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顾祥

作品数：37 被引量：7H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇标准

领域

  • 23篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇抗辐射
  • 6篇接触孔
  • 6篇抗ESD
  • 6篇SOI工艺
  • 6篇SOI器件
  • 5篇总剂量
  • 5篇硅膜
  • 5篇SOI
  • 5篇氧
  • 5篇ESD保护
  • 4篇单粒子
  • 4篇电路
  • 4篇电阻
  • 4篇多晶
  • 4篇发射结
  • 4篇NPN
  • 4篇GGNMOS
  • 3篇电压
  • 3篇淀积
  • 3篇总剂量辐射

机构

  • 37篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇微电子有限公...
  • 1篇勤智数码科技...
  • 1篇北京燕东微电...

作者

  • 37篇顾祥
  • 18篇洪根深
  • 15篇谢儒彬
  • 7篇贺琪
  • 6篇朱少立
  • 5篇李燕妃
  • 3篇徐大为
  • 3篇王蕾
  • 3篇陈海波
  • 2篇于宗光
  • 2篇赵文彬
  • 2篇郑若成
  • 2篇李艳艳
  • 1篇黄磊
  • 1篇顾吉
  • 1篇刘国柱
  • 1篇郑良晨
  • 1篇潘滨
  • 1篇罗晓羽
  • 1篇许天辉

传媒

  • 6篇电子与封装
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微处理机

年份

  • 6篇2024
  • 2篇2023
  • 8篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2015
  • 4篇2014
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于FDSOI MOSFET的ESD结构及其制备方法
本发明公开一种基于FDSOIMOSFET的ESD结构及其制备方法，属于导体器件制备及ESD防护领域，隔离结构和沟道区均位于SOI衬底的上表面；绝缘介质层形成于沟道区的外部上表面；栅极形成于绝缘介质层的外部上表面；离子注入...
顾祥赵晓松吴建伟张庆东纪旭明李金航宋帅赵鹏程
一种基于SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构
本发明公开了一种基于SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构，包括SAB层、P型掺杂源漏SP、N型掺杂源漏SN、多晶栅POLY、器件有源区TO、接触孔W1，将条型NMOS管的P型掺杂源漏进行分段，器件的体接触设计在每...
顾祥张庆东纪旭明郑重
文献传递
基于0.15μm SOI工艺的耐高温短沟器件设计与实现
2024年
绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)技术在200~400℃高温器件和集成电路方面有着广泛的应用前景,但对于沟道长度≤0.18μm的短沟道器件在200℃以上的高温下阈值电压漂移量达40%以上,漏电流达μA级,无法满足电路设计要求。本文研究了基于0.15μm SOI工艺的1.5 V MOS器件电特性在高温下的退化机理和抑制方法,通过增加栅氧厚度、降低阱浓度、调整轻掺杂漏离子注入工艺等优化方法,实现了一种性能良好的短沟道高温SOI CMOS器件,在25~250℃温度范围内,该器件阈值电压漂移量<30%,饱和电流漂移量<15%,漏电流<1 nA/μm。此外采用仿真的方法分析了器件在高温下的漏区电势和电场的变化规律,将栅诱导漏极泄漏电流效应与器件高温漏电流关联起来,从而定性地解释了SOI短沟道器件高温漏电流退化的机理。
顾祥张庆东纪旭明李金航常瑞恒
关键词：绝缘体上硅阈值电压漏电流短沟道
齐纳二极管反熔丝结构及其制造方法
本发明涉及齐纳二极管反熔丝结构及其制造方法。包括衬底、P型重掺杂区、N型重掺杂区、介质层以及金属层，N型重掺杂区在靠近PN结处呈尖角状，介质层上开设的接触孔一和接触孔二，金属层包括金属层一至四，金属层三与金属层四之间有间...
顾祥吴建伟洪根深郑若成
文献传递
一种225℃高温应用的LDMOS器件及制造方法
本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种225℃高温应用的LDMOS器件及制造方法。包括：衬底，在衬底上刻蚀有STI浅槽；SiO2介质层，填充于STI浅槽内，以形成全介质隔离的有源Si区；阱区，形成于有源Si区的一侧；漂...
纪旭明李金航潘瑜顾祥郭浩徐晟赵晓松李佳隆张尧张庆东谢儒彬徐大为
薄硅膜SOI器件辐射效应研究被引量：1
2020年
为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应。采用^60Co作为辐射源,所选器件的辐射性能通过晶体管前栅和背栅的阈值电压漂移量进行表征。实验结果显示,所选的本单位SOI工艺的硅膜厚度必须大于205 nm才能保证器件的抗总剂量辐射能力,针对此结论利用TCAD软件进行仿真验证,归纳出相应的物理机制。对电路静态电流特性对总剂量辐射的敏感性也给出了相关的讨论与评估。
贺琪顾祥纪旭明李金航赵晓松
关键词：硅膜阈值电压静态电流
一种温度不敏感占空比可调的振荡器
2014年
介绍了一种单比较器型锯齿波及CLK方波震荡器电路,它通过基准电压源对RT/CT充放电产生一定占空比的锯齿波及CLK方波信号。该电路所产生的方波及锯齿波频率的温度和电压稳定性好,波形的占空比可根据需求进行trimming调节。同时介绍了电路的工作原理,进行了HSPICE仿真,最后给出了流片验证结果。
顾祥顾吉许天辉吴建伟
关键词：锯齿波振荡器占空比
一种低损伤埋氧改性SOI衬底结构的制备方法
本发明公开一种低损伤埋氧改性SOI衬底结构的制备方法，属于半导体器件领域。提供由支撑层、埋氧层、顶层硅依次堆叠形成的硅衬底，在顶层硅上淀积掩蔽层；通过光刻和刻蚀在顶层硅和埋氧层上制备沟槽；进行离子注入，形成离子注入区；在...
赵晓松顾祥张尧张庆东纪旭明李金航
短沟MOS器件GIDL漏电的改善
2018年
随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈。研究了相关工艺对器件GIDL效应的影响,发现了GIDL的主要泄漏机制。通过模拟仿真和工艺试验,证明了Halo注入工艺相对于其他工艺对GIDL效应的影响更大,降低Halo注入剂量是相对最优的工艺改善方案。
顾祥陈天洪根深赵文彬
关键词：HALOLDDRTA
抗辐射SOI器件栅氧可靠性研究被引量：1
2014年
对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性,发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响,进而影响栅氧可靠性。最后通过恒压应力法表征栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5 nm栅氧在125℃高温5.5 V工作电压下TDDB寿命达到14.65年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。
吴建伟谢儒彬顾祥刘国柱
关键词：SOITDDB
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