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刘爽

作品数：51 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 8篇学位论文
  • 3篇会议论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 14篇晶体管
  • 12篇肖特基
  • 11篇势垒
  • 11篇势垒层
  • 8篇电子迁移率
  • 8篇迁移率
  • 7篇电路
  • 7篇天线
  • 7篇高电子迁移率
  • 6篇低噪
  • 6篇低噪声
  • 6篇低噪声放大器
  • 6篇增益
  • 6篇隧穿
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇放大器
  • 6篇半导体
  • 5篇单粒子
  • 5篇宽带低噪声
  • 5篇宽带低噪声放...

机构

  • 51篇西安电子科技...

作者

  • 51篇刘爽
  • 28篇张进成
  • 28篇郝跃
  • 28篇赵胜雷
  • 10篇王中旭
  • 6篇朱丹
  • 5篇李振荣
  • 5篇刘志宏
  • 5篇庄奕琪
  • 5篇陈大正
  • 2篇侯彪
  • 2篇龚书喜
  • 2篇尚凡华
  • 2篇王蓉芳
  • 2篇包军林
  • 2篇文爱军
  • 2篇毛维
  • 2篇王爽
  • 2篇陈兴
  • 2篇王浩宇

传媒

  • 1篇2016年全...

年份

  • 2篇2023
  • 13篇2022
  • 10篇2021
  • 12篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于复合漏极的GaN双向阻断垂直功率器件
本发明公开了一种基于复合漏极的GaN双向阻断垂直功率器件，包括肖特基漏极、多个欧姆漏极、衬底、漂移层、沟道层、导电层、栅极介质、源极和栅极，其中，肖特基漏极、衬底、漂移层、沟道层、导电层和栅极介质自下而上依次设置，多个欧...
赵胜雷艾月张进成刘爽宋秀峰黄永陈兴郝跃
一种具有超结结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法
本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有超结结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；位于势垒层上的源极和漏极，且源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触...
赵胜雷张嘎张进成南继澳刘爽宋秀峰王中旭郝跃
基于横向肖特基隧穿发射结的半导体垂直IGBT及制备方法
本发明公开了一种基于横向肖特基隧穿发射结的半导体垂直IGBT及制备方法，包括：P+衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、两个发射极(4)、栅介质层(5)、栅极(6)、两个金属加厚层(7)、钝化层(8)、集电极...
赵胜雷刘爽张进成宋秀峰刘志宏张苇杭王中旭郝跃
文献传递
基于AlN势垒层的增强型双向阻断功率器件及制作方法
本发明公开了一种基于AlN势垒层的增强型双向阻断功率器件及制作方法，主要解决现有技术增强型双向阻断功率器件存在的栅电极控制能力差，热稳定性差和工艺复杂的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、势垒层(...
张进成刘爽赵胜雷张雅超刘志宏陈大正段小玲薛军帅郝跃
文献传递
基于超像素和免疫稀疏谱聚类的图像分割方法
本发明公开了一种基于超像素和免疫稀疏谱聚类的图像分割方法，主要解决现有图像分割方法的分割精确低和鲁棒性差的问题。其方法步骤是：首先，对纹理图像进行超像素划分，提取其纹理特征，作为特征数据集；然后，在谱聚类过程中结合免疫克...
尚荣华刘爽焦李成刘芳尚凡华王蓉芳侯彪王爽马文萍
文献传递
一种具有浅超结的P-GaN高电子迁移率晶体管及方法
本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管及方法,具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管从下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层；所述势垒层上表面的中部设有P‑GaN层，所述...
赵胜雷张嘎张进成南继澳刘爽宋秀峰王中旭郝跃
药物线索诱导的背外侧前额叶皮层的激活预测海洛因依赖者的治疗结果
药物滥用和成瘾是世界范围的健康问题。然而,很少有研究使用fMRI来研究海洛因依赖者线索反应后的大脑激活与治疗结果之间的关系。为了丰富这一领域的知识,我们采集了29名海洛因使用障碍患者和23名健康对照者的脑功能成像。结果显...
刘爽袁凯
关键词：功能磁共振成像海洛因
基于纵向肖特基源隧穿结的准垂直场效应晶体管及方法
本发明公开了一种基于纵向肖特基源隧穿结的准垂直场效应晶体管及方法，准垂直场效应晶体管包括：衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、栅介质层(4)、两个漏极(5)、栅极(6)、两个源极(7)和四个金属加厚层(8)...
赵胜雷宋秀峰张进成刘爽吴银河陈大正王中旭郝跃
文献传递
高线性度低噪声放大器
本发明公开了一种高线性度低噪声放大器电路，主要解决现有技术线性度较差的问题。其包括：第一级放大电路A1、第二级放大电路A2，两级电路之间采用电容C1耦合。第一级放大电路A1主要由两个NPN双极型晶体管Q1、Q2构成的共射...
李振荣王泽渊段艺明刘爽李臻庄奕琪
文献传递
超宽带低噪声放大器
本发明公开了一种超宽带低噪声放大器，主要解决现有技术噪声和线性度性能较差的问题。其采用两级级联结构，且两级之间利用电容C3耦合。该第二级放大电路采用并联峰值结构的基本共源极电路；该第一级放大电路的输入‑输出之间连接由反馈...
李振荣刘爽庄奕琪张超越
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