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冯幼明

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：北京时代民芯科技有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇电学
  • 4篇电学特性
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 3篇二极管
  • 2篇淀积
  • 2篇栅氧化
  • 2篇浓度梯度
  • 2篇终端结构
  • 2篇阻挡层
  • 2篇物理化学方法
  • 2篇泄露
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片面积
  • 2篇离子注入
  • 2篇晶体
  • 2篇静电
  • 2篇快恢复二极管
  • 2篇击穿电压
  • 2篇硅晶

机构

  • 9篇北京时代民芯...
  • 8篇中国航天北京...
  • 2篇中国航天时代...

作者

  • 10篇冯幼明
  • 2篇王传敏

传媒

  • 2篇电力电子

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种快恢复二极管的制备方法
本发明提供了一种快恢复二极管的制备方法，该方法采用SOI基材替代传统外延片，采用平面制造工艺，与传统的快恢复二极管兼容，并且该方法采用SOI基材中的二氧化硅及上层硅作为场氧和场板，由于SOI基材中的二氧化硅是利用绝对纯净...
冯幼明
文献传递
一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构形成方法
一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构及形成方法，首先在LDD掺杂前结构的上表面覆盖一层薄膜层，形成覆盖薄膜层后的LDD附近结构，再通过物理化学方法在LDD附近结构形成离子注入阻挡层进而形成LDD掺杂前结构，阻挡层其厚度从...
冯幼明王传敏
文献传递
一种高可靠的VDMOS输入端静电泄露的制造方法
本发明公开了一种高可靠的VDMOS输入端静电泄露的制造方法，包括SOI外延片，上层硅及中间氧化层刻蚀，栅氧化及其刻蚀，淀积多晶硅及其刻蚀，第一次硼注入及其推进，砷注入及其推进，第二次硼注入及其推进，淀积金属及其刻蚀，减薄...
冯幼明赵元富
一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法
本发明公开了一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法，能够在保证VDMOS器件的电学特性的同时，减小制造成本；首先在多晶硅上通过腐蚀形成有源区域（1a）和未腐蚀的区域（1b）；在有源区域（1a）上通过沉积形成多晶...
冯幼明殷丽王成杰
文献传递
高能效应用的第一块工业化1200V JFET模块
2011年
减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之一。众所周知,象SiC开关这样的宽禁带器件,在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳特性。10年前,英飞凌公司向市场推出了SiC肖特基势垒二极管。现在SiC JFET已经成熟,该器件具有令人信服的低功率损耗、高可靠性和鲁棒性,并且应用简单、成本适当。本文介绍了利用JFET的优异特性研制的第一个工业化功率模块。
Daniel DomesChristoph MesselkePeter Kanschat冯幼明王传敏
关键词：JFET肖特基势垒二极管
一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法
本发明公开了一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法，能够在保证VDMOS器件的电学特性的同时，减小制造成本；首先在多晶硅上通过腐蚀形成有源区域（1a）和未腐蚀的区域（1b）；在有源区域（1a）上通过沉积形成多晶...
冯幼明殷丽王成杰
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提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET
2010年
本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度、屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电荷。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%。上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的同步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。
Ritu SodhiAshok ChallaJon GladilhSteven SappChris Rexer冯幼明王传敏
关键词：功率MOSFETDC-DC屏蔽降压变换器
一种快恢复二极管的制备方法
本发明提供了一种快恢复二极管的制备方法，该方法采用SOI基材替代传统外延片，采用平面制造工艺，与传统的快恢复二极管兼容，并且该方法采用SOI基材中的二氧化硅及上层硅作为场氧和场板，由于SOI基材中的二氧化硅是利用绝对纯净...
冯幼明
文献传递
一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构及形成方法
一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构及形成方法，首先在LDD掺杂前结构的上表面覆盖一层薄膜层，形成覆盖薄膜层后的LDD附近结构，再通过物理化学方法在LDD附近结构形成离子注入阻挡层进而形成LDD掺杂前结构，阻挡层其厚度从...
冯幼明王传敏
文献传递
一种高可靠的VDMOS输入端静电泄露的制造方法
本发明公开了一种高可靠的VDMOS输入端静电泄露的制造方法，包括SOI外延片，上层硅及中间氧化层刻蚀，栅氧化及其刻蚀，淀积多晶硅及其刻蚀，第一次硼注入及其推进，砷注入及其推进，第二次硼注入及其推进，淀积金属及其刻蚀，减薄...
冯幼明赵元富
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