孙杰
- 作品数：12 被引量：10H指数：2
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- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- Cu_2O薄膜的制备方法被引量：2
- 2009年
- 氧化亚铜(Cu2O)薄膜在太阳能电池及其它光电器件上有重要应用,它具有无毒、制备成本低、材料广泛易得等优点。制备Cu2O薄膜的方法主要有热蒸发、溅射、化学气相沉积和电化学沉积等,本文对Cu2O薄膜的制备方法进行了综述与展望。
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：热蒸发溅射化学气相沉积
- 退火对ZnS薄膜结构和光学特性的影响
- CdSe和CdS作为CuInSe薄膜太阳电池的窗口层已经为人们所熟知,而Cd的化合物可能带来的重金属污染并且对电池的短波响应有一定的影响,这促使人们寻找其替代物,ZnS已经被认为是一种有前途的窗口层材料,可以替代CdS在...
- 权乃承高斐孙杰张佳雯晏春愉
- 关键词：ZNS薄膜热蒸发退火光学带隙光致发光
- 文献传递
- nc-Si∶(Al_2O_3＋SiO_2)复合膜的制备及其热电特性
- 2010年
- 采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580℃的条件下退火1 h。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜。利用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）及扫描电镜（SEM）等方法研究了薄膜的结构特性。测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅（nc-Si）的平均尺寸约为25 nm。实验发现该nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度（293-413 K）的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624μV/K和-225μV/K。
- 郝培风高斐苗锟刘立慧孙杰权乃承刘晓静张君善
- 关键词：热电薄膜热蒸发SEEBECK系数
- 用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶被引量：1
- 2009年
- 以Si为衬底,SiO2+Ge为复合靶,用超晶格方法(SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层交替生长)和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。X射线衍射(XRD)结果表明:退火样品中有Ge纳米晶生成。Ge纳米晶的声子限域效应引起Raman散射谱的Ge-Ge振动峰向低频移动。X射线光电子能谱(XPS)分析表明Ge主要以Ge0和Ge4+形式分别存在于所制备的超晶格中的SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层中。透射电子显微镜(TEM)研究表明,Ge纳米晶被限制在SiO2+Ge层中且结晶性好。实验结果说明,相比于通常的单层介质膜方法,用该超晶格方法极大地提高了Ge纳米晶的密度,尺寸和空间分布的均匀性。
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- 关键词：磁控溅射退火均匀性
- 多晶硅太阳电池制作及氧化亚铜薄膜制备研究
- 本论文包含两个部分。第一部分,我们做了与多晶硅太阳电池工业生产相关的研究。第二部分,我们研究了一种具有潜力的太阳电池材料氧化亚铜。 太阳电池发展的主要趋势是提高转换效率和降低成本。多晶硅太阳电池是未来最有发展潜力的太阳电...
- 孙杰
- 关键词：多晶硅太阳电池表面织构氮化硅薄膜
- 文献传递
- 陕师大妇女文化博物馆实习报告
——博物馆口译中的文化障碍及应对策略
- 随着经济社会的日益发展,人类的生活水平无论从物质还是精神方面都有了飞跃式的提高,旅游已成为人们休闲消遣的重要方式之一。但是,各国间历史文化、宗教信仰、社会习俗及思维方式的差异给游客对文化的理解造成了巨大的障碍,也给口译员...
- 孙杰
- 关键词：文化障碍归化异化
- 文献传递
- 真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究被引量：4
- 2010年
- 用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。结果表明,所制备的ZnS薄膜呈立方闪锌矿结构,衬底温度为300℃所制备的ZnS薄膜原子比(S/Zn)为0.95/1;薄膜表面均匀致密,呈多晶态,晶粒尺寸为18.2nm;在可见区有好的透射性能,光学禁带宽度为3.82eV。
- 权乃承高斐孙杰刘立慧郝培风
- 关键词：ZNS薄膜热蒸发光学带隙
- 通过氧化Cu膜制备Cu2O薄膜
- 氧化亚铜(CuO)是一种应用潜力很大的半导体材料,具有无毒,制备成本低,材料广泛易得等优点,被广泛地应用于太阳电池、高效光化学电池光电极、磁器件和光催化等。CuO太阳电池的理论转化效率可达20%,但是至今为止获得的光电转...
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：CU膜退火
- 文献传递
- 通过氧化Cu膜制备Cu_2O薄膜被引量：2
- 2009年
- 通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：CU膜退火
- 退火温度对镶嵌于SiO_2膜中的Ge纳米晶结构的影响被引量：1
- 2009年
- 采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构。结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750℃。运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸。通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因。
- 张佳雯高斐晏春愉孙杰权乃承刘伟方晓玲
- 关键词：磁控溅射退火SIO2膜
