周天明
- 作品数：20 被引量：19H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春物理所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划德国洪堡基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 多孔硅可见光发射研究被引量：2
- 1993年
- 用常规电化学方法制备了发射高效可见光的多孔硅样品。对样品进行了光谱研究。用非化学方法从样品表面得到了粉末状荧光物质(非多孔硅膜研磨产物),光谱测定证实它的光致发光光谱与原多孔硅样品光致发光光谱相同,粉末进一步研磨后仍能发出同样的可见光。多孔硅样品还可以实现阴极射线激发发出同样的高效可见光,但易因电子束的轰击而发光强度较快减弱。用扫描电镜(SEM)对多孔硅样品的形貌、结构、荧光粉末的形状、尺寸、多孔硅样品阴极荧光发射区域进行了系统的研究。实验结果表明多孔硅样品一般可分为三层结构:表面层、多孔层和单晶硅衬底,样品荧光是来源于其表面层的。对样品表层组分的x射线光电子谱(XPS)分析表明,此时的多孔硅表层有大量非硅元素存在,如:C、O、F(没考虑H),硅元素的原子个数比只占30％～50％。用同样的电化学方法在单晶硅未抛光面上和多晶硅未抛光面上制得了均匀发射可见光样品。上述实验结果说明,多孔硅的高效可见光发射是来源于样品制备过程中在其表面层中形成的粉末状荧光物质。
- 周咏东金亿鑫宁永强张宝林周天明
- 关键词：多孔硅多晶硅光致发光扫描电镜
- 消除相关气路流量波动的高精度质量流量控制设备
- 本实用新型属于一种在气体流量精确控制过程中,消除相关气路在调节改变某一气路和某几个气路气体流量时引起相关其它气路气体流量波动的一种装置。是在有单一公共运载气体源的气体流量精确控制设备中,增加一路装有一个通用的质量流量控器...
- 宋航周天明蒋红张宝林金亿鑫
- 文献传递
- MOCVD法GaSb外延层特性研究被引量：1
- 1994年
- 报导了应用ＭＯＣＶＤ系统在半绝缘ＧａＡｓ和ｎ－ＧａＳｂ衬底上外延生长的非故意掺杂ＧａＳｂ外延层的特性。通过低温、变温光致发光和霍耳效应测定了ＧａＳｂ外延层的光学和电学性质。ＰＬ测量观察到两种主要的复合机制，Ｄ一Ａ对复合和束缚激子复合的发光，其峰值能量位置分别出现在７７５ｍｅＶ和８０３．７ｍｅＶ，束缚激子蜂（未分辨开的）的半宽度为１０．８ｍｅＶ。
- 蒋红金亿鑫周天明张宝林
- 关键词：锑化镓外延层MOCVD法
- 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射
- 1995年
- 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ｇｅ的可见光发射元光，宋航，金亿鑫，张宝林，周天明，宁永强，蒋红，李树伟（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）如何实现硅基材料的发光，一直是很受重视的一个研究方向．以往是通过硅基外延生长直接带隙材料或锗硅超晶...
- 元光宋航金亿鑫张宝林周天明宁永强蒋红李树伟
- 关键词：硅基材料锗纳米
- 用常压ＭＯＣＶＤ技术异质结构生长ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ
- 宁永强周天明
- 关键词：锑化铟化学汽相沉积薄膜生长
- MOCVD法GaInAsSb合金的红外吸收与光致发光谱
- 1994年
- 用红外吸收、光致发光技术研究了常压ＭＯＣＶＤ法未掺杂ＧａＩｎＡｓＳｂ合金的光学性质，用这两种方法测出的外延层禁带宽度与根据合金组分计算出的禁带宽度基本一致。在红外吸收谱与光致发光谱中观察到了低能带尾，并探讨了产生原因。
- 宁永强金亿鑫周天明张宝林蒋红
- 关键词：MOCVD法光学性质
- 用化学方法制备硅场发射阵列被引量：3
- 1996年
- 利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列。
- 元光金长春金亿鑫宋航荆海朱希玲张宝林周天明宁永强蒋红王惟彪
- 关键词：真空微电子场发射SEM
- 红外探测器
- 一种红外探测器,属于光探测器领域。本实用新型通过在材料生长过程中控制材料组分,生长出不掺杂的P－N结构,然后利用常规半导体器件工艺制成p<Sup>+</Sup>－p<Sup>－</Sup>－n<Sup>－</Sup>－n...
- 宁永强周天明张宝林蒋红金亿鑫
- 文献传递
- 扫描透射电镜对GalnAsSb／GaSb异质结截面的研究被引量：2
- 2000年
- 报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb／GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明，在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时，将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错，这些缺陷是对应力的一种释放形式，包括60°位错、90°位错和堆垛层错，并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊。
- 张子旸张宝林周天明蒋红金亿鑫李树玮F.Schulze-Kraasch
- 关键词：位错层错STEM
- 全文增补中
- InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征
- 1997年
- 以三甲基铟（ＴＭＩｎ）、砷烷（ＡｓＨ３）、三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基锑（ＴＭＳｂ）为源，用水平常压ＭＯＣＶＤ技术，在较低的Ⅴ／Ⅲ比的条件下（１．５～４）于ＧａＡｓ和ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＩｎＡｓ合金和ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ异质结．实验表明，生长温度在５００℃～６２０℃范围内，ＩｎＡｓ外延生长是扩散控制的．在Ⅴ／Ⅲ比为２．５时，生长效率（相对Ⅲ族源）为３×１０３μｍ／ｍｏｌ．不掺杂ＩｎＡｓ外延层为ｎ型的，室温迁移率为２０００ｃｍ２／Ｖ．ｓ．ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ异质结的１２ＫＰＬ谱为一个在３７５ｍｅＶ处较宽的与杂质相关的跃迁峰。
- 周天明张宝林蒋红宁永强李树纬金亿鑫
- 关键词：异质结红外光电材料砷化铟锑化镓
