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文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇金属
  • 2篇电路
  • 2篇氧化层
  • 2篇微波电路
  • 2篇磷化铟
  • 2篇BCB
  • 1篇等离子体损伤
  • 1篇电极
  • 1篇电极结构
  • 1篇氧化炉
  • 1篇氧化速率
  • 1篇态密度
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅材料
  • 1篇图形化
  • 1篇退火
  • 1篇喷淋
  • 1篇热退火
  • 1篇热氧化
  • 1篇钛金属

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇陈征
  • 3篇柏松
  • 2篇程伟
  • 2篇王元
  • 2篇赵岩
  • 2篇刘海琪
  • 2篇牛斌
  • 1篇李理
  • 1篇陈刚
  • 1篇黄润华
  • 1篇杨勇

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种在碳化硅材料上制造栅极氧化层的方法
本发明提供了一种在碳化硅材料上制造栅极氧化层的方法,包括以下步骤:(1)将碳化硅衬底上载至高温炉管中;(2)在第一温度下,氧气的气氛中,在碳化硅衬底表面形成初始氧化层;(3)在第二温度下,氩气气氛中,将碳化硅衬底进行第一...
费晨曦柏松王谦黄润华陈征张宏伟
文献传递
一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法
本发明是一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法,包括以下步骤:1)在磷化铟(InP)衬底上光刻一次布线图形,通过蒸发金属并进行剥离,实现一次布线金属图形化;2)旋涂BCB(Benzocyclobutene),并在...
王元程伟赵岩牛斌刘海琪陈征
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一种金属电极结构的实现方法
本发明公开了一种金属电极结构的实现方法,该方法包括:通过金属化方法形成钛铝双层金属,其中钛金属设于底层,位于衬底表面,铝金属设于顶层,位于钛金属表面;涂覆光刻胶,并光刻出掩膜图形;基于单片式湿法喷雾腐蚀系统,使用特定的腐...
张宏伟栗锐陈征柏松杨勇费晨曦
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一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法
本发明是一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法,包括以下步骤:1)在磷化铟(InP)衬底上光刻一次布线图形,通过蒸发金属并进行剥离,实现一次布线金属图形化;2)旋涂BCB(Benzocyclobutene),并在...
王元程伟赵岩牛斌刘海琪陈征
一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法
本发明是一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法,包括以下步骤:1)使用酸性溶液清洗SiC晶片;2)使用5%-30%体积比浓度的氢氟酸溶液清洗SiC晶片;3)将SiC晶片放入氧化炉,充入惰性气体和氧气的混合气作为保护气体,将...
李理陈刚陈征柏松
文献传递
共1页<1>
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