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马丛笑: 作品数：16 被引量：15H指数：2; 供职机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院物理系更多>>; 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金更多>>; 相关领域：理学电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>

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半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究: 2000年; 我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理。; 张伟力马丛笑郑才平张喜田; 关键词：光谱性质多量子阱上转换发光激发光谱发光机理

一种实用的半导体致冷温度控制电路被引量：2: 1997年; 本文结合半导体致冷这一特定器件，通过实验，确定了给具有一定热源物体降温的条件。从而对其测温、控制电路的工作原理进行了较详细的分析。给出了一些必要的波形图和参数计算公式，具有一定的实用价值．; 张锷赵庆明马丛笑刘森; 关键词：数据放大器温度控制电路

半导体材料室温热导率测试装置的研制被引量：1: 1997年; 在研究和生产半导体致冷材料的过程中，需要测定材料的热导率，我们研制了一套半导体致冷材料室温热导率测试装置，设备简单，样品安装方便，测试精度高。测量热导率的方法有稳态法和动态法，稳态法又分为绝对稳态法和相对稳态法，在稳态法中先利用热源在待测样品的内部形成一稳定的温度分布，然后进行测量。相对稳态法是用一标准样品中与待测样品进行比较后测量。绝对稳态法中没有标准样品。目前，在致冷材料的测试中，国际上普通采用的是稳态法。我们制作了在室温条件下用稳态法测试热导率的装置。装夹样品的部件均由铜材料制作，可使传热良好，在室温条件下，致冷材料的热导率为１～２Ｗ／ｍ·Ｋ，铜的热导率为３８０Ｗ／ｍ·Ｋ可见对于致冷材料来讲，铜的热阻是可以忽略的。铜热槽、铜板、样品、电热器的相互接触表面要平整光滑，厚度要尽量小，实验中样品厚度为２ｍｍ，长宽均为１０ｍｍ，这样可使侧面散热小。样品两面的温差用热电偶测试，热电偶是自制的，材料用的是铜和康铜，用精度为１／１０度的温度计来定标，热电偶线的热传导问题要加以考虑，为此一定要采用细的热电偶线。热电偶的连接采用差接法，可使测试精度高。两个铜热槽串接通以恒温水，使系统易于达到热平衡状态。测试是在真空中进?; 赵洪安夏伟宁宁潜艳马丛笑李将禄; 关键词：半导体材料热导率测试装置

电子束蒸发方法制备ZnO薄膜的结构和光学特性研究被引量：3: 2001年; 用电子束蒸发方法在硅衬低上制备ZnO薄膜,测量了ZnO薄膜的XRD谱,表明六角晶体结构的薄膜具有强C轴择优取向(002),并且,测量了ZnO薄膜样品的二次离子质谱(SIMS),表明其化学剂量比为1∶1。在光致发光实验中,用He-Cdi激光器的325nm(50mω)波长激发,观察到了385nm的紫外光发射。; 马丛笑宁潜艳郑才平; 关键词：电子束蒸发光致发光

Cu_(55)Zr_(30)Ti_(15)非晶合金中纳米尺度成分分离区及其作用: 2007年; 为了研究大块非晶合金中成分分离区的存在状态及其在晶化过程中的作用,应用小角X射线散射技术(SAXS)和差示扫描量热仪(DSC)研究Cu55Zr30Ti15非晶合金从310 K到783 K之间微结构的演化情况。实验发现在淬火状态下Cu55Zr30Ti15非晶合金中存在直径为55 nm左右的成分分离区。非晶的结构弛豫包括659 K之前的低温结构弛豫和659 K到玻璃转变温度的高温结构弛豫。在玻璃转变温度到783 K之间,观察到非晶基体中产生过渡相并转化为最终晶相的过程。表明成分分离区在晶化过程中有着重要作用,其驰豫所产生的有序原子团簇是随后晶化过程中晶核产生的基础。; 孙民华王淑英马丛笑牟洪臣李佳云张迪宁潜艳程伟东; 关键词：小角X射线散射结构弛豫

光电编码器的微机控制被引量：1: 1994年; 给出一种以８０３１单片微型计算机为总体控制的轴角一数字转换系统，详细介绍了该微机系统的结构、原理及计算机硬件电路设计。; 张星晔马丛笑; 关键词：单片机接口光电编码器计算机控制

数字式半导体致冷温度显示器: 1998年; 本文介绍了利用半导体致冷件，对具有一定热源物体降温的温度显示电路，并对其工作原理进行了分析。通过实验，总结出了一种性能稳定，测试方便，电路简单、实用较强的数字式温度显示电路。该电路使用了集成运放电路及ＩＣＬ７１０７大规模集成电路Ａ／Ｄ转换器，可进行－５０～１００℃范围内的物体或周围环境温度的测量。; 张锷赵庆明马丛笑; 关键词：A/D转换半导体致冷数字式

小角X射线散射研究石蜡加热过程中的结构变化被引量：3: 2007年; 采用原位加热,用同步辐射X射线小角散射法研究了石蜡加热软化过程中的微结构变化。石蜡的电子密度回转半径从22℃的11.61nm减至100℃的11.16nm,而均方电子密度均方起伏从22℃的468nm-2升高到100℃的2416nm-2。由此,石蜡变软并非由内部结构单元变小引起,而主要由分子热运动加剧引起。; 孙民华牟洪臣王玉玺李德敏王爱屏马丛笑程伟东王丹刘佳; 关键词：小角散射石蜡

Mg:Zn:LiNbO_3晶体光学性能的研究被引量：1: 2001年; 在 L i Nb O3中参进 3 mol% Mg O和 2 mol% Zn O,生长 Mg∶ Zn∶L i Nb O3晶体 .测试晶体的吸收光谱、红外光谱倍频转换效率和相位匹配温度 .Mg( 3 mol% )∶ Zn( 2 mol% )∶ L i Nb O3晶体达到阈值浓度 .Mg∶ Zn∶ L i Nb; 马丛笑徐衍岭; 关键词：光学性能倍频激光器件铌酸锂红外光谱

迭加定理在光电池非线性区应用: 1995年; ＰＮ结光生伏特效应在光电池线性区应用“迭加定理”建立了迭加理论．本文阐述了“迭加定理”在光电池非线性区的应用．; 马丛笑杜梅芳刘忠厚; 关键词：光电池非线性

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