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任芸芸

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇掩模
  • 2篇氧化硅
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇干法刻蚀
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光谱
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇激射
  • 1篇光谱
  • 1篇发光
  • 1篇INAS量子...
  • 1篇INP基
  • 1篇GAAS

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇任芸芸
  • 3篇王占国
  • 2篇李志刚
  • 2篇刘明
  • 2篇周惠英
  • 1篇焦玉恒
  • 1篇汤晨光
  • 1篇杨新荣
  • 1篇梁凌燕

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
一种以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法，其特征在于，该方法包括以下制备步骤：步骤一：选择一衬底，在该衬底上面蒸镀二氧化硅层；步骤二：在二氧化硅层的上面涂一层光刻胶，在光刻胶上电子束曝光刻出所需图形结构；步骤三：对样品进...
任芸芸徐波周惠英刘明李志刚王占国
文献传递
InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱
2007年
制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现;随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.认为激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的.
杨新荣徐波王占国任芸芸焦玉恒梁凌燕汤晨光
关键词：INP基激光器
GaAs基InAs量子点的定位有序生长研究
应变自组装方法生长的量子点存在尺寸均匀性不高、分布随机等缺点，而一些器件对量子点的分布具有特殊的要求，如量子元胞自动机、单电子晶体管、单电子存储器等纳米电子学发展的重要器件要求量子点生长在特定的位置。同时在半导体激光器等...
任芸芸
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
一种以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法，其特征在于，该方法包括以下制备步骤：步骤一：选择一衬底，在该衬底上面蒸镀二氧化硅层；步骤二：在二氧化硅层的上面涂一层光刻胶，在光刻胶上电子束曝光刻出所需图形结构；步骤三：对样品进...
任芸芸徐波周惠英刘明李志刚王占国
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