俞建国
- 作品数：14 被引量：11H指数：2
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信交通运输工程机械工程更多>>
- 纳米巨磁阻抗效应在汽车传感器上的应用
- 纳米巨磁阻抗（Nano-Giant Magneto-Impedance,简称GMI）器件是利用纳米微晶的巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器,由于它的灵敏度高、稳定性好、非接触等优点,在信息、汽车、自动检测和国家安全等方...
- 杨燮龙吴志明杨介信戴文恺赵振杰俞建国丁永芝
- 文献传递
- 电场调控下不对称耦合量子点中激子的发光特性
- 2011年
- 使用有效质量模型,从理论上对GaAs/Al0.35Ga0.65As不对称耦合量子点在不同耦合强度下束缚态和反束缚态的能级分裂情况进行了详细分析,重点探讨了电子和空穴的耦合隧穿对量子点体系能级特征及激子发光强度的影响。研究发现:不对称耦合量子点在外电场作用下价带束缚态和反束缚态能级出现反交现象,反交处的能级分裂值和临界电场随量子点间距的增加而减小;对应的激子发光强度也经历了从亮(暗)到暗(亮)激子的转变。
- 尚德双王基庆茅惠兵杨平雄俞建国赵强
- 关键词：激子量子点束缚态
- 纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器
- 2003年
- 利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发，它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点，已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面。
- 杨燮龙杨介信戴文恺赵振杰马学鸣俞建国丁永芝
- 关键词：巨磁阻抗效应磁敏传感器纳米微晶
- 邻晶面外延生长机制的动力学Monte Carlo模拟被引量：1
- 2006年
- 用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示,低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移,高温下原子已能有效地克服势垒的影响并向下一台阶面迁移.在外延生长初期,原子几乎在台阶面上均匀分布.当表面覆盖度达到一定数量后,台阶成核开始.而由于Ehrlich-Schwoebel势垒的存在,在台阶的上侧台阶面上开始有原子的积累,而如果没有Ehrlich-Schwoebel势垒,台阶上侧台阶面上的原子也能被有效地耗尽.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面上的外延生长模式有显著的影响,将明显提高达到台阶生长模式的温度.
- 茅惠兵景为平俞建国王基庆王力戴宁
- 极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制被引量：1
- 2007年
- 采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlxGa1-xN量子阱居里温度(TC)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基态空穴能级和波函数分布情况,并在此基础上确定量子阱内Mnδ掺杂情况下TC随内建电场的变化趋势,分析了不同量子阱结构引起的内建电场分布变化及其对TC的影响.在耦合双量子阱中通过调节左右阱的不对称性可以得到TC近3倍的增长.
- 申晔邢怀中俞建国吕斌茅惠兵王基庆
- 关键词：GAN内建电场居里温度
- 一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路被引量：6
- 2008年
- 基于TSMC0.18μm标准CMOS标准工艺，提出了一种低温度系数，宽温度范围的带隙基准电压电路，该电路具有高电源抑制比，启动快及宽电源电压工作区域的优点，由于具备输出缓冲，可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力。电路在-40℃到＋110℃的温度变化范围内，基准电压为2.3020V±0.0015V，温度系数仅为7.25×10^-6/℃（-40℃到＋110℃时），PSRR为64dB（11kHz处），电源电压变化范围为1.6-4.3V，输出噪声为5.018μV/√Hz（1kHz处）。
- 陈磊李萌张润曦赖宗声俞建国
- 关键词：带隙基准低温度系数电源抑制比压控振荡器
- 433MHz ASK接收机中低噪声放大器的设计被引量：1
- 2008年
- 采用UMC0.18μm标准CMOS工艺设计了一款433MHz ASK接收机中的LNA电路,采用差分带源极负反馈的共源共栅结构,实现单输入双输出,与混频器级联时,避免了使用外接平衡转换器。测试结果表明,该放大器的噪声系数为1.65dB,增益则达到了18.2dB,因此将很大程度上提高了整个接收机的噪声性能。同时输入输出匹配分别达到了-28dB和-24dB,IIP3也达到了-9.8dBm,在1.8V的电源电压下,功耗为6.5mW。芯片的尺寸为0.6mm×0.9mm。
- 马和良陈元盈沈怿皓张润曦俞建国赖宗声
- 关键词：低噪声放大器CMOS噪声系数增益
- 周期性二氧化钛纳米线的制备方法
- 一种周期性二氧化钛纳米线的制备方法，确切说，涉及用模板法制备周期性二氧化钛纳米线的方法，属于纳米材料制备的技术领域。背景技术以金属无机盐和金属氧化物为原料，运用溶剂热法制备出单晶二氧化钛纳米线，该法中所需药品量及溶剂量较...
- 侯士丽茅惠兵王基庆朱自强俞建国
- 文献传递
- 硫化镉量子线的制备方法
- 一种硫化镉量子线的制备方法，确切说，一种用模板法制备硫化镉量子线的方法，属于纳米材料制备的技术领域。以含有微孔阵列的氧化铝作模板，微孔的直径和孔深分别为8～20nm和2～3μm，用直流电沉积技术在微孔阵列内制得尺寸可调的...
- 侯士丽茅惠兵王基庆朱自强俞建国
- 文献传递
- 能提高材料结晶品质的组合离子注入方法
- 一种能提高材料结晶品质的组合离子注入技术，属于离子束材料改性的技术领域。使用组合材料技术先在一块拟改性材料的衬底上制备大量的具有各不相同的二次离子注入参数的样品单元，并对该块衬底上的样品单元进行高效、并行的测试，筛选出结...
- 申晔王基庆茅惠兵赵强俞建国
- 文献传递
