刘礼华
- 作品数：19 被引量：53H指数：4
- 供职机构：江苏法尔胜光子有限公司更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- Ti-Ni-Hf高温形状记忆合金的显微组织与力学行为
- 该文采用透射电镜、高分辨电镜、扫描电镜、X射线衍射分析、电子探针、差热扫描分析以及不同温度下的拉伸试验,研究了Ti<,36>Ni<,49>Hf<,15>高温形状记忆合金的显微组织、马氏体相变、形状记忆效应及力学行为,以及...
- 刘礼华
- 关键词：高温形状记忆合金显微组织形状记忆效应
- 文献传递
- 应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法
- 本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域，应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤：取出应力区和芯区的样品，测量应力区样品B元素的含量，测量芯区样品Ge元素的含量；把光纤小段端面喷镀1μm～2μm厚...
- 李美成刘礼华肖天鹏赵连城
- 文献传递
- 应力-应变循环对Ti-49.8at%Ni合金非线性超弹性的影响被引量：1
- 1997年
- 利用拉伸试验系统研究了应力应变循环对Ｔｉ４９．８ａｔ％Ｎｉ合金非线性超弹性的影响。冷变形＋退火处理的Ｔｉ４９．８ａｔ％Ｎｉ合金丝材经一定次数的应力应变循环处理后，可获得完全的非线性超弹性，随后随着应力应变循环次数的增加，应力诱发马氏体临界应力与非线性超弹性应变量均下降，当应力应变循环达到一定次数，丝材的非线性超弹性性能将达到稳定。并且，经不同工艺处理的Ｔｉ４９．８ａｔ％Ｎｉ合金丝材的非线性超弹性受应力应变循环的影响并不相同。应力应变循环对经４５０℃、０５ｈ退火处理的冷变形量为３８４％丝材的非线性超弹性影响较小。
- 黄兵民蔡伟赵蔚赵蔚刘礼华
- 关键词：钛镍记忆合金
- 近等原子比NiTi合金中的两种双程形状记忆效应被引量：1
- 1994年
- 研究了约束加热温度对近等原子比ＮｉＴｉ合金双程形状记忆效应的影响。结果表明：随约束加热温度的升高，会产生两种变形方向相反的双程形状记忆效应：一种在１００℃左右达最大植，另一种在４４０℃左右达最大值，但后者的应变量明显小于前者。根据不同温度下约束加热处理后试样的内应力场特征的分析，上述两种双程形状记忆效应的产生与内应力场的差异有关。前者主要与母相残余应变导致的弹性内应力场有关，而后者则取决于母相塑性变形产生的位错内应力场。
- 刘礼华杨建华赵连城
- 关键词：镍钛合金形状记忆效应
- NiTi基形状记忆合金管材组合温拔工艺及组织性能分析研究被引量：4
- 2005年
- NiTi基记忆合金管材在紧固件、连接件和医疗等领域都有广泛的用涂.NiTi基记忆合金无缝管材是一种难加工型材.采用多道次冷轧加中间真空退火工艺生产成本较高.通过热加工工艺生产NiTi基记忆合金管材国际上只有少数几个国家技术过关.为深入研究其变形规律,在我国实现产业化,借助有限元模拟设计了模具、工装和拔制工艺.通过套拉开坯或机械加工管坯和金属芯棒,采用石墨润滑,在60T万能拉压实验机上对碳钢和NiTi形状记忆合金两对组合体进行400～700℃不同温度、10～15%不同到次延伸率、芯棒与管坯间不同间隙和不同长度下的温拔试验.然后加热塑性拉伸金属芯棒,使其减径并从管中取出,芯棒材料与管坯为同一种材料.温拔由一步完成或两步或多步完成,每步温拔之间不做任何处理,每步温拔芯棒要充分地改变,然后进一步延伸.成功地拔制出了表面和内部质量良好的科4mm管材.结果表明该工艺可用于NiTi基记忆合金材加工,也可供成型其他难加工管材参考.为与套拉后制件的组织性能对比研究提供素材,套拉前对管坯组织性能进行了分析.
- 陈威张伟红张伟红刘礼华蔡伟蔡伟孙文
- 关键词：芯棒数值模拟
- 应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法
- 本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域，应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤：取出应力区和芯区的样品，测量应力区样品B元素的含量，测量芯区样品Ge元素的含量；把光纤小段端面喷镀1μm～2μm厚...
- 李美成刘礼华肖天鹏赵连城
- 文献传递
- 保偏光纤应力元成分分布的电子探针分析及双折射的模拟计算
- 2004年
- 利用电子探针波谱仪(WDS)对保偏光纤的横截面进行了成分分析,得到了径向掺杂元素的分布以及应力区和芯区的实际几何形状.实验分析表明保偏光纤截面应力掺杂区成分分布比较明显,从背散射像可以看出,中心白色区域为光纤的Ge掺杂的芯部,两侧黑色区域为B掺杂的应力区.扫描电镜能谱分析得到光纤截面能谱图,从而得到光纤内的杂质种类,这也是和工艺过程中所掺杂的元素相对应的.同时,在测得的应力元形状的基础上,利用微元算法模拟计算双折射与应力元形状及掺杂元素浓度的关系,为新型应力元结构光纤的设计提供依据.
- 李美成刘礼华李祥鹏萧天鹏赵连城
- 关键词：保偏光纤双折射
- 管内化学汽相沉积工艺制备低羟基含量光纤预制棒的方法
- 管内化学汽相沉积工艺制备低羟基含量光纤预制棒的方法，在传统的MCVD或PCVD工艺中引入氢同位素置换工艺，在MCVD或PCVD法制备光纤预制棒的同时利用氘元素置换基管和沉积层内的氢元素，制备过程中的反复间断的利用氘元素置...
- 迟玉山刘礼华卞进良
- 文献传递
- 管内化学汽相沉积工艺制备低羟基含量光纤预制棒的方法
- 管内化学汽相沉积工艺制备低羟基含量光纤预制棒的方法，在传统的MCVD或PCVD工艺中引入氢同位素置换工艺，在MCVD或PCVD法制备光纤预制棒的同时利用氘元素置换基管和沉积层内的氢元素，制备过程中的反复间断的利用氘元素置...
- 迟玉山刘礼华卞进良
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- 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法
- 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法，本发明涉及一种测算偏振保持光纤拍长的方法。它解决了因应力区和芯区掺杂形状各异，偏振保持光纤的拍长很难用通用理论公式计算的问题。本发明通过下述步骤实现：一、获取含有偏振保持光纤的包层区...
- 李美成王洪磊熊敏刘礼华肖天鹏
- 文献传递
