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陈开建

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：上海空间电源研究所更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 13篇电池
  • 9篇太阳电池
  • 7篇带隙
  • 7篇宽带隙
  • 6篇高效太阳电池
  • 6篇发射区
  • 5篇异质结
  • 4篇激光
  • 4篇背场
  • 4篇掺杂
  • 3篇电流
  • 3篇电流密度
  • 2篇电池材料
  • 2篇电极
  • 2篇电学
  • 2篇短路电流
  • 2篇短路电流密度
  • 2篇异质结太阳电...
  • 2篇载流子
  • 2篇输运

机构

  • 16篇上海空间电源...

作者

  • 16篇陈开建
  • 12篇孙利杰
  • 11篇张玮
  • 10篇周大勇
  • 9篇陆宏波
  • 9篇李欣益
  • 3篇张建琴
  • 2篇张冬冬
  • 2篇蒋帅
  • 2篇唐道远
  • 2篇姜德鹏
  • 2篇徐建明
  • 2篇张闻
  • 2篇陈臻纯
  • 2篇贺虎
  • 1篇贾巍

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池
本发明公开了一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池，包含由底层向顶层按生长方向依次设置的衬底、缓冲层、底电池、超宽带隙隧穿结、中电池、宽带隙隧穿结、顶电池以及接触层；底电池为AlGaInP电池，中电池为AlGaAs和...
沈静曼陆宏波李欣益张玮孙利杰周大勇陈开建石梦奇
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一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池
本发明公开了一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，该太阳电池发射区采用n型GaInP，其厚度为40~100nm；窗口层采用n型的AlInP或AlGaInP，其厚度为10~50nm；并采用δ掺杂，掺杂面密度为10<Sup>1...
张建琴陆宏波张玮周大勇李欣益孙利杰陈开建
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降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法
本发明提供一种降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法，其包括：步骤1：通过外延生长，将作为键合接触层的GaAs层制备在GaAs衬底上，并将作为另一键合接触层的InP层制备在InP衬底上，其中，GaAs层...
孙利杰陈开建张玮
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一种基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池
本发明提供一种基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，包括：量子阱层和间隔层，所述量子阱层和/或所述间隔层为p型掺杂。本发明提供的一种基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，通过在量子阱和/或周围间隔层进行有意的...
周大勇陈开建施祥蕾孙利杰贾巍
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一种含有双背场结构的太阳电池
本发明公开了一种含有双背场结构的太阳电池，该太阳电池为双背场结构；基区厚度为100~500nm，双背场结构中每个背场的厚度分别为5~100nm。基区采用GaInP，双背场结构中一个背场采用Al<Sub>0.13</Sub...
陆宏波张建琴李欣益张玮周大勇孙利杰陈开建
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一种含有双背场结构的太阳电池
本发明公开了一种含有双背场结构的太阳电池，该太阳电池为双背场结构；基区厚度为100~500nm，双背场结构中每个背场的厚度分别为5~100nm。基区采用GaInP，双背场结构中一个背场采用Al<Sub>0.13</Sub...
陆宏波李欣益张玮周大勇孙利杰陈开建
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一种含有II型异质结窗口层的太阳电池
本发明公开了一种含有II型异质结窗口层的太阳电池，该太阳电池，采用能与发射区材料形成II型异质结的半导体材料作为宽带隙太阳电池的窗口层。窗口层采用n型的GaAsP，窗口层厚度为10~50nm。发射区采用n型AlGaInP...
陆宏波张玮周大勇李欣益孙利杰陈开建
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一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法
一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法，采用红外透明“金属格栅”预埋工艺，对三结砷化镓太阳电池完成“双负极”引出，通过双负极实现全天时能源供应的空间光伏器件，在光照区时利用太阳光发电，由三结砷化镓电池负极输出电流，...
唐道远徐建明张冬冬马宁蒋帅陈开建陈臻纯
一种基于内连技术的激光充电高效太阳电池及其制备方法
本发明提供一种基于内连技术的激光充电高效太阳电池及其制备方法，本发明所提供的基于内连技术的激光充电高效太阳电池设计其制备方法包括：该激光充电高效太阳电池的半导体材料结构从下到上依次为Ge衬底，缓冲层I型GaAs层，p型G...
石梦奇姜德鹏毕林杰陈开建贺虎张闻张帆张里盛
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一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池
本发明公开了一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池，包含由底层向顶层按生长方向依次设置的衬底、缓冲层、底电池、超宽带隙隧穿结、中电池、宽带隙隧穿结、顶电池以及接触层；底电池为AlGaInP电池，中电池为AlGaAs和...
沈静曼陆宏波李欣益张玮孙利杰周大勇陈开建石梦奇
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