韩舜
- 作品数：64 被引量：22H指数：3
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金深圳市科技计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- ZnO纳米/微米结构传感器对乙醇气敏性研究被引量：3
- 2014年
- 采用化学气相法分别在石英舟内表面和单晶硅衬底上制备了ZnO微米片、纳米线、微米四足体以及微米球4种结构,并制作了相应的气敏传感器。扫描电子显微镜、气敏测试仪等结果显示:合成的ZnO纳米/微米结构尺寸在200 nm^100μm之间,传感器最佳工作电流区间为120~130 mA,其中微米四足体制备的传感器灵敏度高达127,展现出优异的气敏特性。在4种结构中,微米四足体材料内部的VO缺陷含量最高,结合气敏测试与荧光光谱结果,我们认为材料内部的VO缺陷含量是影响材料气敏特性的最重要因素。
- 曹培江彭双娇韩舜柳文军贾芳曾玉祥朱德亮吕有明
- 关键词：ZNO气敏特性
- 一种立方结构MgZnO薄膜及其制备方法
- 本发明涉及半导体材料制备领域，提供了一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：制备Mg<Sub>0.5</Sub>Zn<Sub>0.5</Sub>O靶材；将衬底放入腔体内，加热所述衬底至700℃，通入氧气以控制...
- 韩舜吕有明曹培江柳文军曾玉祥贾芳刘新科朱德亮
- 文献传递
- 氧化镓纳米棒及其制备方法和光电探测器件
- 本申请涉及半导体材料制备技术领域，提供了一种氧化镓纳米棒及其制备方法和光电探测器件。本申请所提供的制备方法包括：提供基底和氧化镓靶材，并固定于可抽真空的腔体中；向腔体中通入氧气和惰性气体，氧气的通入速度为1～10sccm...
- 吕有明荣曦明伍锦捷韩舜曹培江朱德亮柳文军刘新科许望颖方明
- 通过退火改善Mg0.27Zn0.73O紫外探测器性能的研究
- 基于宽禁带半导体的固体紫外探测器由于体积小、重量轻、功耗低等优势，近年来日益受到人们的关注.MgZnO材料具有3.2-7.8 eV的可调带隙，对应380-160 nm的紫外波段.成熟的同质衬底、较低的生长温度和丰富的元素...
- 张振中韩舜张吉英申德振
- 生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响
- 2014年
- 利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备立方结构MgZnO薄膜,并研究MgZnO薄膜结晶特性、光学带隙随生长温度的变化情况。当生长温度从150℃升高到700℃时,MgZnO薄膜的生长取向由(200)向(111)转变。在600℃以下,MgZnO薄膜光学带隙的变化规律与晶格中Mg和Zn原子比例的变化趋势是一致的;而当温度升至700℃时,虽然MgZnO晶格中Mg和Zn原子比例降低,但由于平均晶粒尺寸变大,薄膜的光学带隙反而上升。在300℃和700℃晶格匹配的情况下,获得了单一(200)和(111)取向的立方MgZnO薄膜。
- 彭赛吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮
- 关键词：MGZNO脉冲激光沉积光学带隙生长温度
- 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长被引量：1
- 2014年
- 为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。
- 郑剑张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振
- 关键词：缓冲层
- 一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和应用
- 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供含有钐离子、铟离子的盐溶液；采用旋涂方式将所述盐溶液涂覆在在洁净的二氧化硅表面，并进行退火处理，在二...
- 许望颖李彦苇洪利萍朱德亮吕有明柳文军方明韩舜曹培江曾玉祥
- 染料敏化太阳能电池及其ZnO复合光阳极制备方法
- 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池ZnO复合光阳极的制备方法，即先在导电基底上生长出ZnO纳米线阵列，然后在纳米线之间的空隙中原位生长填充ZnO纳米颗粒。该制备方法提高了ZnO复合光阳极的比表面积，从而显著提高光电极的光...
- 柳文军韩舜唐丽贾芳曹培江朱德亮马晓翠吕有明
- 文献传递
- 一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法。该方法采用ICP进行氧气等离子优化氮化镓导电通道，在沉积绝缘介电层之前先进行氧气等离子体处理，然后进行原位退火，在栅极区产生一种晶体GaON...
- 刘新科林峰利键陈勇王磊黎晓华贺威俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥朱德亮
- 文献传递
- ZnO基透明导电薄膜的研究进展
- 近年来透明导电氧化物薄膜(TCO)由于具有近金属的电导率、可见光范围高透射率、红外高反射率等特性,被广泛应用于太阳能电池、显示器、气敏元件、抗静电涂层中。与传统的In2O3：Sn (ITO)薄膜相比,ZnO基TCO薄膜具...
- 吕有明曹培江朱德亮柳文军贾芳韩舜马晓翠
