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吴昊

作品数:25 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 6篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 6篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇高温超导
  • 8篇超导
  • 7篇导体
  • 7篇高温超导体
  • 7篇超导体
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 4篇多层膜
  • 4篇异质结
  • 4篇陶瓷靶材
  • 4篇退火
  • 4篇退火温度
  • 4篇自旋
  • 4篇溅射
  • 4篇靶材
  • 4篇
  • 4篇抽真空
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射

机构

  • 23篇中国科学院
  • 1篇亚利桑那大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 23篇吴昊
  • 10篇韩秀峰
  • 10篇赵力
  • 9篇赵柏儒
  • 8篇曹立新
  • 8篇袁洁
  • 8篇许波
  • 7篇金魁
  • 7篇万蔡华
  • 3篇黄黎
  • 2篇钟建平
  • 2篇袁浩
  • 2篇赵崇凌
  • 2篇张福昌
  • 2篇朱北沂
  • 2篇苗君
  • 2篇邱祥冈
  • 2篇陈军养
  • 2篇丰家峰
  • 2篇孔文洁

传媒

  • 2篇第八届全国超...
  • 1篇物理
  • 1篇第九届全国超...

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2010
  • 4篇2008
  • 2篇2006
  • 2篇2005
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法
本发明提供的制备电子型高温超导体LCCO薄膜的方法,使用脉冲激光沉积设备,包括以下步骤:1.按照La<Sub>2-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>CuO<Sub>4</Sub>,其中0.08≤x≤0.16配比,...
赵柏儒袁洁吴昊金魁赵力曹立新许波
文献传递
氧化物p-i-n结器件及其制备方法
本发明涉及一种氧化物p-i-n结器件及其制备方法,该器件包括衬底,在衬底之上形成的p型氧化物层,在p型氧化物层上形成的n型氧化物层,以及分别形成在p型氧化物层和n型氧化物层上用于连接引线的引出端和在p型氧化物层和n型氧化...
赵柏儒袁洁吴昊曹立新许波赵力金魁朱北沂
文献传递
Co/Cu/Co和NiFe/Cu/Co中的巨磁Seebeck效应研究
自旋Seebeck效应[1]、自旋相关的Seebeck效应[2]等自旋卡洛效应(spincalorics)的发现已经极大地拓展了自旋电子学研究的深度和广度,并使得微电子芯片中的废热再利用成为可能,其中自旋相关的Seebe...
章晓敏万蔡华袁忠辉吴昊张钦彤张轩韩秀峰
关键词:巨磁阻效应
复合薄膜制备系统
本发明提供了一种薄膜制备系统,包括:用于取出和放入样品的样品室,包括样品存储台;磁控溅射装置,包括磁控室、磁控室样品台和用于在真空中在磁控室样品台和样品室的样品存储台之间传送样品的磁控室样品传递机构;以及激光分子束外延装...
赵柏儒许波赵崇凌吴昊杨浩袁浩曹立新苗君赵力张福昌钟建平
文献传递
双磁性势垒隧道结以及包括其的自旋电子学器件
本发明涉及双磁性势垒隧道结以及包括其的自旋电子学器件。一种双磁性势垒隧道结可包括:第一导电层;设置在所述第一导电层上的第一势垒层;设置在所述第一势垒层上的第二导电层;设置在所述第二导电层上的第二势垒层;以及设置在所述第二...
韩秀峰孔文洁黄黎吴昊万蔡华
文献传递
通过铁磁/反铁磁交换偏置系统观测铁磁金属中的逆自旋霍尔效应
自旋流的产生、操控和探测,是自旋电子学领域的一个基础问题。铁磁绝缘体中的自旋塞贝克效应一经发现就引起了人们的广泛兴趣,因为它能够通过热梯度产生一个纯的自旋流。最近,钱嘉陵等人提出用铁磁金属的逆自旋霍尔效应来探测自旋塞贝克...
吴昊万蔡华张轩韩秀峰
磁性隧道结
本发明涉及尖晶石氧化物势垒的磁性隧道结及其器件应用,磁性隧道结的势垒采用尖晶石氧化物组成。该隧道结可以是单势垒或者双势垒的结构。本发明提供的新型势垒磁性隧道结可以应用于自旋电子器件中,包括磁敏传感器、磁性随机存取存储器单...
吴昊张佳余天张晓光韩秀峰
文献传递
基于磁性绝缘体的磁子阀效应被引量:1
2018年
晶体管是现代半导体器件的基石,计算机芯片通过晶体管来控制其中的电子流动。为了进一步提高计算机的存储密度与运算速度,人们迫切需要发展更小尺寸的晶体管单元。如今微电子技术已经跨入10nm的制程工艺,由于面临原子极限和量子效应等物理瓶颈,继续向下推进新的制程节点变得越来越困难。 晶体管是现代半导体器件的基石,计算机芯片通过晶体管来控制其中的电子流动。为了进一步提高计算机的存储密度与运算速度,人们迫切需要发展更小尺寸的晶体管单元。如今微电子技术已经跨入10nm的制程工艺,由于面临原子极限和量子效应等物理瓶颈,继续向下推进新的制程节点变得越来越困难。为了继续提高半导体器件的性能,研究人员正在努力寻求新的替代方案。
吴昊韩秀峰
关键词:绝缘体计算机芯片微电子技术半导体器件制程工艺存储密度
具有改善的灵敏度和线性度的磁传感器
本发明涉及具有改善的灵敏度和线性度的磁传感器。一种磁传感器可包括:第一人工反铁磁结构,包括:第一铁磁层;设置在所述第一铁磁层上的第一耦合层;以及设置在所述第一耦合层上的第二铁磁层,其中所述第一耦合层使所述第一铁磁层和所述...
韩秀峰黄黎吴昊袁忠辉万蔡华
文献传递
磁电隔离器、磁存储器、磁电流传感器和磁温度传感器
本发明涉及诸如磁电隔离器、磁存储器、磁电流传感器和磁温度传感器之类的自旋电子学器件。在一些实施例中,一种磁电隔离器可包括:第一电极层,其在施加有第一电流时产生自旋流;磁性绝缘层,其接触所述第一电极层,并且所述第一电极层产...
韩秀峰吴昊万蔡华
文献传递
共3页<123>
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