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文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇光波
  • 5篇波导
  • 3篇光波导薄膜
  • 2篇硅基
  • 2篇PECVD
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇氧化硅
  • 1篇增益
  • 1篇质子交换
  • 1篇通信
  • 1篇退火
  • 1篇退火工艺
  • 1篇退火质子交换
  • 1篇平面光波导
  • 1篇铌酸锂
  • 1篇铌酸锂光波导
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光波导放大器

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇包洪涛
  • 4篇赵天卓
  • 4篇戴基智
  • 3篇罗辉
  • 3篇佟会
  • 2篇杨亚培

传媒

  • 2篇激光与光电子...
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇光纤与电缆及...

年份

  • 4篇2006
  • 2篇2005
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
光波导放大器的增益特性研究被引量:1
2005年
介绍了光波导放大器的最新发展,分析影响放大器增益的各种因素,主要讨论了放大器的结构和抽运方式对增益的影响。
佟会戴基智包洪涛赵天卓罗辉
关键词:光放大器增益抽运光波导放大器放大器增益抽运方式
光纤Sagnac环特性及在WDM系统中的应用被引量:2
2006年
包含不等长双臂的光纤Sagnac干涉结构会产生梳状透射谱。为此阐述了作为波长选择器的光纤Sagnac干涉环用于WDM系统多波长激光器和功率均衡滤波器的结构原理,并对其实验结果进行了详细的阐述。
赵天卓戴基智包洪涛
关键词:SAGNAC环波分复用
厚二氧化硅光波导薄膜的制备被引量:6
2005年
随着光通信的飞速发展,Si基SiO2平面光波导集成器件的应用更加重要和广泛。在Si基上制备高质量的厚SiO2 薄膜,是制作SiO2光波导及其集成器件的基础。本文介绍了Si基厚SiO2薄膜的几种制备方法。
包洪涛戴基智杨亚培赵天卓佟会罗辉
关键词:光波导薄膜二氧化硅SIO2薄膜平面光波导SI基光通信
质子交换铌酸锂波导的退火工艺被引量:1
2006年
介绍了质子交换铌酸锂波导的制作工艺,比较分析了不同切向、不同退火温度、不同退火时间下铌酸锂波导的特性。
罗辉戴基智杨亚培包洪涛赵天卓佟会
关键词:退火质子交换铌酸锂光波导
PECVD制备硅基SiO2光波导薄膜材料研究
近年来,随着光通信技术的飞速发展,人们对硅基光波导的研究也不断深入。硅基 SiO2光波导具有结构简单、传输损耗低、易于集成、性能稳定等优点,并且能有效的与光纤耦合,是较理想的波导材料,而且其制作工艺可采用成熟的半导体微细...
包洪涛
关键词:材料特征
文献传递
PECVD制备硅基SiO<sub>2</sub>光波导薄膜材料研究
近年来,随着光通信技术的飞速发展,人们对硅基光波导的研究也不断深入。硅基SiO<sub>2</sub>光波导具有结构简单、传输损耗低、易于集成、性能稳定等优点,并且能有效的与光纤耦合,是较理想的波导材料,而且其制作工艺可...
包洪涛
关键词:硅基等离子体增强化学气相沉积
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