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刘申之

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：江西师范大学更多>>
发文基金：江西省自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇砷化铟
  • 1篇锑化镓
  • 1篇赝势
  • 1篇外场
  • 1篇维数
  • 1篇晶格
  • 1篇各向异性
  • 1篇各向异性扩散
  • 1篇豪斯道夫维数
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体超晶格
  • 1篇DLA
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇标度
  • 1篇标度性
  • 1篇标度性质
  • 1篇超晶格

机构

  • 3篇江西师范大学

作者

  • 3篇刘申之
  • 1篇龙飞
  • 1篇梅飞

传媒

  • 2篇江西师范大学...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1992
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
指数外场中扩散控制聚集集团标度性质的实验
1996年
该文采用无分岔扩散控制聚集集团模型，利用计算机模拟幂指数外场（Ｆ＝Ｂ／ｒα）中微小颗粒的不可逆生长过程，证实外物的存在将改变集团的标度性质，通过改变外场中的幂指数α，将生成一整套普适类，对在幂指数外场中生长的ＤＬＡ集团，其维数Ｄ与外场α之间遵从线性关系：Ｄ＝ｄ－（０．８α＋０．０３），当α≥１．１时，外场的存在不影响集团的标度性质。
冯跃新刘申之
关键词：各向异性标度性质
各向异性扩散控制聚集集团的豪斯道夫维数被引量：2
1992年
本文通过解析计算,给出了各向异性扩散控制聚集集团有效外半角β=min{β_x,β_y},修正了文献[1]关于有效外半角β=max{β_x,β_y}的假设,对各向异性扩散控制聚集集团的豪斯道夫维数D随各向异性扩散几率p的变化公式也作了相应的修正,并进行了计算机模拟实验,发现修正后的公式与实验符合较好,与Jullien等人的计算机模拟结果进行了比较,在p≥1/4时两者的结果是一致的。
冯跃新冯昌京刘申之
关键词：DLA
第二类InAs／GaSb（001）半导体超晶格能带边结构的赝势计算
1996年
采用一种新的赝势方法计算了第二类ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超晶格能带边结构随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚变化的规律．计算结果显示，随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚的变化，超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程．同时。
刘申之龙飞梅飞
关键词：超晶格赝势半导体砷化铟锑化镓
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