何丹
- 作品数：9 被引量：19H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 半导体制冷的新公式推证被引量：3
- 1992年
- 一、物理模型 针对图1所示的半导体温差电偶(最简单的半导体制冷器),设想一个包含N、P两型区域的封闭曲面,考查其中所发生的热运动过程,并注意到电流密度在元件内部呈均匀分布。
- 许生龙俞国良何丹
- 关键词：半导体制冷器
- 实验数据的最佳逼近被引量：2
- 1995年
- 本文分析偏离＝理论值－实验值获得最佳逼近，并从偏离的三种平均值及其相互比值、分布函数等五个方面来判别理论的优劣。
- 许生龙何丹马智玲
- 关键词：最佳逼近
- 温差电致冷元件损伤层探索被引量：1
- 1996年
- 通过探索温差电致冷元件的损伤层，提出“平均电导率”等概念。
- 许生龙何丹程开芳
- 关键词：损伤层
- 1～3μm短波红外光导探测器阳极氧化工艺的研究
- 2004年
- 简要介绍了通过阳极氧化工艺条件的改变,确定 1～3 μm 短波红外光导探测器阳极氧化的最佳工艺条件,从而改善了器件性能,大大提高了产品成品率。
- 洪雁赵鹏郑丽娟何丹裘萍
- 关键词：短波阳极氧化工艺光导红外光探测器
- 半导体制冷器件温度不均匀性的研究被引量：2
- 1996年
- 本文研究了半导体制冷器件制冷温差不均匀程度与温差电偶对性能参数的变化幅度的对应关系，并从实验上证实“横向热流”。
- 许生龙何丹
- 关键词：温度
- 半导体制冷器件的统一公式被引量：3
- 1994年
- 通过分析器件的结构得知，单一温差电偶对的制冷公式同样适用于多级半导体制冷器件。文中还给出器件性能参数Π、Ｒ、Ｇ、β与各级材料性能参数之间的对应关系。
- 许生龙何丹程开芳
- 关键词：制冷器
- 温差电致冷元件损伤层的测试方案
- 1999年
- 提出一种间接测量损伤层厚度的方法，此方法具有较高的精度。
- 许生龙何丹
- 关键词：损伤层红外技术
- 半导体制冷中的饱和电流被引量：5
- 1997年
- 对半导体制冷中的论和电流现象进行了解释。理论分析表明，要使器件在△Tmax条件下工作，对元件高度应有一定限制。
- 许生龙何丹程开芳
- 关键词：热电制冷饱和电流半导体制冷
- 2μm像元间距GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器被引量：6
- 2008年
- 量子阱焦平面探测器具有大面阵焦平面探测器重复性和均匀性好、成品率高、成本低等明显的产业化优势,在军民两用领域获得了广泛而重要的应用。为了尽快研制出全国产化高性能量子阱红外焦平面探测器,通过完全正向的器件设计,采用常规光刻和反应离子刻蚀方法,成功研制出87.1%的高占空比320×256长波量子阱焦平面探测器,峰值波长9μm,平均峰值探测率1.6×1010cm·Hz1/2·W-1。第一支样管的噪声等效温差为33.2mK,响应率不均应性8.9%,面阵盲元率1%。在70K温度下获得了1km和4.2km处的建筑物的清晰成像。实验结果充分显示了器件设计的正确性及研制技术的可控性。
- 史衍丽曹婉茹周艳杨明珠何丹
- 关键词：GAAS/AIGAAS量子阱红外探测器长波焦平面噪声等效温差
