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马松山

作品数：46 被引量：54H指数：5
供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金湖南省自然科学基金湖南省科技计划项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信生物学更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 22篇理学
  • 12篇一般工业技术
  • 8篇电子电信
  • 4篇生物学
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 11篇电子结构
  • 11篇子结构
  • 6篇局域
  • 5篇第一性原理
  • 5篇电子态
  • 5篇局域长度
  • 4篇输运
  • 4篇态密度
  • 4篇退火
  • 4篇DNA分子
  • 3篇第一性原理研...
  • 3篇电导
  • 3篇电子输运
  • 3篇电子态密度
  • 3篇预编码
  • 3篇真空
  • 3篇真空退火
  • 3篇射频功率
  • 3篇码本
  • 3篇光学

机构

  • 46篇中南大学
  • 2篇湖南师范大学
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇湘潭大学
  • 1篇中南大学湘雅...

作者

  • 46篇马松山
  • 33篇徐慧
  • 11篇刘小良
  • 8篇肖剑荣
  • 5篇李燕峰
  • 4篇崔麦玲
  • 4篇邓超生
  • 4篇夏庆林
  • 4篇郭爱敏
  • 4篇邓宏贵
  • 4篇刘雄飞
  • 4篇宋招权
  • 3篇杨凯
  • 3篇郭锐
  • 2篇侯丽珍
  • 2篇王焕友
  • 2篇王世良
  • 2篇欧阳芳平
  • 2篇梁冰冰
  • 1篇伍晓赞

传媒

  • 11篇物理学报
  • 9篇中南大学学报...
  • 5篇材料导报
  • 2篇中国有色金属...
  • 2篇粉末冶金材料...
  • 1篇物理实验
  • 1篇物理通报
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇真空
  • 1篇计算物理
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇生物信息学
  • 1篇2005’全...
  • 1篇2007“与...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2011
  • 9篇2010
  • 9篇2007
  • 7篇2006
  • 7篇2005
  • 2篇2004
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
无序材料直流电导中的无序作用机理
2006年
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立一维无序材料电子跳跃输运直流电导率计算模型,并推导其直流电导率计算公式;通过计算材料的直流电导率,分析不同无序形式下无序度对材料直流电导率的影响,探讨无序在材料电子输运中的本质作用。计算结果表明,在对角无序情况下,无序材料的直流电导率随着无序度的增加而减小;当无序度较小时,电导率随材料无序度的变化有振荡行为;非对角无序材料的电导率小于对角无序材料的电导率,同时,在无序度较小的区域,材料的电导率呈现先增大后减小的特性;完全无序材料的电导率大于非对角无序材料的电导率而小于对角无序材料的电导率,且在完全无序情况下材料的电导率随无序度的变化关系与非对角无序情况下电导率随无序度的变化关系很相似;在无序度较大时,无论是对角无序、非对角无序还是完全无序情况下,无序度对电导率的影响均不明显。
马松山徐慧刘小良肖剑荣
ZnRh_2O_4电子结构与光学性质的第一性原理计算被引量：1
2010年
利用基于密度泛函第一性原理的GGA方法,研究ZnRh2O4的电子结构和光学性质。计算结果表明:ZnRh2O4具有明显的半导体能带结构特征,其带隙宽度为1.084eV,且在费米能级附近的态主要由Rh的4d态构成。ZnRh2O4的静态介电常数为8.215,静态折射率为2.866,介电函数吸收边位于1.0eV附近。在能量为0～8.44eV区域,ZnRh2O4的反射系数随着能量的升高而逐渐增大;随后随能量的增大而逐渐减小;在能量为11.98eV时,达到极小值,然后随能量的增大,再次逐渐增大;在能量为13.762eV时,再次达极大值,随后反射系数陡降;ZnRh2O4的吸收系数的数量级达105cm-1,且吸收主要发生在低能区,其电子能量损失谱的共振峰在14.226eV处,与此能量时反射系数的陡降相对应。
马松山徐慧夏庆林
关键词：电子结构光学性质第一性原理反射系数能量损失
γ-B_(28)光学性质的第一性原理研究
2010年
利用基于密度泛函第一性原理的GGA方法,计算研究了硼的高压相γ-B28的能带结构、态密度、分态密度和光学性质。计算结果表明,γ-B28具有半导体能带结构的特征,其带隙达1.619eV,且整个带结构由杂化的硼2p态和2s态组成,且2p态占主导地位。γ-B28的静态介电常数为11.0733,静态的折射率为3.328,介电函数虚部的吸收边位于1.7eV左右,同时,在2.693eV和5.232eV处有2个明显的特征峰。γ-B28的反射系数在0～16eV范围内随着能量的升高而逐渐增大,但在19.4eV时反射系数急剧下降,而吸收系数的数量级达105cm-1,其电子能量损失谱(EELS)的共振峰在19.4eV处,与反射系数的陡降相对应。
马松山徐慧夏庆林
关键词：光学性质电子结构
一维长程关联无序系统中的电子态被引量：8
2007年
利用傅里叶滤波法在一维Anderson无序系统中产生了具有幂律谱密度公式s(q)∝q-p形式的长程关联随机能量序列,并利用传输矩阵方法计算了系统中引入了长程关联后的局域长度,同时应用负本征值理论对系统中的电子态密度进行了分析,并分别把计算结果与系统中不具有长程关联时的局域长度与电子态密度进行了比较.结果表明,长程幂律关联的引入对电子态的性质产生了很大的影响,当关联指数p≥2.0时,在系统能带中心范围内发生了部分局域态向退局域态的转变,而同时电子态密度也发生了很大的变化,出现了六个范霍夫奇点,系统的能带范围也相应地得到展宽.
徐慧邓超生刘小良马松山伍晓赞
关键词：局域长度电子态密度
球壳状纳米介孔腔内药物释放特性的分子动力学研究
2016年
有序纳米介孔材料的有序性、大的比表面积、孔道均匀等特性使其在药物装载、吸附、释放等方面得到广泛的应用。近年来研究者对介孔材料在药物控释方面的研究主要是通过材料制备、表征以及吸附药物后介孔材料的性能测试等几方面实现的。大多数报道都是采用实验的方法进行研究,关于模拟计算方面的研究很少,力场的选择更是模拟计算的一项挑战。依据介孔材料的独特结构构建了球壳状纳米介孔腔内药物分子释放模型,通过分子动力学的方法计算分析了药物分子的释放特性,重点考察了药物分子大小、溶液环境、介孔腔结构特征对其释放特性的影响。
安娇娇马松山邓超生成九成刘飞
关键词：药物释放分子动力学
超细Ni-C核-壳纳米颗粒的制备及其磁学和微波吸收性能
2018年
以乙酰酮丙镍为原料,通过金属有机物化学气相沉积,合成超细Ni-C核-壳纳米颗粒。采用XRD、Raman光谱仪、TEM和多功能物理测试系统对合成的纳米颗粒的物相、结构和磁学性能进行表征。这种超细纳米颗粒外表包覆一层厚度1~3 nm的C层,内部Ni核的平均粒径为13 nm。磁学测试表明,超细Ni-C核-壳纳米颗粒的饱和磁矩为24.5 emu/g,矫顽力为65.5 Oe,远低于直径超过20 nm的Ni-C核-壳纳米颗粒的对应值。微波吸收测试表明,超细Ni-C核-壳纳米颗粒和石蜡的混合物的最小反射损失值(RL_(min))为-48.7 d B,有效带宽(BW_(eff),RL≤-10dB)为7.4 GHz,是一种非常具有潜力的微波吸收材料。
邝代涛文祥梁冰冰侯丽珍马松山王世良
关键词：微波吸收
功率和温度对a-C:F:H膜表面形貌和结构的影响
2006年
分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-C∶F∶H)薄膜,并在N2气氛中进行了不同温度的退火处理。用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜表面形貌,发现低功率下沉积的薄膜表面均匀性好、缺陷少;在低温下沉积的薄膜表面光滑,而高温下粗糙;真空低温退火可使薄膜表面形貌得到改善,但薄膜内空洞增加,退火温度过高,薄膜的结构发生变化,且在薄膜表面发生皲裂现象。用R am an光谱对薄膜内的结构变化进行了进一步的分析。
肖剑荣徐慧刘雄飞马松山
关键词：表面形貌射频功率沉积温度真空退火
DNA分子的电子结构及输运特性
汇报概要一.DNA分子电学性质研究现状二.DNA分子链模型三.DNA分子链电子结构四.DNA分子链电子输运特性一、DNA分子链电学性质研究现状1.一方面,DNA分子链电学性质的研究已成为物理学与生物学研究的热点。
马松山
文献传递
准一维无序体系电子局域化及输运特性
2011年
在单电子紧束缚近似下,利用多对角全随机厄米矩阵算法,结合负本征值理论和无限阶微扰理论及传输矩阵方法,研究准一维多链无序体系中电子波函数局域化特性及其电子输运特性。研究结果表明:由于格点能量无序,准一维多链无序体系电子波函数呈现出局域化特性;格点能量无序度减小会导致在中间能区发生退局域化现象,表现为在中间能区电子波函数的局域长度大于体系格点数,即出现扩展态,且出现扩展态的能量区间随着无序度的减小而增大的趋势;同时,随着链数的增加,体系有向退局域化方向发展的趋势;在中间能区电子输运透射系数较大,而在低能区及高能区透射系数较小,同时,格点能量无序与维度效应对体系的电子输运存在竞争效应,当体系格点数及链数一定时,体系的透射系数随着格点能量无序度的增大而减小,而当体系格点数及格点能量无序度一定时,准一维多链无序体系的透射系数随着体系链数的增大而增大。
宋招权徐慧马松山刘小良
关键词：电子输运
Ta_2N_3电子结构与光学性质的第一性原理研究
2010年
基于密度泛函第一性原理的GGA方法计算研究了Ta2N3的能带结构、态密度、分态密度和光学性质。计算结果表明,Ta2N3具有明显的金属能带结构特征,且在费米能级附近,Ta的5d态与N的2p态杂化,Ta-N以共价键相互作用。Ta2N3的静态介电常数为77.428,静态的折射率n0为8.88,而介电函数的虚部随能量的增加而减小。Ta2N3多晶体的反射系数在0～1.65eV区域随能量的增加而逐渐减小,在1.65eV附近达极小值,此后随能量的增加而增大,但在15eV时发生陡降。Ta2N3多晶体的吸收系数数量级达105cm-1,且在高能区对光子的吸收较少,其电子能量损失谱(EELS)的共振峰在15eV处,与此能量时反射系数的陡降相对应。
马松山徐慧夏庆林
关键词：电子结构光学性质第一性原理
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