马玉通
- 作品数：14 被引量：21H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 相关领域：电子电信水利工程自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 多线切割工艺断线问题的分析被引量：4
- 2014年
- 在多线切割工艺中,镀铜金属线对硅单晶切割片的质量有着重要影响,成为多线切割工艺需要控制的重要辅料。断线问题一直是困扰多线切割工艺人员的主要问题之一,一直得不到有效的解决,从材料、设备、工艺以及人员等多个视角对断线问题进行了分析,并给出相应的解决措施。
- 苗广志马玉通赵文华
- 关键词：硅
- 多晶硅真空区熔提纯技术研究被引量：5
- 2010年
- 对真空单晶用多晶硅真空区熔提纯技术进行了分析,通过理论实践相结合,对真空区熔提纯过程中的提纯速率、熔区长度、提纯次数以及其它工艺参数进行了分析,制定了获得目标电阻率、型号、直径的有效区熔提纯工艺。
- 栾国旗张殿朝闫萍高颖马玉通
- 关键词：多晶硅提纯
- 一种半导体晶片notch槽晶向测量装置及使用方法
- 本发明涉及一种半导体晶片Notch槽晶向测量的装置及使用方法，采用X射线定向仪，X射线定向仪的圆形工作台上有数个带凹槽的通螺纹孔为定位柱孔，圆心在以圆形工作台上的X射线测量点到测量台圆心连线为基准线、按外圆逆时针旋转90...
- 陶术鹤王云彪马玉通陆峰张贺强吕菲
- 文献传递
- 变速切割速度曲线对硅片翘曲度的影响被引量：2
- 2012年
- 根据线切割机的工作原理,综合考虑了砂浆中磨料在磨削过程中的变化以及单晶直径的变化,确定了变速切割的工艺方法,同时考虑到125 mm单晶直径大、SIC磨削路线长、磨削发热量大,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量以及各部分温度的工艺参数。通过该工艺参数进行了切割实验,验证了该工艺参数下切割的晶片可以满足要求。
- 马玉通
- 关键词：线切割翘曲度
- 多线切割工艺中切割速度对晶片翘曲度的影响被引量：4
- 2011年
- 目前,半导体单晶材料的加工多采用多线切割机进行切割。切割工艺直接影响着切割过后晶片的参数。在这些参数中,翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。影响翘曲度的因素很多,如切割速度、砂浆密度、晶片内部应力等,在切割工序中,通过调整多线切割的工艺条件,来控制和改善晶片的翘曲度。
- 赵文华马玉通杨士超
- 关键词：翘曲度
- 线锯钢线断线续切技术研究被引量：1
- 2013年
- 根据切割线的特性,分析了在多线切割过程中钢丝断线的各种原因;在生产中,有效控制断线率可以对降本增收起到很大的作用。在大量实验的基础上,归纳总结出断线后续切技术,有效的保障了生产工作的顺利进行。
- 马玉通杨士超
- 关键词：线切割
- 多线切割工艺断线问题的分析
- 2014年
- 在多线切割工艺中,镀铜金属线对硅单晶切割片的质量有着重要影响,成为多线切割工艺需要控制的重要辅料。断线问题一直是困扰多线切割工艺人员的主要问题之一,一直得不到有效的解决,本文从材料、设备、工艺以及人员等多个视角对断线问题进行了分析,并给出相应的解决措施。
- 苗广志马玉通赵文华
- 关键词：硅
- 锗单晶切割工艺研究被引量：2
- 2009年
- 多线切割机是一种将晶棒切割成晶片的设备,近年来得到大规模使用,其切割原理为利用高速运动的切割钢线将砂浆带入切割区,砂浆中的坚硬颗粒(主要为SiC)与晶棒进行磨削,进而起到切割作用。根据锗材料的特殊性,通过改变工艺参数(主轴平均转速,砂浆流量,砂浆供给方式等)与硅材料成熟切割工艺进行对比实验,进而稳定锗材料的切割工艺。
- 冯涛李保军马玉通
- 关键词：锗单晶砂浆
- InP晶体多线切割工艺研究被引量：4
- 2012年
- 磷化铟(InP)是重要的化合物半导体材料,在微波、毫米波器件以及抗辐照太阳电池等领域有着广泛的应用。由于InP材料的硬度较小,并且易于解理,因此InP材料的切割具有较大的技术难度。对InP晶体的多线切割工艺进行了研究,并重点分析了多线切割工艺中工艺参数设置(如切割速度、切割线张力等)对InP切割片几何参数的影响。实验结果表明,InP不但可以采用多线切割技术进行切割,而且通过调整切割工艺参数,如适当提高切割速度、增加切割线张力等可以获取几何参数精度较高的InP切割片。
- 李保军林健马玉通
- 多线切割工艺对研磨去除量的影响被引量：3
- 2016年
- 大直径硅片的研磨去除量成为评价多线切割工艺水平的关键技术指标,也有利于研磨工序单位成本的降低;切片损伤层深度是决定全片研磨去除量的主要因素,而切片几何参数是决定局部研磨去除量的主要因素。通过对多线切割工艺中切片损伤层深度控制以及几何参数的控制,从而降低晶片的研磨去除量。
- 苏鹏飞杨洪星何远东马玉通
- 关键词：硅损伤层翘曲度
