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向凡

作品数：17 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 13篇芯片
  • 13篇半导体
  • 10篇芯片面积
  • 9篇功率器件
  • 9篇半导体功率器...
  • 5篇电路
  • 5篇功率半导体
  • 5篇功率半导体器...
  • 5篇半导体器件
  • 4篇电流
  • 4篇电流检测
  • 4篇消费电子
  • 4篇高压器件
  • 3篇电阻
  • 3篇集成电路
  • 3篇LDMOS器...
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇导电类型

机构

  • 17篇电子科技大学

作者

  • 17篇向凡
  • 16篇乔明
  • 15篇温恒娟
  • 15篇周锌
  • 13篇张波
  • 13篇何逸涛
  • 8篇李肇基
  • 4篇章文通
  • 3篇吴文杰
  • 2篇叶俊
  • 2篇赵远远
  • 1篇蒋苓利
  • 1篇赵磊
  • 1篇王卓
  • 1篇郑小明

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 9篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2008
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件
一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）、电流检测LDMOS器件（101）和采样电阻（102）。通过控制主功率LDMOS器件和电流检...
乔明温恒娟向凡何逸涛周锌张波李肇基
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一种高压LDMOS器件
一种高压LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规具有降场层结构的高压LDMOS器件结构基础上，通过提高第一导电类型半导体降场层3的浓度，减小第一导电类型半导体降场层3在器件宽度方向上的面积，即第一导电类型...
乔明向凡温恒娟何逸涛周锌张波李肇基
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一种复合功率半导体器件
一种复合功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。该器件将将LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT与LDMOS形成混合并联结构，LIGBT/LDMOS混合结构与JFET级联。LIGBT/LDMOS混合...
乔明温恒娟向凡周锌何逸涛张波李肇基
一种用于SOI高压集成电路的半导体器件
一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米...
乔明周锌温恒娟何逸涛章文通向凡叶俊张波
一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法
一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制...
乔明银杉赵远远章文通温恒娟向凡周锌
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一种具有电流采样功能的LDMOS器件
一种具有电流采样功能的LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）。本发明通过控制主功率器件和电流检测功率器件的沟道区宽度之比以实...
乔明温恒娟向凡周锌何逸涛张波李肇基
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一种高压驱动电路
一种高压驱动电路，包括高压电平位移电路、高端输出级电路、低端输出级电路、电流源和死区控制电路。本发明提出的高压驱动电路中高端输出级电路高压PMOS管为薄栅氧结构，而不再像传统高压驱动电路那样采用厚栅氧结构；电路只使用四个...
乔明何逸涛周锌温恒娟向凡吴文杰张波
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一种横向高压DMOS器件
一种横向高压DMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过提高第一导电类型半导体降场层3的浓度，减小第一导电类型半导体降场层3在器件宽度方向上的面积，在降场层3之间提供了额外的第二导电类型半导体电流通道16，增加了...
乔明向凡温恒娟周锌何逸涛张波李肇基
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一种复合功率半导体器件
一种复合功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。该器件将将LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT与LDMOS形成混合并联结构，LIGBT/LDMOS混合结构与JFET级联。LIGBT/LDMOS混合...
乔明温恒娟向凡周锌何逸涛张波李肇基
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一种单晶型100V LDMOS设计
本文设计了单晶型100V LDMOS，其具有导通屯阻低和耐压高的优点。文中利用RESURF技术和场板技术优化其关态特性和开态特性;在工艺设计中，采用与低压器件兼容的BCD工艺，完成了工艺参数的优化;最后设计器件的版图并进...
赵磊乔明蒋苓利向凡郑小明
关键词：导通电阻击穿电压
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