陈子晏
- 作品数：15 被引量：5H指数：1
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- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目上海市国际科技合作基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 单片CMOS UHF RFID阅读器低噪声频率综合器设计实现
- 近年来,随着RFID技术的发展,日趋成熟的RFID应用市场对读写设备提出了更高的期望。采用分立器件的传统RFID读写设备无法完全满足市场的需求,单片集成的CMOS UHF RFID读写芯片以其低成本、低功耗、高性能和利于...
- 陈子晏
- 关键词：超高频射频识别电荷泵锁相环频率综合器
- 文献传递
- UHF RFID阅读器中可编程全差分低通滤波器的设计被引量：1
- 2008年
- 基于TSMC 0.25μm RF CMOS工艺,提出了一种应用于860～960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的可编程全差分低通滤波器电路。该滤波器为6阶切比雪夫有源RC滤波器,其中的运放采用带共模反馈的全平衡差动放大器结构(FBDDA)实现了全差分的缓冲器。仿真结果表明:该电路可以通过3位信号控制位产生截止频率为400 kHz、600 kHz、800 kHz、1 MHz以及1.3 MHz的全差分低通滤波器,1 MHz处的点噪声为20 nV/(Hz)^(1/2),1 dB输入压缩点为15 dBm,3.3 V电源电压下电路消耗总电流为4.86 mA。
- 刘琳李萌陈磊陈子晏张润曦赖宗声
- 关键词：超高频射频识别
- 高速鉴相器
- 一种高速鉴相器，确切说，涉及一种基于单相时钟动态CMOS技术的高速鉴相器，属于信号处理及其电路的技术领域。在传统的鉴相器的基础上，在反馈环路中添加了一个延时模块，使鉴相器工作时没有死区，用高速的D触发器替换了传统的低速的...
- 马和良雷奥赖宗声周灏赖琳晖陈磊杨华刘琳陈子晏欧阳炜霞
- 文献传递
- 基于高性能数字芯片的多协议可编程接口设计
- 2008年
- 设计并制作了一种基于SMIC18混合信号工艺,可用于高性能数字芯片中的多协议、可编程输入接口电路。Cadence SPECTRE仿真及测试结果表明,电路可以在多种不同的JEDEC标准协议下工作并自由切换,并加入可控延迟,根据不同协议,电路可以编程选择不同的输入缓冲路径,在同一模块上集成10种JEDEC协议标准。电路同时可以在高至200MHz的HSTL协议下工作,也可以满足LVTTL等协议的5V耐压需求。
- 陈磊陈子晏杨华赖宗声景为平
- 关键词：可编程控制JEDEC标准
- 单片UHF RFID阅读器中VCO及其预分频器设计被引量：2
- 2008年
- 提出了一种应用于860～960MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的低相位噪声CMOS压控振荡器(VCO)及其预分频电路。VCO采用LC互补交叉耦合结构,利用对称滤波技术改善相位噪声性能,预分频电路采用注入锁定技术,用环形振荡结构获得了较宽的频率锁定范围。电路采用UMC0.18μm CMOS工艺实现,测试结果表明:VCO输出信号频率范围为1.283～2.557GHz,预分频电路的频率锁定范围为66.35%,输出四相正交信号。芯片面积约为1mm×1mm,当PLL输出信号频率为895.5MHz时,测得其相位噪声为-132.25dBc/Hz@3MHz,电源电压3.3V时,电路消耗总电流为8mA。
- 陈子晏谢传文陈磊马和良张润曦赖宗声景为平
- 关键词：低相位噪声阅读器压控振荡器
- 单片UHF RFID阅读器中低噪声频率综合器的设计
- 2009年
- 结合EPC global C1 G2协议和ETSI规范要求,讨论了频率综合器噪声性能需求,并设计实现了用于单片CMOS UHF RFID阅读器中的低噪声三阶电荷泵锁相环频率综合器。在关键模块LC VCO的设计中,采用对称LC滤波器和LDO调节器提高VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm CMOS RF工艺实现,测得频率综合器在中心频率频偏200 kHz和1 MHz处相位噪声分别为-109.13 dBc/Hz和-127.02 dBc/Hz。
- 何伟张润曦徐萍张勇陈子晏赖宗声
- 关键词：CMOS超高频射频识别频率综合器相位噪声
- 一种用于单片UHF RFID阅读器中的低相位噪声LC VCO设计
- 2008年
- 介绍了一种适用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)阅读器的低相位噪声压控振荡器(VCO)电路。通过在传统的VCO电路中加入抑制电源噪声的regulator并在共模端加入平衡滤波电路对尾电流源的二次谐波分量进行抑制来降低1/f3区域的相位噪声,同时选取合适的电感值及其Q值使得VCO在1/f2区域也能获得较佳的相位噪声性能。同时,文中给出了本设计中使用的低噪声基准源电路。整个电路采用UMC0.18μm MM/RF CMOS工艺实现,仿真与测试结果显示所提出的VCO结构和传统VCO相比几乎在所有区域内对相噪声均有5dB的改善。本设计使用的电源电压为3.3V,VCO中心频率为1.8GHz,调谐范围约为11%,频偏1MHz处相位噪声约为-127dBc/Hz,总电流约为7.2mA。
- 谢传文陈磊陈子晏李萌张润曦赖宗声
- 关键词：超高频射频识别单片集成阅读器低相位噪声
- 单片UHF RFID阅读器中频率综合器的研究
- 2009年
- 根据EPC global C1G2射频协议要求以及我国的射频识别协议草案,提出了一种应用于860~960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的3阶II型电荷泵锁相环(CPPLL)频率综合器,其输入参考频率为250 kHz。电路采用MOSIS IBM 0.18μm RF/MM CMOS工艺,仿真结果表明:锁相环输出频率范围为760 MHz^1.12 GHz,锁相环输出频率为900 MHz时,相位噪声为-113.1 dBc/Hz@250 kHz,-120.4 dBc/Hz@500 kHz。电源电压3.3 V,消耗总电流9.4 mA。
- 陈子晏张润曦石春琦陈磊马和良赖宗声景为平
- 关键词：频率综合器电荷泵锁相环阅读器超高频射频识别
- 单片CMOS UHF RFID阅读器中低噪声LC VCO的设计
- 2010年
- 设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。
- 何伟徐萍张润曦张勇李彬陈子晏马和良赖宗声
- 关键词：互补金属氧化物半导体电感电容压控振荡器超高频射频识别
- 高性能多模可编程CMOS输出缓冲器的研究实现被引量：1
- 2008年
- 提出了一种应用于专用集成电路(ASIC)和FPGA高速IO接口的通用型数据输出缓冲器(Output Buffer)及其ESD(Electrostatic Discharge)保护电路。电路采用新型三组电源供电模式,通过编程点精确控制输出驱动能力,支持多达16种最常用的数据传输协议,电路采用SMIC0.18μm CMOS MM工艺实现。仿真结果表明:output buffer输出信号可满足所有协议的电气要求,支持的所有协议均至少可在250MHz频率下进行数据传输,传输延迟保持在660ps^1180ps之间。
- 陈子晏马和良陈磊杨华周灏谢传文赖宗声景为平
- 关键词：输出缓冲器静电保护电路
