您的位置： 专家智库 > >

勾振辉

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 6篇正电子
  • 6篇正电子湮没
  • 2篇砷化镓
  • 2篇中子辐照
  • 2篇快中子辐照
  • 2篇GAAS
  • 1篇导体
  • 1篇正电
  • 1篇正电子湮没寿...
  • 1篇正电子湮灭
  • 1篇同质异能态
  • 1篇退火
  • 1篇能态
  • 1篇氢化物
  • 1篇扰动角关联
  • 1篇中子
  • 1篇湮灭
  • 1篇冷轧
  • 1篇裂变
  • 1篇金属

机构

  • 8篇中国原子能科...
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 8篇勾振辉
  • 7篇朱升云
  • 6篇郑胜男
  • 6篇李安利
  • 4篇罗起
  • 3篇范志国
  • 3篇李东宏
  • 2篇王春瑞
  • 2篇黄汉臣
  • 2篇陈烽
  • 1篇左涛
  • 1篇陈庆望
  • 1篇董明理
  • 1篇李济民
  • 1篇钱嘉裕
  • 1篇李广生

传媒

  • 5篇核技术
  • 2篇第九届全国核...

年份

  • 4篇1998
  • 3篇1994
  • 1篇1991
共 9 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
43Sc(19/2-)同质异能态g-因子和磁偶极矩的精确测量
近满壳层的高自旋准粒子态在单粒子态磁矩测量和核结构研究中有重要意义．这种准粒子态具有很纯的核组态,所以根据壳模型 g-因子相加性原理,从实验测量的 g-因子值可以导出单粒子态的核磁矩。自旋为 19/2的Sc 的同质异能态...
朱升云勾振辉李安利郑胜男李广生
文献传递
用正电子湮没寿命谱研究高温超导体
自从 Bednorz 和 Müller 首次发现高 Tc 氧化物超导体以来,高温超导由于其特殊的物理性质和广阔的应用前景而受到物理界广泛研究。在我们以前的研究中,在钇系和铋系超导体中,在高于 Tc 的若干正常态温区观察到...
勾振辉陈烽郑胜男朱升云赵忠贤
文献传递
国产奥氏体不锈钢冷轧缺陷和辐射损伤的正电子湮没研究
采用正电子湮没方法研究了聚变堆用316L 不锈钢中冷轧产生的缺陷和α和 P 辐照引起的辐射损伤。冷轧和不经冷轧不锈钢的对照测量表明,冷轧在不锈钢中产生位错,空位和空位团, 使正电子湮没寿命．τ从125ps 增加到162p...
李东宏郁金楠陈伊韧郑胜男张素群陈烽勾振辉朱升云
文献传递
裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究被引量：1
1998年
采用正电子湮没寿命测量方法研究了注量为６５×１０１５／ｃｍ２和１．４×１０１４／ｃｍ２、Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变快中子辐照在掺Ｓｉ、Ｎ型单晶ＧａＡｓ中产生的缺陷。此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺陷。缺陷浓度正比于辐照注量，高温退火产生王空位缺陷及小空位团。单空位、双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０．４５０．
李安利罗起范志国郑胜男勾振辉王春瑞钱嘉裕朱升云
关键词：裂变快中子辐照正电子湮没砷化镓
5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究
1998年
采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０１１－１０１２ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照只产生单空位缺陷，而１０１３ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷；１０１８ｎ／ｃｍ２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷。产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大。
王春瑞罗起苑志国李安利勾振辉勾振辉钱嘉裕朱升云
关键词：快中子正电子湮没砷化镓
时间微分扰动角关联技术在材料科学中的应用被引量：1
1998年
介绍了时间微分扰动角关联方法的基本原理及其在材料微观性质研究中的应用
朱升云左涛李安利郑胜男李东宏黄汉臣董明理慎伟奇勾振辉陈峰范志国罗起
金属氢化物的正电子湮没研究
1998年
采用正电子湮没方法在７７－３００Ｋ温区和ｘ为０－０．８６氢浓度范围研究了Ｐｄ０．７５Ａｇ０．２５Ｈｘ和ＮｂＨｘ两种金属氢化物。叙述了获得的实验结果。
罗起勾振辉陈烽郑胜男范志国陈庆望李济民李安利朱升云
关键词：金属氢化物正电子湮没储氢合金
高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究
1994年
采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。
朱升云李安利黄汉臣李东宏郑胜男勾振辉
关键词：硅正电子湮灭退火
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0