孙征
- 作品数：4 被引量：42H指数：2
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- P型ZnO的制备
- 用射频溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出磷、镓共掺杂的ZnO薄膜,经过过真空退火薄膜可变为P型.射频溅射时所用ZnO靶中掺入的P<,2>O<,5>和Ga<,2>O<,3>的重量百分比分别为5wt﹪和0.2wt﹪.在溅射功率为...
- 孙征
- 关键词：P型ZNO磁控溅射
- 文献传递
- ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质被引量：18
- 2004年
- 在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3× 10 1 9cm- 3、霍尔迁移率为 2 0 .5 cm2 / (V· s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了 90 % .
- 黄树来马瑾刘晓梅马洪磊孙征张德恒
- 关键词：透明导电膜射频磁控溅射
- MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性被引量：24
- 2004年
- MgO和ZnO形成合金Mg_xZn_(1-x)O的带隙可以在3.3～7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值。回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特性以及发光特性与薄膜中Mg含量的关系;综述近年来在ZnO/Mg_xZn_(1-x)O超晶格、量子阱研究上的成果,特别介绍了ZnO/Mg_xZn_(1-x)O对超晶格、量子阱的发光特性、发光机理以及发光特性与势垒层镁含量、器件温度的关系。
- 张德恒张锡健王卿璞孙征
- 关键词：超晶格光致发光受激发射半导体材料
- 一种P型氧化锌薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种P型氧化锌薄膜的制备方法，属于半导体光电材料与器件技术领域。本发明的主内容选用蓝宝石或硅作为衬底材料，用掺入5wt％的P<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>和0.2wt％的Ga<Sub>2</...
- 张德恒孙征宗福建王卿璞张锡建
- 文献传递
