刘琦
- 作品数：2 被引量：3H指数：2
- 供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中南大学博士后科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 扶手椅型二硫化钼纳米带的电子结构与边缘修饰被引量：2
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了扶手椅型二硫化钼纳米带的几何构型与电子结构,发现其稳定性与电子性质敏感地依赖于边缘修饰.随着边缘修饰的H原子数增加,纳米带变得更加稳定,并在间接带隙半导体、半金属和直接带隙半导体之间转变.纳米带的能带结构和电子态密度显示,其费米能级附近的能带主要由边缘态贡献.当二硫化钼纳米带两边用不同数目的H原子修饰时,纳米带同时具有由这两种修饰引起的边缘态并且两种边缘态的相互影响很小.研究了三类纳米带带隙与宽度的关系,对于每个原胞修饰0个或8个H原子的纳米带,带隙随宽度以3为周期振荡变化;而对于每个原胞修饰4个H原子的纳米带,带隙振荡不再具有周期并且振荡幅度变小.
- 杨志雄杨金新刘琦谢禹鑫熊翔欧阳方平
- 关键词：二硫化钼纳米带第一性原理电子结构
- 扶手椅型缺陷硫化钼纳米带电子性质的第一性原理计算被引量：2
- 2015年
- 基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了含空位缺陷的扶手椅型二硫化钼纳米带的电子性质.发现缺陷会导致纳米带结构稳定性降低,单空位钼缺陷和三空位缺陷使得纳米带从半导体变成金属性,而单空位硫缺陷和两种双空位缺陷仅减小纳米带的带隙;电子态密度和能带的本征态表明缺陷纳米带费米能级附近的杂质态主要是缺陷态的贡献.研究了四类半导体性质的纳米带带隙与宽度的关系,对于完整的纳米带,带隙随宽度以3为周期振荡变化;而引入空位缺陷后,纳米带的带隙振荡不再具有周期且振荡幅度变小.同时发现,当缺陷的浓度变小后,缺陷仅使纳米带的带隙减小,不会使其变为金属性.这些结果有望打开其在新型纳电子器件中的应用潜能.
- 邵妍欧阳方平彭盛霖刘琦贾治安邹慧
- 关键词：纳米带空位缺陷第一性原理
