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代京京

作品数：111 被引量：17H指数：3
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 94篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 48篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 55篇激光
  • 39篇激光器
  • 19篇相干
  • 18篇光子
  • 17篇半导体
  • 17篇VCSEL
  • 15篇光纤
  • 13篇光电
  • 12篇连续谱
  • 12篇半导体激光
  • 12篇超连续
  • 12篇超连续谱
  • 11篇半导体激光器
  • 10篇级联
  • 9篇外腔
  • 9篇光束
  • 8篇单晶
  • 7篇双向反射分布...
  • 7篇探测器
  • 7篇外腔反馈

机构

  • 111篇北京工业大学
  • 14篇北京空间机电...
  • 7篇陕西科技大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇北京邮电大学

作者

  • 111篇代京京
  • 95篇王智勇
  • 53篇兰天
  • 14篇李颖
  • 11篇葛廷武
  • 9篇张彤
  • 9篇黄瑞
  • 8篇于峰
  • 8篇赵思思
  • 6篇高静
  • 5篇张文启
  • 5篇叶征宇
  • 5篇王璞
  • 4篇曹银花
  • 4篇李冲
  • 2篇尧舜
  • 2篇刘学胜
  • 2篇庞晓林
  • 2篇李景
  • 1篇伍剑

传媒

  • 5篇光电技术应用
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇物理学报
  • 2篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇光电工程
  • 1篇激光与红外

年份

  • 8篇2024
  • 7篇2023
  • 34篇2022
  • 23篇2021
  • 9篇2020
  • 9篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 2篇2010
共 111 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高功率VCSEL芯片的微通道水冷散热结构
本发明公开了一种高功率VCSEL芯片的微通道水冷散热结构，包括：自上而下依次设置的VCSEL芯片以及上下键合而成的湍流散热层、横向分流层和进出水层；湍流散热层内刻蚀有沿左右方向平行排布多个微通道，每个微通道底部的前后方向...
代京京汪洁王智勇李尉罗建军
中远红外超连续谱光纤激光器
本发明的中远红外超连续谱光纤激光器，涉及激光光电子领域，包括脉冲光纤激光器、石英光子晶体光纤、无源中红外硫系玻璃光纤、无源中远红外硫系玻璃光纤、滤波器、激励源和掺杂稀土离子的硫系玻璃光纤，脉冲光纤激光器发出的脉冲激光，通...
王智勇高静葛廷武代京京
文献传递
一种SOI材料的制备方法
一种SOI材料的制备方法，涉及半导体材料的制备方法。包括以下步骤：1)在表面覆有SiO<Sub>2</Sub>的硅片A中注入低熔点金属离子，形成金属离子富集层；2)将离子注入后的硅片与另一支撑硅片B进行亲水键合；3)将键...
王智勇李颖兰天周广正黄瑞代京京
文献传递
一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法
本发明公开了一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法，衬底的一侧依次形成有掺杂镧系稀土元素的泵浦源VCSEL半导体激光外延结构、第一反射层；衬底的另一侧依次形成有电吸收调制结构、第二反射层。本发明利用泵...
王智勇代京京兰天
文献传递
一种光模式调制光子级联激光器及制备方法
本发明公开了一种光模式调制光子级联激光器及制备方法，包括：GaAs衬底；GaAs衬底的一侧依次形成有信号光上反射层、光子级联层、泵浦光有源区和泵浦光下反射层，GaAs衬底的另一侧依次形成光模式调制层和增反膜；光子级联层自...
代京京王智勇兰天
一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法
本发明公开了一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法包括：VCSEL内腔层和第一液晶外腔层；VCSEL内腔层为在晶圆上生长的VCSEL外延结构，VCSEL外延结构上制备出按照一定周期性排列的发光单元；第一液晶外腔层...
曹银花宗梦雅王智勇代京京
一种光子级联GaAs-OI基片上微腔半导体激光器及制备方法
本发明公开了一种光子级联GaAs‑OI基片上微腔半导体激光器及制备方法，GaAs‑OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的掺镧系稀土离子单晶Si衬底、介质层和单晶GaAs薄膜层；GaAs‑OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生...
代京京王智勇张彤
一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法
本发明公开了一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法，包括：提供表面为GaAs薄膜材料的基片；将基片置于真空退火炉内，在600℃‑1250℃进行退火处理；随后在GaAs薄膜材料的表面制备一层保护层；将带有保护层的基片放置于离子...
王智勇兰天代京京
文献传递
一种同面电极VCSEL芯片的微通道水冷结构
本发明公开了一种同面电极VCSEL芯片的微通道水冷结构，同面电极VCSEL芯片的P电极和N电极位于衬底的同一侧，且通过隔离沟道相隔开；微通道水冷结构，包括：第一热沉、绝缘层和第二热沉；第一热沉的一端与P电极相导通、另一端...
代京京王智勇兰天
晶圆级VCSEL激光阵列结构及制备方法
本发明公开了晶圆级VCSEL激光阵列结构及制备方法，属于激光器技术领域，包括晶圆级VCSEL激光芯片，晶圆级VCSEL激光芯片从下至上依次包括衬底层、缓冲层、第一反射镜、氧化层、有源层、第二反射镜以及盖层；在缓冲层上刻蚀...
王智勇兰天李冲李颖代京京
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