孙仁英
- 作品数：20 被引量：50H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>
- 石英晶体在Bi_4Si_3O_(12)熔体中析出形态及机理被引量：1
- 1997年
- 石英晶体在Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２熔体中析出形态及机理孙仁英范世吴金娣林雅芳（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＱｕａｒｔｚＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｎｆｒｏｍＭｅｌｔｏｆＢｉ４Ｓｉ３Ｏ１２ＳｕｎＲ...
- 孙仁英吴金娣林雅芳
- 关键词：硅酸铋晶体引上法晶体生长石英晶体
- 过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体闪烁性能的研究被引量：9
- 1999年
- 本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律．
- 费一汀孙仁英范世
- 关键词：坩埚下降法掺杂BSO晶体铬
- 稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体的生长与性能被引量：6
- 1999年
- 本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ×２０ｍｍ×１００ｍｍ优质Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体及Ｃｅ、Ｎｄ和Ｅｕ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、ＦＷＨＭ能量分辨率和激发－发射光谱。总结并解释了掺杂影响Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体闪烁性能的规律，探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。
- 费一汀孙仁英
- 关键词：掺杂稀土元素硅酸铋晶体晶体生长光学性
- Eu掺杂对Bi_4Si_3O_(12)单晶体闪烁性能的影响
- 2000年
- Bi4Si3 O12 (简称BSO)是一种新型快计时闪烁晶体 ,作为闪烁体Bi4Ge3 O12 (BGO)的最佳替代品之一 ,BSO晶体近年来已引起了人们广泛的兴趣 ,高度的机械和化学稳定性以及优良的发光特性使得BSO晶体成为有发展前途的闪烁体之一 ,在某些方面已经可以代替BGO ,例如高能正负电子存储环探测器中的BSO量能器。本文采用坩埚下降法 (Bridgmanmethod)生长出不掺杂及Eu掺杂 (掺杂浓度为 0 .2mol% )的BSO单晶 ,生长条件为 :Pt为坩埚材料 ,坩埚底部带籽晶 ,下降速度 0 .2～ 0 .5mm/h ,空气气氛下半密封生长。将长成的晶体毛胚加工成供性能测试用的样品 ,尺寸分别为BSO :1 7.0mm×1 6 .0mm× 1 4.7mm ,Eu∶BSO :1 0 .7mm× 7.6mm× 6 .4mm。在日本ShonanInstituteofTechnology测试了BSO及Eu∶BSO晶体的透射光谱 ,激发及发射光谱 ,光产额及FWHM能量分辨率 ,衰减常数 ,抗辐照损伤等性能 ,结果表明 (如表 1所示 ) ,晶体均具有良好的光透过性 ,Eu掺杂对BSO晶体的光产额影响不大 ,却大大提高了BSO的抗辐照硬度。这是由于Eu∶BSO晶体被激发时 ,晶体中的Eu3 +作为电子陷阱能与氧空位争夺并俘获晶格中的大部分自由电子 ,因此在同样辐照条件下Eu掺杂的BSO晶体具有更低的色心浓度 ,这有助于提高BSO的抗辐照硬度 ,从而改善了它的闪?
- 费一汀范世孙仁英M.Ishii
- 关键词：掺杂
- 铁电铌酸钾锂晶体的缺陷研究被引量：2
- 2000年
- 铌酸钾锂 (K3 Li2 -xNb5 +xO15 +2x∶KLN)铁电固溶体晶体被认为是具有良好应用前景的蓝光倍频晶体之一。到目前为止 ,有关相图、晶体生长和性能等方面的工作已经有了大量的研究 ,而关于KLN晶体缺陷研究少见报道。本文研究了KLN晶体的云层、裂纹、畴结构等宏观缺陷以及晶体化学组成的不均匀性。本实验所用KLN晶体是坩埚下降法生长的。尺寸为1 0mm× 2 8mm、浅黄色透明KLN晶体被切割为小圆片并抛光 ,加工好的圆片厚度为 1mm。将KLN圆片在煮沸的氢氟酸或 2HNO3∶HF混合酸中腐蚀 5～ 1 0min ,然后用清水冲洗干净。用光学显微镜观察晶体样品表面的腐蚀形貌 ,放大倍数为 1 0 0或 2 0 0。可以看到正负 ( 0 0 1 )面的腐蚀坑皆为三角锥形 ,但表面粗糙度不同 ,说明正负〈0 0 1〉方向的腐蚀速率不同。云层部分经短时间腐蚀后显示出大量蚀坑 ,同时出现不少垂直于云层的腐蚀坑 ,这可能是应力垂直于云层缺陷释放的缘故。有些腐蚀面可以观察到清晰的 1 80°柱状畴结构。KLN晶体在生长后的冷却过程中很容易开裂。大多数开裂面光滑 ,有明显的解理面特征。经X射线定向仪测定 ,这些解理面为 ( 0 0 1 )面。粗糙的开裂面多为 ( 1 1 0 )面。造成KLN晶体开裂的主要原因是该晶体显著的各向异性生长速率和c、a轴向膨胀系数的明?
- 徐家跃范世林雅芳孙仁英
- 关键词：铌酸钾锂晶体坩埚下降法生长畴结构
- 掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
- 本发明涉及一种掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术,属于单晶生长领域。特征是:初始原料按Nd<Sub>x</Sub>Gd<Sub>1－x</Sub>Ca<Sub>4</Sub>O(BO<Sub>3</Sub>)<Sub>...
- 钟真武范世徐家跃罗军孙仁英钱国兴
- 文献传递
- Bi_2SiO_5的亚稳定相平衡的研究被引量：13
- 1999年
- 通过ＤＴＡ和ＸＲＤ研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统及其化合物Ｂｉ２ＳｉＯ５（１∶１相）的亚稳定相平衡，发现亚稳相Ｂｉ２ＳｉＯ５的析晶温度大约为８４５℃．在Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统的广泛区域内（ＳｉＯ２摩尔分数大于３０％）熔体冷却时易于自发成核析出Ｂｉ２ＳｉＯ５相，并且该相在进一步冷却时无其它相变产生，直到室温下也可稳定存在．
- 费一汀范世骥孙仁英王锦昌谢华清
- 关键词：氧化铋氧化硅相平衡
- Bi_4Si_3O_(12)熔体的析晶行为被引量：3
- 1997年
- 范世孙仁英吴金娣费一汀（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＣｒｙｓｔａｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＢｉ４Ｓｉ３Ｏ１２ＭｅｌｔＦａｎＳｈｉｊｉＳｕｎＲｅｎｙｉｎｇＷｕＪｉｎｄｉＦｅｉＹｉｔｉｎｇ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕ...
- 孙仁英吴金娣费一汀
- 关键词：硅酸铋析晶行为熔体
- 氟化物激光晶体Nd^(3+):LiYF_4的坩埚下降法生长被引量：2
- 2000年
- 本文报道了氟化物激光晶体Ｎｄ３＋： ＬｉＹＦ４的坩埚下降法生长工艺．采用经氟化处理的无水氟化物原料，按照 ＬｉＦ： ＹＦ３＝ ５１．５： ４８．５的比例配料，控制炉体温度于 ９２０～９６０℃，晶体生长速度为 ０．４～０．８ ｍｍ／ｈ，通过密闭条件下的坩埚下降法生长出尺寸为 ４２５ｍｍ×８０ｍｍ的完整单晶．
- 陈红兵范世徐家跃费一汀孙仁英
- 关键词：激光晶体坩埚下降法氟化物
- PZN-PT晶体从各种熔剂中生长被引量：3
- 2000年
- 铌锌酸铅 钛酸铅固溶体单晶 (Pb(Zn1/3 Nb2 /3 )O3 PbTiO3 缩写为PZN PT或PZNT) 6 0年代末 ,首次由S .Nomuza用缓冷技术从PbO熔剂中生长。由于其生长难度大 ,生长研究中断近 2 0年后 ,才重新因该晶体的优异压电性能引起人们进一步的研究兴趣。本文报道了PZN PT晶体从各种熔剂 ,如PbO ,PbO +PbF2 ,PbO +B2 O3 ,PbO +PbF2 +B2 O3 及PbO +BaTiO3 生长的实验结果。PZN PT晶体的差热分析结果表明 ,该晶体为非一致熔融 ,并在熔化前已分解失重。因此必须选择熔盐法生长。配料经过熔化 ( 1 1 5 0～ 1 2 0 0℃ )、泡料 ( 1 0～ 2 0h)、缓冷 ( 1～ 5℃ /h)过程 ,在冷却至熔质过饱和时 ,自发成核析晶。为对比各种熔剂下的生长结果 ,化合物与熔剂的摩尔比均为 1∶2。对复合熔剂而言 ,PbO∶PbF2 为 6 0∶40 ;PbO∶B2 O3 为 88∶1 2 ;PbO∶PbF2 ∶B2 O3 为 5 2 .8∶35 .2∶1 2 ;PbO∶BaTiO3 为 95∶5。在不同熔剂中 ,PZN PT晶体以钙钛矿相或烧绿石相的形式析出 ,而且晶体析出量有很大差别。各种熔剂下的析出量从溶质的 6 4 %至 1 6 %其熔剂依次为PbO +PbF2 +B2 O3 →PbO +PbF2 →PbO +B2 O3 →PbO→PbO +BaTiO3 。熔剂在整个过程中 ,(半封闭状态 )的挥发也不同。PbO +PbF2 +B2 O3 熔剂的挥发为最大 ,约 5 % (重量比 )
- 孙仁英范世林雅芳钱国兴
- 关键词：熔盐法压电晶体
