吴宪君
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 锗酸铅(Pb5Ge3O11)铁电单晶的生长与缺陷研究
- 锗酸铅(PbGeO,PGO)单晶是重要的铁电晶体,具有热释电系数大、介电系数小、线性和非线性电光系数大及良好的旋光性等优点,可用于制造声电器件、光电器件、远程感应器件、热成像器件及热探测器件等。首次报道了在坩埚下降法生长...
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- 文献传递
- 液相外延生长Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3膜及生长机理研究被引量：1
- 2005年
- 采用PbO作助溶剂,我们在钛酸锶(STO)衬底上用液相外延方法生长了一层具有特定取向的PZNT岛状外延膜,并通过引入c轴取向的PZT过渡层后,使原来的岛状三维生长转变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了几个微米厚、较完整的PZNT膜。实验证明:在氧化镁和铝酸镧(001)基片以及STO(110)/(111)衬底上,PZNT晶粒以自发形核为主,外延生长膜主要呈现岛状形貌;取STO(001)衬底,膜颗粒取向一致性好,并可获得完整的PZNT膜。
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- 关键词：厚膜液相外延晶体生长
- 锗酸铅(Pb_5Ge_3O_(11))铁电单晶的生长与缺陷研究被引量：2
- 2004年
- 采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅 (Pb5Ge3 O11)单晶。所用Pt坩埚尺寸为2 5mm× 2 0 0mm和10mm×6 0mm ,炉温控制在高于熔点 5 0～ 80℃ ,固液界面温度梯度小于 2 5℃ /cm ,生长速率小于 0 .5mm/h。所得晶体呈浅棕色 ,最大尺寸达2 5mm× 6 0mm。采用光学显微镜 (OM)及电子探针 (EPMA)研究了所得晶体的生长缺陷 (气泡、包裹体等 ) ,讨论了产生这些缺陷的原因 ,提出了控制及减少此类缺陷的方法。
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- 关键词：铁电单晶坩埚下降法晶体生长热释电系数
- 新型弛豫铁电晶体析晶行为和畴形态理论研究
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- 新型弛豫铁电晶体是一种具有优异压电/铁电性能的信息功能材料，被誉为铁电领域半个多世纪以来“一次激动人心的突破”。与传统压电陶瓷PZT相比，新型弛豫铁电晶体的压电常数是PZT的4-5倍，其机电耦合系数高达95%，均为现有压...
- 关键词：
- 关键词：信息功能材料
- 铁电锗酸铅晶体的坩埚下降法生长与性能研究
- 锗酸铅晶体(Pb5Ge3O11:PGO)具有三方结构，空间群为P3，是锗酸盐化合物中第一个被发现具有铁电性的材料。作为一种极具应用潜力的功能材料，锗酸铅晶体具有铁电性能、介电性能、热释电性能、压电性能、旋光性能以及声光性...
- 吴宪君
- 关键词：坩埚下降法晶体缺陷
- 锗酸盐晶体的坩埚下降法生长研究被引量：1
- 2004年
- 锗酸盐晶体是一类重要的功能晶体材料。其中,Bi4Ge3O12(BGO)是一种优良的闪烁 晶体,广泛应用于高能物理、地质勘察和医疗成像等领域;Sr3Ga2Ge4O14(SGG)是重要的压电 晶体,作为基片材料可以制作高性能的声表面波(SAW)器件,在移动通讯、高温探测等方面有 良好的应用前景;Pb5Ge3O11(PGO)晶体具有小的介点常数和比较大的热释电系数,被认为是 优秀的热释电探测器材料,而其旋光性则可应用于信息存储和信号处理等过程;Sr3Ga2Ge4O14 (Nd:SGG)晶体是高峰值、短脉冲和高频率固态激光器用潜在的激光晶体材料;Bi12GeO20 (BGO)是一种有前途的多功能晶体材料,在光折变、电光、压电等方面都有着重要的应用; Bi4GexSi1-xO12混晶的生长有望获得成本低、性能好的无机闪烁晶体。作者采用改进型坩埚下 降法生长技术成功生长了闪烁晶体BGO、铁电晶体PGO、压电晶体SGG、光折变晶体BGO、 激光晶体Nd:SGG、闪烁体BGSO混晶等多种锗酸盐功能晶体。
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- 关键词：锗酸盐坩埚下降法晶体生长
