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刘海龙
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中国科学院理化技术研究所
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相关领域:
轻工技术与工程
一般工业技术
电子电信
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合作作者
师文生
中国科学院理化技术研究所
佘广为
中国科学院理化技术研究所
凌世婷
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Si/Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>核壳结构纳米线阵列的制备方法
本发明涉及一种Si/Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl<Sub>2</Sub>的乙醇溶液中浸...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
文献传递
一种制备SiC纳米线阵列的方法
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。特别涉及一种制备SiC纳米线阵列的方法。本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程:用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列,将表面有硅纳米线阵列的硅基片放置在盛有石墨...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
文献传递
Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>-Si异质结构纳米线阵列或Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>纳米线阵列的制备方法
本发明涉及Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>-Si异质结构纳米线阵列和Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>一维纳米结构阵列的制备方法。本发明以化学刻蚀方法制备出的硅纳米线...
师文生
刘海龙
佘广为
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Si/Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>核壳结构纳米线阵列的制备方法
本发明涉及一种Si/Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl<Sub>2</Sub>的乙醇溶液中浸...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域,特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl<Sub>2</Sub>溶液中进行浸泡,取出后晾干;再将晾干的单...
师文生
刘海龙
佘广为
文献传递
Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域,特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl<Sub>2</Sub>溶液中进行浸泡,取出后晾干;再将晾干的单...
师文生
刘海龙
佘广为
硅化物纳米线阵列的制备、表征和性能研究
2011年
一维纳米材料因其特殊结构引起的新奇的物理和化学性质以及诱人的应用前景而备受关注.已经发展了多种制备一维纳米材料的方法,其中,模板法是一种制备纳米线阵列的常用方法,这种方法已经被成功地用于多种材料纳米线阵列的制备.金属离子辅助的溶液刻蚀方法可以在温和反应条件下大规模制备Si纳米线阵列,
刘海龙
师文生
关键词:
纳米线阵列
硅化物
一维纳米材料
化学性质
一种制备SiC纳米线阵列的方法
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。特别涉及一种制备SiC纳米线阵列的方法。本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程:用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列,将表面有硅纳米线阵列的硅基片放置在盛有石墨...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
文献传递
Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>-Si异质结构纳米线阵列或Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>纳米线阵列的制备方法
本发明涉及Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>-Si异质结构纳米线阵列和Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>一维纳米结构阵列的制备方法。本发明以化学刻蚀方法制备出的硅纳米线...
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