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刘剑

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江师范大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇PECVD法
  • 3篇PECVD法...
  • 2篇电池
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇罗茨
  • 2篇罗茨泵
  • 2篇机械泵
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇分子泵
  • 2篇薄膜太阳能电...
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇液滴
  • 1篇真空系统
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇转数
  • 1篇稀释度
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米线

机构

  • 6篇浙江师范大学

作者

  • 6篇刘剑
  • 5篇黄仕华
  • 2篇何绿
  • 2篇陈莉萍
  • 2篇张若云
  • 1篇董晶

传媒

  • 1篇浙江师范大学...

年份

  • 2篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种制造氢化纳米晶硅薄膜太阳能电池的系统和方法
本发明涉及一种制造氢化纳米晶硅薄膜太阳能电池的方法，通过准备室、本征室、P室、N室、机械泵A、机械泵B、分子泵C、分子泵D、罗茨泵E和罗茨泵F，经过准备预热步骤、准备室预溅射步骤、生长P型氢化纳米晶硅薄膜步骤、生长本征氢...
何绿张若云陈莉萍刘剑黄仕华
文献传递
PECVD法制备氢化纳米晶硅薄膜及其晶化特性的研究
刘剑黄仕华
PECVD法制备氢化纳米晶硅薄膜及其晶化特性的研究
氢化纳米晶硅（hydrogenated nanocrystalline silicon，nc-Si∶H）薄膜是硅的纳米晶粒镶嵌在氢化非晶硅（hydrogenated amorphous silicon，a-Si∶H）网络...
刘剑
关键词：磁控溅射法
PECVD法制备氢化非晶硅薄膜材料被引量：1
2014年
采用等离子增强化学气象沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)法在普通玻璃上沉积非晶硅薄膜材料.通过控制变量分别研究了p,n层的掺杂浓度、氢稀释度及i层的反应气压对薄膜材料性能的影响.结果表明:p层材料在掺杂浓度为6.67%、氢稀释度为10.6时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;n层材料在掺杂浓度为3.33%、氢稀释度为8.3时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;i层材料在反应气压为95 Pa、氢稀释度为15时有较高的光暗电导率之比.
黄仕华董晶沈佳露刘剑
关键词：PECVD非晶硅薄膜电导率
一种制造氢化纳米晶硅薄膜太阳能电池的系统和方法
本发明涉及一种制造氢化纳米晶硅薄膜太阳能电池的方法，通过准备室、本征室、P室、N室、机械泵A、机械泵B、分子泵C、分子泵D、罗茨泵E和罗茨泵F，经过准备预热步骤、准备室预溅射步骤、生长P型氢化纳米晶硅薄膜步骤、生长本征氢...
何绿张若云陈莉萍刘剑黄仕华
一种低温诱导制备硅纳米线的方法
本发明公开了一种低温诱导制备硅纳米线的方法，纳米线的生长温度为250~400 <Sup>0</Sup>C，最优化的生长温度为350 <Sup>0</Sup>C，随着温度的升高，纳米线的长度先增加后减少，当生长温度高于35...
黄仕华刘剑井维科
文献传递
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