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周泉

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇动态范围
  • 4篇芯片
  • 4篇芯片面积
  • 3篇图像
  • 3篇图像传感器
  • 3篇宽动态范围
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇低工作电压
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷补偿
  • 2篇电晶体
  • 2篇电路
  • 2篇像素
  • 2篇连续工作模式
  • 2篇晶体管
  • 2篇基于像素
  • 2篇工作电压
  • 2篇光电

机构

  • 6篇吉林大学

作者

  • 6篇周泉
  • 4篇常玉春
  • 4篇李兆涵
  • 4篇杜国同
  • 2篇李靖
  • 2篇郭树旭
  • 2篇李冰
  • 2篇宋静怡
  • 2篇乔栋
  • 2篇余昭杰
  • 2篇王玉琦

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
低工作电压宽动态范围图像传感器
本发明属于半导体图像感测领域，具体涉及一种低工作电压宽动态范围图像传感器装置。图像传感器装置包括一个像素电路、一个模数转换电路、行读出控制电路和列读出控制电路。像素电路采用连续工作模式，提出一种电流源控制方式，不会引入复...
常玉春周泉王玉琦杜国同郭树旭乔栋李兆涵
低工作电压宽动态范围图像传感器
本发明属于半导体图像感测领域，具体涉及一种低工作电压宽动态范围图像传感器装置。图像传感器装置包括一个像素电路、一个模数转换电路、行读出控制电路和列读出控制电路。像素电路采用连续工作模式，提出一种电流源控制方式，不会引入复...
常玉春周泉王玉琦杜国同郭树旭乔栋李兆涵
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具有高响应率宽响应范围的硅光电晶体管的设计与研究
本文介绍了一种基于0.5μm标准CMOS制造工艺的NPN型光电晶体管,即高响应率宽响应范围硅光电晶体管。该器件是由两个基区长度不同的横向结构的晶体管连接而成,发射极和集电极分别相连。其原理是器件工作在穿通状态,基区产生的...
周泉
关键词：CMOS穿通光电晶体管
文献传递
基于像素电荷补偿技术的超宽动态范围图像传感器
本发明属于半导体图像感测技术领域，涉及一种基于像素电荷补偿技术的超宽动态范围图像传感器，由光电转换模块1、控制和读出光电转换模块1数据的上读出处理模块21与下读出处理模块22、行解码模块3和偏置信号模块4组成。像素元件中...
常玉春李兆涵周泉宋静怡杜国同余昭杰李靖李冰
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基于PEPT的低电压宽动态范围图像传感器的研究
本论文的主要内容是研究设计了一种基于穿通增强光电晶体管（PEPT）的低电压宽动态范围CMOS图像传感器，并提出一种应用于CMOS图像传感器片上系统的高电源抑制比（PSRR）无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。 本论文提...
周泉
关键词：CMOS图像传感器低电压动态范围电源抑制比
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基于像素电荷补偿技术的超宽动态范围图像传感器
本发明属于半导体图像感测技术领域，涉及一种基于像素电荷补偿技术的超宽动态范围图像传感器，由光电转换模块1、控制和读出光电转换模块1数据的上读出处理模块21与下读出处理模块22、行解码模块3和偏置信号模块4组成。像素元件中...
常玉春李兆涵周泉宋静怡杜国同余昭杰李靖李冰
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