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黄平

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇优化设计
  • 1篇功率
  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇功率器件
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件

机构

  • 1篇电子工业部

作者

  • 1篇黄平
  • 1篇俞永康
  • 1篇何林

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
功率RMOS器件的优化设计
1997年
从ＲＭＯＳ器件的导通电阻模型出发，通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系，得出：减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度，可以降低器件的导通电阻和器件的反向耐压；反之，器件的导通电阻和反向耐压增加。同时，浅槽结构比深槽结构更理想。文中还讨论了器件的版图布局。结果表明，条形结构优于元胞结构。
黄平俞永康何林
关键词：功率器件功率MOSFET半导体器件
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共1页<1>
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