特殊性质,构建具有光谱上转换功能的减反材料,旨在提高纳米柱电池其红外光波段的响应.得到Ru2Si3 的直接带隙宽度为0.51eV,...
- 崔冬萌贾锐丁武昌乔秀梅
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- Ru_2Si_3电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：9
- 2009年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态介电函数ε1(0)=16.83;折射率n0=4.1025;吸收系数最大峰值为2.8×105cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Ru2Si3材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质,为Ru2Si3光电材料的设计与应用提供了理论依据.
- 崔冬萌谢泉陈茜赵凤娟李旭珍
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
