宋雪丰
- 作品数：5 被引量：53H指数：3
- 供职机构：江苏大学更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术理学更多>>
- 非晶态合金薄带与膜的巨磁电阻抗效应理论及计算被引量：18
- 2006年
- 通过建立具有平面近横向各向异性场的非晶态合金薄带及膜的磁畴结构模型,利用线性化Maxwell方程组及Landau-Lifshitz方程,推出了在高频交变磁场及外加面内轴向直流磁场Hex作用下的铁磁材料的与取向相关的磁导率表达式,得到了对方位角平均的相对磁导率及阻抗的计算式,导出了磁导率与张量磁化率分量间的关系,对材料磁导率的实部及虚部随Hex的变化进行了计算,并给出了对应的磁谱图.建立的磁导率与外磁场的理论关系可将Panina及Kraus给出的理论结果统一起来.得出了在低场范围与实验结果相当符合的磁电阻抗效应理论.
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- 基于非晶带巨磁阻抗效应的新型弱磁场传感器被引量：29
- 2006年
- 利用短时矩形脉冲电流对近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金带进行退火处理,得到约114%的巨磁阻抗变化率.同时利用CMOS多谐振荡电路产生窄脉冲电流序列对前面处理过的非晶带进行激励,制作成灵敏度高、稳定性好、功耗低的弱磁场传感器.对传感器的工作原理进行了分析,并设计了信号处理电路.该传感器可应用于对弱磁场的检测.
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- 关键词：巨磁阻抗效应弱磁场传感器
- 非晶态合金材料应力阻抗效应研究进展被引量：3
- 2006年
- 应力阻抗效应(SI)是近年来在非晶态合金材料中发现的又一新的具有研究和应用价值的特殊物理效应,利用这种效应可以研制出高灵敏度的应力/应变传感器。简单介绍了应力阻抗效应的理论依据,分析了近几年来国内外在这方面的研究进展,主要有非晶丝、非晶带和薄膜应力阻抗效应的研究以及不同处理工艺对其应力阻抗效应的影响,适当的处理工艺引入的各向异性对应力阻抗效应的提高有很大的贡献。
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- 关键词：非晶态合金非晶带
- 钴基非晶合金薄带应力阻抗效应的研究被引量：1
- 2007年
- 通以高频交变电流的钴基非晶带在弯曲时,由于受到应力作用而具有显著的应力阻抗效应,实验中所用的材料是经过适当脉冲电流退火的钴基非晶合金薄带Co66.3Fe3.7Si12B18。研究了阻抗变化率随非晶带弯曲程度的变化关系以及交流电流幅值和频率对非晶带应力阻抗效应的影响。实验结果表明,在弹性体末端位移为正方向时,非晶带具有负的阻抗变化率,而位移方向为负时,具有正的阻抗变化率,且都随位移的增加而增大。在位移一定的情况下,阻抗变化率随着频率的增加先增大后减小,随电流大小的变化关系也具有这种趋势。
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- 基于钴基非晶丝的数字弱磁场检测仪被引量：2
- 2006年
- 介绍了一种数字式新型弱磁场检测仪。其传感器是利用对磁场具有高灵敏度的钴基非晶态合金丝作为敏感材料,并采用单磁芯双绕组结构、多谐振荡桥励磁,它是一种体积小、性能高的新型磁场传感器。设计了传感器信号调理电路及测量仪的硬件电路,并给出了实验结果。结果表明:该仪器能够检测-200^+200 A/m范围内的静态微弱磁场,在室温环境下,测试精度优于0.5%。
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- 关键词：磁场传感器
