陈耀
- 作品数：4 被引量：19H指数：3
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- 相关领域：理学更多>>
- 利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)被引量：7
- 2011年
- 采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移,有利于劣势方向(m轴)的原子迁移,从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异,并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供"生长模板",以得到各向异性更小、晶体质量更好的a面GaN材料。
- 何涛陈耀李辉戴隆贵王小丽徐培强王文新陈弘
- 关键词：GANX射线衍射ALN缓冲层
- 使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
- 2010年
- 在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251Ω/□的薄层电阻.
- 丁国建郭丽伟邢志刚陈耀徐培强贾海强周均铭陈弘
- 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
- 国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜被引量：10
- 2011年
- 采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的结果。文中研究了AlN缓冲层生长参数对GaN晶体质量的影响,还利用拉曼散射研究了GaN外延薄膜中的应力,发现具有越小X射线衍射摇摆曲线半峰宽的GaN外延薄膜受到的张应力也越小。
- 陈耀王文新黎艳江洋徐培强马紫光宋京陈弘
- 关键词：GANALNSIC衬底MOCVDX射线衍射
- SiN_x插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响(英文)被引量：4
- 2011年
- 系统研究了纳米量级的多孔SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在GaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量。利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度。此外,GaN薄膜的光学、电学性质分别用Raman散射能谱、低温光致发光能谱和霍尔测量的方法进行了表征。实验发现:SiNx插入层的生长位置对GaN薄膜的应变大小基本没有影响;但插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。
- 马紫光王文新王小丽陈耀徐培强江洋贾海强陈弘
- 关键词：GANSINX高分辨X射线衍射
