马丽
- 作品数：59 被引量：38H指数：4
- 供职机构：西安理工大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程经济管理理学更多>>
- SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析被引量：4
- 2006年
- 将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特性的影响.此外,还模拟比较了不同p+区厚度对器件反向漏电流的影响.结果表明:在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,并且C的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖性,提高了器件稳定性.
- 高勇刘静马丽余明斌
- 关键词：功率二极管反向恢复漏电流
- 超结硅锗功率开关二极管的研究
- 在对SiGe材料、SiGe/Si异质结性质以及超结结构特点、性质等方面研究的基础上，本文提出了超结和半超结SiGe功率开关二极管。相比传统的Sipin功率二极管，这两种器件能更好地满足高频化电力电子电路对功率二极管低通态...
- 马丽
- 文献传递
- 一种La(Fe,Si)13Hx氢化物磁制冷材料制备和成型一体化的方法
- 本申请提供一种La(Fe,Si)<Sub>13</Sub>H<Sub>x</Sub>氢化物磁制冷材料制备和成型一体化的方法，属于磁制冷材料技术领域。所述制备和成型一体化的方法，将储氢合金、焊锡粉与La(Fe,Si)<Su...
- 田娜杨南南游才印马丽
- 文献传递
- 1.2 kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT的结构设计及特性研究
- 2019年
- 提出了一种1.2kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT结构。通过采用和正面栅极工艺相同的沟槽刻蚀技术,在器件背面形成交替出现的氧化槽,氧化槽结构增大了RC-IGBT背部N^+ Collector和P^+ Collector之间的短路电阻,从而从根本上消除了传统结构的电压折回(Snapback)现象。为了不增加工艺难度,氧化槽的宽度和栅极的宽度完全一致。研究了氧化槽的深宽比对Snapback现象的影响规律,以及氧化槽之间N^+ Collector与P^+ Collector掺杂长度对器件特性的影响。结果表明,新结构的设计能完全消除Snapback现象,且相较传统结构,元胞尺寸减小了一半,并且器件恢复损耗降低了30%。
- 马丽康源李旖晨王云飞王馨梅
- 关键词：氧化槽
- 奈达四步式翻译过程指导下医学英语汉译实践报告--以科普文本为例
- 纵观国内现状，公民健康素养不容乐观，己成为制约医疗服务发展的瓶颈。经济的大幅度提升并未能降低疾病的发生率，相反亚健康、慢性病等健康危机问题令人担忧。在健康中国战略下，把健康模式转移到“医养强生”的道路上来，有助于重塑健康...
- 马丽
- 关键词：英汉翻译功能对等翻译技巧
- 文献传递
- 沈阳移动公司薪酬体系研究
- 企业的竞争，归根到底是人才的竞争。为了吸引更加优秀、出色的人才，薪酬往往起决定作用。因此，薪酬问题是劳动力市场和人力资源管理的核心问题之一。 本文首先阐述了薪酬体系在企业中的地位与作用，系统介绍了薪酬体系设计的基本理论与...
- 马丽
- 关键词：薪酬体系人力资源管理岗位价值
- 文献传递
- 温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)被引量：1
- 2014年
- 在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电流JR的影响规律基本相似,即随着温度的升高,正向压降降低,击穿电压增加,反向漏电流迅速提高。然而在相同的温度下,与Si功率开关二极管相比,SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的正向压降降低了近0.1V(在正向电流密度10A/cm2的情况下),反向恢复时间缩短了一半以上,反向峰值电流密度也下降了约三分之一,软度因子S提高了2倍多。SiGe二极管的另外一个重要优点是其反向恢复特性受温度影响很小。当温度从300K增加到400K时,Si功率二极管的反向恢复时间增加了近1倍,而SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的反向恢复时间基本保持不变。SiGe/Si功率开关二极管的一个缺点是在高温下产生较大的漏电流,但这可以通过适当降低Ge含量来改善。Ge的引入为器件设计提供了更大的自由度,其含量对器件特性有重要影响。为了获得低的正向压降和短的反向恢复时间,应该提高Ge的含量,但Ge含量增加将导致大的漏电流,因此Ge含量的大小应该优化折衷考虑。
- 马丽谢加强陈琳楠高勇
- 关键词：温度特性
- 两种新结构SiGe/Si功率二极管特性模拟
- 2004年
- 提出了在 n- 区中采用掺杂浓度三层渐变式结构 Si Ge/Si功率二极管及台面结构的 Si Ge/Si功率二极管。由 Medici模拟所得的特性表明 ,在采用 n- 区渐变掺杂结构的 p+ ( Si Ge) -n- -n+ 功率二极管中 ,在正向特性基本不发生变化的前提下 ,与 n-区固定掺杂结构相比反向恢复过程加快 ,二极管下降时间 t A 缩短近 1 /2 ;在采用台面结构的 p+ ( Si Gi) -n- -n+功率二极管中 ,反向恢复特性也有明显改进 ,电流反向恢复时间缩短近 1 /3 ,而电压反向恢复时间缩短近 1 /2。
- 祁慧高勇余宁梅马丽安涛
- 关键词：PIN二极管
- 一种快速软恢复功率开关二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种快速软恢复功率开关二极管，从下到上依次设置有阴极N<Sup>+</Sup>区、耐压层和阳极P<Sup>+</Sup>区，耐压层由复合结构成，复合结有L型N<Sup>-</Sup>柱和L型P<Sup>-</...
- 高勇谢加强马丽王秀慜
- 文献传递
- 可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
- 本发明公开一种可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括衬底，器件的两端设置有形状相同，但参数可变的结构，本发明还公开一种可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，本发明中提出的结构有效解决了常规沟槽型IGBT反向...
- 杨媛王秀慜冯松谢加强马丽高勇
