陈恩光
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京交通大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiO_x非晶薄膜的过程被引量：7
- 2007年
- 利用磁控溅射技术,在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜。傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带。研究发现,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-Oy-Si4-y(0
- 王申伟衣立新苏梦蟾陈恩光王永生
- 关键词：SIOX非晶薄膜磁控溅射红外吸收光谱
- 氢钝化对nc-Si/SiO<,2>超晶格发光特性的影响
- 超大规模集成技术的日益发展迫切需要研制硅基发光器件，以实现未来微型高速计算机芯片之间的光互联。晶体硅由于是间接带隙材料，其带间辐射复合效应非常低，难于达到发光器件的要求。因此，发光纳米硅(nc-Si)的研究便成为热点和前...
- 陈恩光
- 关键词：超晶格硅纳米晶
- 文献传递
- 氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响被引量：5
- 2008年
- 通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入3.0×1014和3.0×1015cm-2两种剂量的H+。通过对样品的光致发光光谱的分析发现,H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降;二次退火后的样品,随着退火温度的升高,发光强度逐渐增强;注入足够剂量的H+,其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度。研究表明,样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变,而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的。
- 陈恩光衣立新王申伟刘尧平苏梦蟾唐莹王永生
- 关键词：超晶格硅纳米晶
- 氢钝化对nc-Si/SiO<sub>2</sub>超晶格发光特性的影响
- 超大规模集成技术的日益发展迫切需要研制硅基发光器件，以实现未来微型高速计算机芯片之间的光互联。晶体硅由于是间接带隙材料，其带间辐射复合效应非常低，难于达到发光器件的要求。因此，发光纳米硅（nc-Si）的研究便成为热点和前...
- 陈恩光
- 关键词：超晶格硅纳米晶
