于磊
- 作品数：7 被引量：16H指数：2
- 供职机构：北方交通大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率被引量：11
- 1998年
- 根据非晶态半导体的能带理论，讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为．研究结果表明：在高电场下，由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度．在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中，电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导；而在导带扩展态中，电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动．此外，以实验数据为基础，计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度．
- 娄志东徐征徐春祥于磊滕枫徐叙
- 关键词：电子输运二氧化硅电致发光高电场
- 蓝色薄膜电致发光的新材料ZnO(S):Ce^(3+)的发光特性被引量：1
- 1997年
- 介绍了新制备的TFEL发光材料ZnO（S）：Ce2＋，测量了它的PL和EL特性，结果显示：这种材料的TFEL为Ce3＋的发光，有较好的颜色组成（446nm，493nm），可望用于监色TFEL。
- 于磊娄志东徐春祥滕枫杨晓辉
- 关键词：电致发光发光特性ELPL
- Ce^(3+)在硫氧化物中的TFEL
- 1998年
- 采用基质混合的方法制备了新的TFEL材料ZnSXO1-X∶Ce3+ .在相同的Ce3+ 掺杂浓度下ZnSXO1-X∶Ce3+ EL亮度高于ZnS∶Ce3+ 一个量级以上 ,其发光波长范围为 4 0 0～ 6 0 0nm .ZnSXO1-X∶Ce3+
- 于磊娄志东徐春祥徐征徐叙瑢
- 关键词：薄膜电致发光硫氧化物铈离子TFEL器件
- 级联分层优化的薄膜电致发光被引量：2
- 1996年
- 根据发光层中电子能量分布的不均匀性,在分层优化薄膜电致发光器件的发光层中插入SiO_2层,即级联分层优化薄膜电致发光器件。结果表明:由于SiO_2的加速作用,这种方法确实可以提高过热电子的能量。但发光强度及发光效率的提高还受发光层的结晶状态的影响。插入一层SiO_2后,样品的绿光强度提高了60％,发光效率也有所增加。插入两层SiO_2后,由于发光层结晶状态变差,绿光强度及发光效率都降低了。
- 娄志东陈立春徐征于磊于磊
- 关键词：电致发光器件
- 电致发光材料MGa_2S_4:Ce的合成及其发光特性被引量：1
- 1997年
- 用固相反应法制备 CaS， SrS， Ga2S3及 Ce2S3，进而合成了MGa2S4：Ce（M=Ca，Sr）电致发光材料.CaGa2S4和SrGa2S4同属D空间群中斜方晶系结构用430nm的光激发时，CaGa2S4:Ce3和SrGa2S4：Ce具有相似的发射谱带，都具有蓝、绿两个发射峰，它们分别对应着Ce3的2D（5d）→F5／2（4f）和2D（5d）→F7／2（4f）的跃迁MGa2S4：Ce粉末的光致发光光谱随 Ce3浓度的增加略向长波方向移动；浓度相同的SrGa2S4：Ce的光谱相对于CaGa2S4：Ce蓝移约10nm.MGa2S4：Ce的电致发光与粉 末材料的光致发光相比明显向短波方向移动// 关键词##4//
- 徐春祥娄志东滕枫于磊徐征徐叙马龙刘行仁
- 关键词：固相反应X射线衍射电致发光材料
- ZnGa2O4:Mn2+粉末材料的制备及其光学特性
- 在电致发光中急需解决兰色发光问题,ABC三元化合物的禁带宽度一般较宽,符合这种求。其中镓酸盐具有易于制备,化学性质稳定等优点。本文对ZnGaO:Mn粉末材料的制备条件,光学特性及其发光机理等进行了研究,通过吸收边带的测量...
- 徐春祥滕枫于磊娄志东徐叙瑢
- 关键词：吸收光谱带隙发射光谱
- 文献传递
- 高场下发光中心激发能级上电子的离化被引量：1
- 1997年
- 讨论了稀土掺杂的硫化锌薄膜电致发光器件中被激发的发光中心的场致离化机理；根据弗朗兹，凯尔迪什效应估计了发光中心较高激发能级的深度。同时还考虑了碰撞和温度对发光中心离化的影响，计算并比较了场致离化、碰撞离化及热辅助离化的几率。结果发现。
- 娄志东徐春祥徐征于磊于磊
- 关键词：发光中心电致发光器件
