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孙铁署

作品数：11 被引量：26H指数：4
供职机构：中国人民解放军95809部队更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇单电子晶体管
  • 8篇晶体管
  • 3篇互补型
  • 3篇宏模型
  • 3篇SPICE宏...
  • 3篇I-V特性
  • 2篇电路
  • 1篇单电子器件
  • 1篇电路设计
  • 1篇电子器件
  • 1篇性能分析
  • 1篇移位寄存器
  • 1篇异或
  • 1篇硬件
  • 1篇硬件实现
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇数学
  • 1篇数学建模
  • 1篇数学模型

机构

  • 9篇空军工程大学
  • 2篇河北工业大学
  • 2篇中国人民解放...
  • 2篇河北工程技术...

作者

  • 11篇孙铁署
  • 9篇蔡理
  • 4篇陈学军
  • 4篇马彦芬
  • 1篇李芹
  • 1篇杨晓光
  • 1篇郝国芬
  • 1篇刘河潮
  • 1篇王森
  • 1篇孟锋

传媒

  • 2篇河北大学学报...
  • 2篇河北工程技术...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇空军工程大学...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 3篇2003
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单电子晶体管积分器及其性能分析被引量：4
2004年
研究了单电子晶体管 ( Single electron transistor,SET) I-V特性的一种简化分析方法 ,在此基础上设计了 SET积分器 ,并阐述了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明 ,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SET I-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。文中所提出的简化分析方法同样适用于 SET在其它模拟和逻辑电路中的应用。
陈学军蔡理孙铁署
关键词：单电子晶体管I-V特性积分器传输特性
一种单电子晶体管的Spice模型被引量：12
2003年
基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。
孙铁署蔡理陈学军
关键词：单电子晶体管SPICE模型
一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计被引量：9
2005年
基于单电子晶体管(SET)的IV特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P-SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0.24ns。SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性。
孙铁署蔡理
关键词：单电子晶体管反相器全加器SPICE宏模型
基于单电子晶体管的数字滤波器硬件实现
2006年
基于互补型单电子晶体管(SET)逻辑门,提出了SET加法器、移位寄存器和ROM的单元电路。在讨论数字滤波器硬件实现原理基础上,由这三个单元电路实现了一个二阶IIR滤波器。SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性。
孙铁署蔡理马彦芬
关键词：单电子晶体管数字滤波器互补型移位寄存器ROM
单电子晶体管的I-V特性数学模型及逻辑应用被引量：2
2004年
　基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学算法改进模型。该模型的优点是:考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直接获得,支持双栅极工作,便于逻辑电路的分析。研究了背景电荷和各物理参数对I-V特性及跨导的影响,讨论了双栅极单电子晶体管的逻辑应用:简化了"异或"逻辑电路,改进了二叉判别图电路的逻辑单元。
孙铁署蔡理
关键词：单电子晶体管双栅异或
基于单电子器件滤波电路机理和方法的研究
蔡理王森孙铁署刘河潮李芹孟锋
该项目对于单电子纳米器件的理论、滤波电路的设计方法，单电子纳米器件细胞神经网络的理论分析、仿真和应用研究。该县谷基于单电子纳米器件的量子效应，建立了适合于纳米级滤波器所用的单电子纳米器件特性的数学模型；并设计出纳米级滤波...
关键词：
关键词：单电子器件滤波电路细胞神经网络
一种SET的SPICE宏模型及SET／CMOS混合系统仿真研究
2009年
基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SET/CMOS混合系统具有良好的适用性和精确度,可以推广到SET/CMOS混合系统的管子级设计.
马彦芬杨晓光孙铁署
关键词：SETSPICE宏模型A/D
单电子晶体管I-V特性数学建模被引量：1
2003年
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。
孙铁署蔡理陈学军
关键词：单电子晶体管I-V特性数学建模隧穿电流计算机模拟
一种模拟小波变换的硬件实现方法
2004年
基于跨导线性原理,提出了一种应用Marr小波进行模拟变换的硬件实现方法。所设计的电路可实现小波窗函数的产生、逼近和二次微分。SPICE仿真结果表明,电路可产生良好的Gauss窗函数和Marr小波;通过控制电流和电容值即可实现小波尺度和位置的变化。该电路可工作于1V电压、1μA的偏置电流下。
马彦芬孙铁署郝国芬
关键词：跨导线性
一种基于互补型单电子晶体管D触发器设计被引量：5
2004年
基于单电子晶体管(SET)的I＿U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门.在对由SET反相器构成的双稳态电路进行分析的基础上,提出了3种R＿S触发器,最终得出了D触发器.通过选取1组SET参数,使触发器输入和输出高低电平接近于0.02V和0,解决了电平匹配问题.SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性.
孙铁署蔡理马彦芬
关键词：单电子晶体管互补型R-S触发器D触发器
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