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文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 8篇晶体
  • 8篇光子
  • 8篇光子晶体
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  • 3篇激光
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  • 2篇光刻胶
  • 2篇光子集成
  • 2篇二维光子晶体
  • 2篇半导体
  • 1篇等离子体

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇任刚
  • 8篇马小涛
  • 8篇郑婉华
  • 6篇陈良惠
  • 3篇王科
  • 3篇蔡向华
  • 3篇杜晓宇
  • 3篇邢名欣
  • 2篇杨国华
  • 1篇樊中朝

传媒

  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种双色量子阱红外探测器顶部光栅的设计及优化
本文采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的顶部光栅结构的光场分布进行了仿真分析,得到了多种不同周期、占空比、深度的二维光子晶体结构耦合效率及电磁场分布.设计了一种...
王科郑婉华马小涛任刚杜晓宇邢名欣陈良惠
关键词:红外探测器光子晶体
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二维光子晶体耦合腔阵列的慢波效应研究
本文设计了一种六角晶格二维光子晶体耦合腔阵列,其能带结构表现出新奇的特性.处于禁带中的耦合缺陷腔模的色散曲线在光子晶体平面内所有方向更加平坦.模拟了横电波沿ΓK方向的透射谱.与光子晶体单缺陷腔相比,耦合腔阵列结构的缺陷腔...
杜晓宇郑婉华任刚王科邢名欣马小涛陈良惠
关键词:光子晶体透射率慢波效应
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二维纳米结构深刻蚀方法
一种二维纳米结构深刻蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:S01、在衬底上涂覆光刻胶,采用电子束曝光或其它曝光技术在光刻胶上制作出光子晶体纳米图形;S02、将光子晶体纳米图形转移到衬底上;S03、在纳米图形转移之后,将衬底表...
马小涛郑婉华杨国华任刚陈良惠
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光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器
本发明公开了一种使用于光子集成芯片的光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器。该方法包括:1)在半导体芯片上依次放置一二维半导体光子晶体激光器和一二维半导体光子晶体波导;2)利用泵浦源泵浦半导体光子晶体激光器,产...
郑婉华马小涛任刚蔡向华
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基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器
2006年
描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究。主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高缺陷腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,激光器的激射阂值;研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,试验结果与理论模拟相一致。
郑婉华任刚蔡向华马小涛杜晓宇王科邢名欣陈良惠
关键词:二维光子晶体INGAASP/INP半导体材料
感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究被引量:8
2007年
为实现基于InP/InGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀,研究了对InP材料基于Cl2/BCl3气体的感应耦合等离子体刻蚀.从等离子体轰击使衬底升温的角度分析了刻蚀机理,发现离子轰击加热引起的侧蚀与物理溅射在侧壁再沉积之间处于平衡时可以得到高各向异性刻蚀,平衡点将随ICP功率增高而向偏压减小方向移动,从而在近203V偏压下得到陡直的侧壁.在优化气体组分后,成功实现了光子晶体结构高各向异性的低偏压刻蚀.
马小涛郑婉华任刚樊中朝陈良惠
关键词:光子晶体感应耦合等离子体
一种光子晶体激光耦合输出器
本实用新型公开了一种使用于光子集成芯片的光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出器。该耦合输出器包括:二维半导体光子晶体激光器,二维半导体光子晶体波导与所述二维半导体光子晶体激光器依次放置在半导体芯片上,所述二维半导体光子晶...
马小涛郑婉华任刚蔡向华
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二维纳米结构深刻蚀方法
一种二维纳米结构深刻蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:S01、在衬底上涂覆光刻胶,采用电子束曝光或其它曝光技术在光刻胶上制作出光子晶体纳米图形;S02、将光子晶体纳米图形转移到衬底上;S03、在纳米图形转移之后,将衬底表...
马小涛郑婉华杨国华任刚陈良惠
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